汽车级
先进的工艺技术
优化汽车电机驱动， DC- DC和
等重负载应用
超小尺寸和超薄特性
高功率密度
低寄生参数
双面冷却
175 ° C工作温度
重复雪崩能力的坚固性和
可靠性
无铅，符合RoHS和无卤素
AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR1
PD - 97536
汽车的DirectFET ？功率MOSFET
V
（ BR ） DSS
100V
R
DS （ ON）
典型值。
3.5m
马克斯。
4.4m
I
D（硅有限公司）
114A
Q
g
81nC
适用的DirectFET外形及其基材大纲
SB
SC
M2
M4
L8
的DirectFET ？等距
L4
L6
L8
描述
该AUIRF7669L2TR （ 1 ）结合了最新的汽车HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装，以实现最低的通态电阻在具有DPAK （TO- 252AA ）的覆盖区和只0.7毫米信息包。
该
DirectFET封装与功率应用中使用现有的几何布局，PCB组装设备和汽相兼容，
红外线或对流焊接技术，当应用笔记AN- 1035之后就制造方法和亲
正如事实。 DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地发挥在汽车动力系统的热传递。
这HEXFET功率MOSFET是专为应用的效率和功率密度是必不可少的。先进的DirectFET
包装平台，再加上最新的硅技术允许AUIRF7669L2TR （ 1）能大幅降低系统级
特别是在电机驱动，高频DC -DC和ICE ， HEV和EV平台等重负载应用的性能提升
形式。这种MOSFET采用最新的加工技术，以实现低导通电阻和低的Qg每硅片面积。的附加功能
这种MOSFET的175 ° C的工作结温高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该
MOSFET高效，健壮和可靠的装置，用于高电流汽车应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
P
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
f
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
f
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
e
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
马克斯。
100
± 20
114
81
19
375
460
100
3.3
260
850
看到图12a ， 12b中，15，16
260
-55 + 175
单位
V
A
f
e
f
W
mJ
A
mJ
°C
g
h
热阻
结到环境
结到环境
结到环境
结至灿
结到PCB安装
线性降额因子
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJCan
R
θJ -PCB
fl
e
j
k
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
–––
0.83
马克斯。
45
–––
–––
1.2
0.5
单位
° C / W
f
W / ℃，
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
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1
07/13/2010
AUIRF7669L2TR/TR1
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
DFET2
一流的M4
AEC-Q101-002
H2类
AEC-Q101-001
带电器件
模型
C4类
AEC-Q101-005
是的
MSL1
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
ESD
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到：
http://www.irf.com
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
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3
AUIRF7669L2TR/TR1
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.8V
5.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.8V
5.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
1
5.5V
10
5.5V
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
12
ID = 68A
10
8
T J = 125°C
6
4
2
0
5
10
15
20
T J = 25°C
4.0
VGS = 10V
3.8
3.6
3.4
3.2
0
50
100
150
200
ID ，漏电流（ A）
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图3 。
典型导通电阻与栅极电压
1000
图4 。
典型导通电阻与漏电流
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 68A
2.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
T J = -40°C
100
T J = 25°C
T J = 175℃
10
VGS = 10V
1.5
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
0.1
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图5 。
典型的传输特性
图6 。
归一化的导通电阻与温度的关系
4
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AUIRF7669L2TR/TR1
6.0
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
1000
VGS = 0V
5.0
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = -40°C
100
T J = 25°C
T J = 175℃
4.0
3.0
ID = 250μA
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
10
2.0
1.0
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
TJ ，温度（° C）
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的阈值电压 -
结温
250
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
200
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10000
150
T J = 175℃
100
西塞
科斯
1000
CRSS
50
V DS = 10V
20μs的脉冲宽度
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
图9 。
典型正向跨导比。漏电流
14.0
ID = 68A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图10 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
120
100
ID ，漏电流（ A）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
20
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
80
60
40
20
0
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
QG ，总栅极电荷（ NC）
T C ，外壳温度（ ° C）
Fig.11
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
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5
QQ：2881677436 复制
