A28F200BX - T B
2兆位（ 128K ×16 256K ×8 ）， BOOT BLOCK
闪存系列
汽车
Y
X8 X16输入输出架构
A28F200BX -T A28F200BX -B
高性能和高
集成的16位和32位的CPU
优化的高密度阻止
架构
一个16 KB的受保护的引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
一个128 KB的主座
顶部或底部启动位置
扩展循环能力
1000块擦除周期
自动字字节写和
块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
自动省电功能
1毫安典型I
CC
目前活跃在
静态工作
硬件数据保护功能
擦除功率在写锁定
TRANSITIONS
Y
极高性能的读取
90 ns最大访问时间
45 ns最大输出使能时间
低功耗
25毫安典型的读操作工作电流
深度掉电复位输入
作为复位的启动操作
汽车工作温度
b
40℃
a
125 C
写保护的引导块
行业标准的表面贴装
包装
JEDEC兼容的ROM
44引脚PSOP
12V字字节写和块擦除
V
PP
e
12V
g
5 ％标准
ETOX
TM
III闪存技术
5V阅读
独立软件供应商支持
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或
版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定
修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表
版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290500-003
A28F200BX - T B
英特尔的2兆位闪存系列是引导块架构的扩展，其中包括块selec-
略去删除自动写入和擦除操作和标准的微处理器接口2兆位闪存
存储器系列增强了引导块架构通过添加更多的密度和块X8 X16的输入输出
把控制超高速低功耗的行业标准ROM兼容的引脚排列的2兆位闪存系列
允许轻松升级到Intel的4 - Mbit的引导块闪存系列
英特尔A28F200BX - TB是16位宽的闪存产品优化，以满足严格的使用环境
汽车应用TAL要求这些高密度快闪记忆体提供用户可选择的公交车
操作为8位或16位应用程序的A28F200BX -T和A28F200BX -B是2 097 152位的非
组织为262或者144字节或信息131 072字非易失性存储器他们提供在44-
引脚塑料SOP封装的X8 X16引脚排列符合工业标准的ROM EPROM的引脚读
和写入特性都保证在环境温度范围
b
40℃
a
125 C
这些器件采用一个集成的命令用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化
字字节写和块擦除的A28F200BX -T提供了与英特尔兼容的模块位置
MCS- 186系列80286 I386
TM
i486
TM
i860
TM
和80960CA微处理器A28F200BX -B提供
与英特尔的80960KX和80960SX家庭的兼容性，以及其他嵌入式微处理器
引导块包括数据保护功能，以保护关键应用有了启动代码
90 ns的最大访问时间这2兆位闪存器件是非常高的性能的存储器，
接口零等待状态，以广泛的微处理器和微控制器
英特尔的0 8微米ETOX制造
TM
三过程中的2兆位闪存系列提供了世界一流的
在2兆比特密度级质量的可靠性和成本效益
2
A28F200BX - T B
编程和擦除自动化
允许程序
并用双执行擦除操作
写命令序列的崔内部
写状态机（ WSM ）自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作，包括核查there-
通过unburdening微处理器或microcontrol-
内存数据写入LER在词或进行
为A28F200BX家庭字节增量一般
在9
ms
这是一种改进的100％以上的预
vious闪存产品
该
状态寄存器（ SR ）
显示的状态
WSM以及是否WSM顺利完成
所需的程序或擦除操作
最大访问时间
90纳秒（ TACC ）
实现
在汽车级温度范围（
b
40℃
125 C ） 10 ％V
CC
电源电压范围和100pF的
输出负载
I
PP
最高纲领电流为40毫安X16
对于X8的操作我的操作和30mA
PP
抹去
电流为30 mA（最大值） V
PP
擦除和亲
编程电压为4V 11到12 6V （V
PP
e
12V
g
5 ％ ），在所有工作条件典型我下
CC
25毫安的工作电流
实现
2- Mbit的引导块闪存系列还设计
具有自动省电（ APS ）功能
最小化系统的电池的电流消耗，并允许
极低的功耗设计一旦设备处于激活
处理，以读取阵列数据APS模式将被立即
ately把内存中运行的静态模式
在那里我
CC
有源电流典型1毫安直到
下一次读取启动
当CE和RP引脚在V
CC
和
BYTE引脚为两种V
CC
或GND的
CMOS
待机
模式被激活，我
CC
通常
80
mA
A
深度掉电模式
启用时，
RP引脚为地降低功耗
并在上电期间提供写保护CON-
ditions
I
CC
当前
在深度掉电模式
is
50
mA
典型
的初始最大访问时间或
复位和RP开关所需的300 ns的时间
荷兰国际集团，直到输出是有效的等效设备
具有210纳秒最大的唤醒时间，直至写
该命令的用户界面识别
10
产品系列概述
在本数据表中的A28F200BX指
两者A28F200BX -T和A28F200BX - B设备
部1提供的2兆位闪存的概述
内存系列，包括应用的引脚和
引脚说明第2部分详细介绍了
具体的内存组织第3节提供
经营家庭的原则，说明Fi的
应受家庭的操作规范是否变形
刻划
11
主要特点
该A28F200BX引导块闪存系列是一个
非常高性能的2兆位（ 2 097 152位） memo-
组织结构或者128 - K字RY系列（ 131 072
16位字） ，或每256千字节（ 262 144
每个8位字节）
五分别可擦除块
包括
硬
洁具，可锁定引导块
（ 16 384字节）
2纸张
rameter块
（ 8每192字节），
两个主要的
块
（ 1块98 304字节和1块
131 072字节）都包含在2兆位的家庭
擦除操作将删除在主块的一个
通常为3秒，并在启动或参数
在通常1 5秒块每块可
独立擦除和编程1 000倍
引导块
位于任一顶端
的（ A28F200BX - T）或底部（ A28F200BX - B）的
地址映射，以适应不同的MI-
croprocessor协议启动代码的位置
硬件上锁引导块
最提供
安全代码存储的引导块是为了
存储所需的启动，一个系的内核代码
TEM当
RP
引脚之间的11 4V和6V 12
引导块解锁，编程和擦除
操作可以被执行当RP销是
在等于或低于6 5V引导块被锁定和亲
克和擦除操作来引导块是
忽视
该A28F200BX产品是在ROM可用
EPROM兼容的引脚排列和容纳在
44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装
在图3所示
该
命令用户界面（CUI ）
作为
微处理器或单片机之间的接口
控制器和A28F200BX的内部操作
FL灰内存
3
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