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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第305页 > ATF-38143-TR1
低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
技术参数
ATF-38143
特点
低噪声系数
卓越的均匀性
产品规格
低成本表面贴装
小塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
带盘式包装
可用选项
表面贴装封装
SOT-343
描述
安捷伦科技公司的ATF- 38143
是一种高动态范围，低
噪音， PHEMT坐落在一个4引脚
SC- 70 （ SOT- 343 ）表面贴装
塑料封装。
根据它的功能perfor-
曼斯， ATF- 38143适用于
在蜂窝和PCS应用
手机， LEO系统， MMDS ，
和其他系统需要超
低噪声系数具有良好的
拦截在450 MHz至
10 GHz的频率范围内。
引脚连接和
包装标志
特定网络阳离子
0.4分贝噪声系数
16分贝相关的增益
在12.0 dBm的输出功率
1分贝增益压缩
22.0 dBm输出3
rd
订单
截距
来源
8Px
1
1.9 GHz的; 2 V，10 mA（典型值）
漏
来源
门
注意：
俯视图。包装标志
提供定位和识别。
“ 8P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。新
字符被分配给每个月份，年份。
应用
低噪声放大器
蜂窝/ PCS手机
LNA的WLAN， WLL / RLL ，
狮子座， MMDS
应用
通用离散
PHEMT其他超低
噪声应用
ATF- 38143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
门漏极电压
漏电流
总功耗
[2]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[3]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
4.5
-4
-4
I
DSS
580
17
160
-65 160
165
注意事项：
1.操作这个设备上面的任何一个
这些参数可能会导致
永久性损坏。
2.源铅温度为25 ℃。
减免6毫瓦/
°C
对于T
L
> 64 ℃。
使用测量3.热电阻
150℃液晶测试
方法。
产品的一致性分布图表
250
+0.6 V
300
250
200
200
CPK = 1.59062
标准偏差= 0.73 dBm的
6晶片
样本量= 450
I
DS
（MA ）
150
0V
标准-3
150
3性病
100
100
50
–0.6 V
50
0
18
0
0
1
2
3
V
DS
(V)
4
5
20
22
OIP3 （分贝）
24
26
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
180
150
120
CPK = 4.08938
标准偏差= 0.03分贝
6晶片
样本量= 450
图2. OIP3 @ 2千兆赫， 2 V，10 mA的电流。
LSL = 18.5 ，标称= 21.99 ， USL = 26.0
160
CPK = 2.58097
标准偏差= 0.14分贝
6晶片
样本量= 450
120
标准-3
90
60
3性病
80
标准-3
3性病
40
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
NF（ dB）的
0
15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
增益（dB ）
图3. NF @ 2千兆赫， 2 V，10 mA的电流。
LSL = 0 ，标称= 0.44 ， USL = 0.85
注意：
分发数据样本大小是450
采集的样品来自6个不同的晶片。
分配给该产品的未来晶圆
可能会有内的任何地方标称值
上下规格界限。
图4.增益@ 2千兆赫， 2 V，10 mA的电流。
LSL = 15.0 ，标称= 16.06 ， USL = 18.0
就生产测试测量
板。该电路表示一种折衷
最佳噪声匹配和之间
基于生产测试realizeable比赛
要求。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
2
ATF- 38143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
NF
噪声系数
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.54 V, V
DS
= 2 V
单位最小值。典型值。
[2]
马克斯。
mA
V
mA
90
-0.65
—
118
-0.5
10
230
30
0.6
0.4
0.3
0.6
0.4
0.3
15.3
16.0
17.0
17.0
19.0
20.5
22.0
22.0
6.0
3.0
12.0
12.0
145
-0.35
—
—
500
300
0.85
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
mmho 180
V
GD
= -5 V
A
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
A
dB
—
F = 900兆赫
dB
F = 2 GHz的
G
a
相关的增益
[3]
dB
15
dB
18
F = 900兆赫
OIP3
IIP3
P
1dB
输出3
rd
订单
截取点
[3]
输入3
rd
订单
截取点
[3]
1分贝压缩
压缩动力
[3]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
18.5 dBm的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
注意事项：
1.保证在晶圆探测的水平。
从450份样品尺寸来确定从6晶片2.典型值。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50 OHM
输电线路
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γmag
= 0.380
Γang
= 58.2°
（ 0.46分贝损失）
DUT
产量
匹配电路
Γmag
= 0.336
Γang
= 34.5°
（ 0.46分贝损失）
50 OHM
输电线路
（0.5 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益，P 2 GHz的生产测试板图5.框图
1dB
和OIP3测量
求。该电路表示基于生产测试的最佳噪声匹配和一个可实现的匹配之间的折衷
板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 38143典型性能曲线
30
25
OIP3
30
25
OIP3
0.7
0.6
噪声系数（dB ）
60
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
P
1dB
20
15
P
1dB
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
5
0
0
10
20
30
40
50
目前，我
DS
（MA ）
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
图6. OIP3和P
1dB
与我
d
在2 V ，
2千兆赫。
图7. OIP3和P
1dB
与我
d
在2 V ，
900兆赫。
图8.噪声系数与我
d
在2 V ，
2千兆赫。
0.7
0.6
22
21
20
19
18
17
16
15
0
22
21
20
19
18
17
16
15
0
相关的增益（分贝）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
10
20
30
40
50
60
相关的增益（分贝）
噪声系数（dB ）
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
目前，我
DS
（MA ）
图9.噪声系数与我
d
在2 V ，
900兆赫。
图10.相关增益与我
d
在2 V ，
2千兆赫。
图11.相关增益与我
d
在2 V ，
900兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板，在2 V调整为合理的噪声系数最佳增益匹配
10毫安偏差。该电路代表最佳噪声匹配，最大增益匹配和可实现的匹配基于之间的权衡
生产测试板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
is
走近时，漏极电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备
运行更接近B级功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和较高的PAE （功率附加效率）
时相比，通过一个恒定电流源，作为典型的做法是用有源偏置驱动的元件。
4
ATF- 38143典型性能曲线，
持续
0.9
0.8
25
0.7
0.6
F
民
（ dB）的
G
a
（ dB）的
30
1.6
1.4
G
a
F
民
1.2
G
a
（ dB）的
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
5毫安
10毫安
20毫安
20
15
10
5毫安
10毫安
20毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
5
0
0
1
2
3
4
5
–40°C
+25°C
+85°C
0.2
0
7
6
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和
目前在2V 。
图13. F
民
和G
a
与频率的关系
而温度在2 V，10 mA的电流。
图14.相关增益与
频率和电流2V 。
26
增益（dB ） ，P
1dB
和OIP3 （ dBm的）
30
25
20
1.4
1.2
1.0
NF（ dB）的
增益（dB ） ，P
1dB
和OIP3 （ dBm的）
30
25
20
1.4
1.2
1.0
0.8
NF（ dB）的
24
P
1dB,
OIP3 （ dBm的）
22
20
18
16
14
12
10
0
2000
4000
6000
8000
频率（MHz）
–40°C
+25°C
+85°C
0.8
15
0.6
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
P
1dB
OIP3
收益
NF
15
0.6
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
P
1dB
OIP3
收益
NF
0.4
0.2
0
0.4
0.2
0
图15. P
1dB
和OIP3与频率的关系
而温度在2 V，10 mA的电流。
图16. NF ，增益，P
1dB
和OIP3主场迎战
I
DS
在2V ， 3.9千兆赫。
图17. NF ，增益，P
1dB
和OIP3主场迎战
I
DS
在2V ， 5.8千兆赫。
注意事项：
1. P
1dB
测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
is
走近时，漏极电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备
运行更接近B级功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和较高的PAE （功率附加效率）
时相比，通过一个恒定电流源，作为典型的做法是用有源偏置驱动的元件。
5
低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
技术参数
ATF-38143
特点
低噪声系数
卓越的均匀性
产品规格
低成本表面贴装
小塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
带盘式包装
可用选项
表面贴装封装
SOT-343
描述
安捷伦科技公司的ATF- 38143
是一种高动态范围，低
噪音， PHEMT坐落在一个4引脚
SC- 70 （ SOT- 343 ）表面贴装
塑料封装。
根据它的功能perfor-
曼斯， ATF- 38143适用于
在蜂窝和PCS应用
手机， LEO系统， MMDS ，
和其他系统需要超
低噪声系数具有良好的
拦截在450 MHz至
10 GHz的频率范围内。
引脚连接和
包装标志
特定网络阳离子
0.4分贝噪声系数
16分贝相关的增益
在12.0 dBm的输出功率
1分贝增益压缩
22.0 dBm输出3
rd
订单
截距
来源
8Px
1
1.9 GHz的; 2 V，10 mA（典型值）
漏
来源
门
注意：
俯视图。包装标志
提供定位和识别。
“ 8P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。新
字符被分配给每个月份，年份。
应用
低噪声放大器
蜂窝/ PCS手机
LNA的WLAN， WLL / RLL ，
狮子座， MMDS
应用
通用离散
PHEMT其他超低
噪声应用
ATF- 38143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
门漏极电压
漏电流
总功耗
[2]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[3]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
4.5
-4
-4
I
DSS
580
17
160
-65 160
165
注意事项：
1.操作这个设备上面的任何一个
这些参数可能会导致
永久性损坏。
2.源铅温度为25 ℃。
减免6毫瓦/
°C
对于T
L
> 64 ℃。
使用测量3.热电阻
150℃液晶测试
方法。
产品的一致性分布图表
250
+0.6 V
300
250
200
200
CPK = 1.59062
标准偏差= 0.73 dBm的
6晶片
样本量= 450
I
DS
（MA ）
150
0V
标准-3
150
3性病
100
100
50
–0.6 V
50
0
18
0
0
1
2
3
V
DS
(V)
4
5
20
22
OIP3 （分贝）
24
26
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
180
150
120
CPK = 4.08938
标准偏差= 0.03分贝
6晶片
样本量= 450
图2. OIP3 @ 2千兆赫， 2 V，10 mA的电流。
LSL = 18.5 ，标称= 21.99 ， USL = 26.0
160
CPK = 2.58097
标准偏差= 0.14分贝
6晶片
样本量= 450
120
标准-3
90
60
3性病
80
标准-3
3性病
40
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
NF（ dB）的
0
15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
增益（dB ）
图3. NF @ 2千兆赫， 2 V，10 mA的电流。
LSL = 0 ，标称= 0.44 ， USL = 0.85
注意：
分发数据样本大小是450
采集的样品来自6个不同的晶片。
分配给该产品的未来晶圆
可能会有内的任何地方标称值
上下规格界限。
图4.增益@ 2千兆赫， 2 V，10 mA的电流。
LSL = 15.0 ，标称= 16.06 ， USL = 18.0
就生产测试测量
板。该电路表示一种折衷
最佳噪声匹配和之间
基于生产测试realizeable比赛
要求。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
2
ATF- 38143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
NF
噪声系数
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.54 V, V
DS
= 2 V
单位最小值。典型值。
[2]
马克斯。
mA
V
mA
90
-0.65
—
118
-0.5
10
230
30
0.6
0.4
0.3
0.6
0.4
0.3
15.3
16.0
17.0
17.0
19.0
20.5
22.0
22.0
6.0
3.0
12.0
12.0
145
-0.35
—
—
500
300
0.85
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
mmho 180
V
GD
= -5 V
A
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 5毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
A
dB
—
F = 900兆赫
dB
F = 2 GHz的
G
a
相关的增益
[3]
dB
15
dB
18
F = 900兆赫
OIP3
IIP3
P
1dB
输出3
rd
订单
截取点
[3]
输入3
rd
订单
截取点
[3]
1分贝压缩
压缩动力
[3]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
18.5 dBm的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
注意事项：
1.保证在晶圆探测的水平。
从450份样品尺寸来确定从6晶片2.典型值。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50 OHM
输电线路
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γmag
= 0.380
Γang
= 58.2°
（ 0.46分贝损失）
DUT
产量
匹配电路
Γmag
= 0.336
Γang
= 34.5°
（ 0.46分贝损失）
50 OHM
输电线路
（0.5 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益，P 2 GHz的生产测试板图5.框图
1dB
和OIP3测量
求。该电路表示基于生产测试的最佳噪声匹配和一个可实现的匹配之间的折衷
板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 38143典型性能曲线
30
25
OIP3
30
25
OIP3
0.7
0.6
噪声系数（dB ）
60
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
P
1dB
20
15
P
1dB
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
5
0
0
10
20
30
40
50
目前，我
DS
（MA ）
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
图6. OIP3和P
1dB
与我
d
在2 V ，
2千兆赫。
图7. OIP3和P
1dB
与我
d
在2 V ，
900兆赫。
图8.噪声系数与我
d
在2 V ，
2千兆赫。
0.7
0.6
22
21
20
19
18
17
16
15
0
22
21
20
19
18
17
16
15
0
相关的增益（分贝）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
10
20
30
40
50
60
相关的增益（分贝）
噪声系数（dB ）
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
目前，我
DS
（MA ）
图9.噪声系数与我
d
在2 V ，
900兆赫。
图10.相关增益与我
d
在2 V ，
2千兆赫。
图11.相关增益与我
d
在2 V ，
900兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板，在2 V调整为合理的噪声系数最佳增益匹配
10毫安偏差。该电路代表最佳噪声匹配，最大增益匹配和可实现的匹配基于之间的权衡
生产测试板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
is
走近时，漏极电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备
运行更接近B级功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和较高的PAE （功率附加效率）
时相比，通过一个恒定电流源，作为典型的做法是用有源偏置驱动的元件。
4
ATF- 38143典型性能曲线，
持续
0.9
0.8
25
0.7
0.6
F
民
（ dB）的
G
a
（ dB）的
30
1.6
1.4
G
a
F
民
1.2
G
a
（ dB）的
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
5毫安
10毫安
20毫安
20
15
10
5毫安
10毫安
20毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
5
0
0
1
2
3
4
5
–40°C
+25°C
+85°C
0.2
0
7
6
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和
目前在2V 。
图13. F
民
和G
a
与频率的关系
而温度在2 V，10 mA的电流。
图14.相关增益与
频率和电流2V 。
26
增益（dB ） ，P
1dB
和OIP3 （ dBm的）
30
25
20
1.4
1.2
1.0
NF（ dB）的
增益（dB ） ，P
1dB
和OIP3 （ dBm的）
30
25
20
1.4
1.2
1.0
0.8
NF（ dB）的
24
P
1dB,
OIP3 （ dBm的）
22
20
18
16
14
12
10
0
2000
4000
6000
8000
频率（MHz）
–40°C
+25°C
+85°C
0.8
15
0.6
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
P
1dB
OIP3
收益
NF
15
0.6
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
目前，我
DS
（MA ）
P
1dB
OIP3
收益
NF
0.4
0.2
0
0.4
0.2
0
图15. P
1dB
和OIP3与频率的关系
而温度在2 V，10 mA的电流。
图16. NF ，增益，P
1dB
和OIP3主场迎战
I
DS
在2V ， 3.9千兆赫。
图17. NF ，增益，P
1dB
和OIP3主场迎战
I
DS
在2V ， 5.8千兆赫。
注意事项：
1. P
1dB
测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
is
走近时，漏极电流可增大或减小取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备
运行更接近B级功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的P
1dB
和较高的PAE （功率附加效率）
时相比，通过一个恒定电流源，作为典型的做法是用有源偏置驱动的元件。
5
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