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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第305页 > ADP130AUJZ-0.8-R7
350毫安，低V
IN
，低静态电流，
CMOS线性稳压器
ADP130
特点
350毫安最大输出电流
输入电压范围
V
BIAS
= 2.3 V至5.5 V
V
IN
= 1.2 V至3.6 V
2.3 V < V
IN
< 3.6 V ， VIN可连接至VBIAS
非常低的压差电压： 17 mV的@ 100 mA负载
低静态电流： 25 μA @空载
低关断电流： <1 μA
± 1 ％的准确度@ 25°C
出色的PSRR性能： 70分贝@ 10 kHz的
优异的负载/线路瞬态响应
优化小型1μF陶瓷电容
电流限制和热过载保护
逻辑控制使能
5引脚TSOT封装
典型应用电路
V
IN
= 1.8V
1F
+
2
1
VIN
VOUT
5
V
OUT
= 1.2V
1F
+
ADP130
GND
3
EN
VBIAS
4
V
BIAS
= 3.6V
1F
06963-001
+
图1 。
V
IN
= 2.8V
1F
+
1
VIN
VOUT
5
V
OUT
= 1.8V
1F
+
ADP130
2
GND
V
BIAS
= 5V
1F
06963-002
应用
手机
数码相机和音频设备
便携式和电池供电设备
交直流 - 直流调节
3
EN
VBIAS
4
+
图2中。
概述
该ADP130是一款低静态电流，低压差线性稳压
荡器。它的目的是在双电源模式下操作的输入
电压低到1.2伏，以提高效率并提供高达
350毫安输出电流。低17 mV的压降电压
100 mA负载提高了效率，使操作过
更宽的输入电压范围。
双电源供电解决方案通常是提高转换
效率超过，因为较高的V单电源解决方案
BIAS
供应功率的一部分，并且下侧的V
IN
电源提供电流
到负载。耗散在设备中的功率由此被减小。
该ADP130的稳定工作与小1 μF优化
陶瓷输出电容器。该ADP130提供良好的瞬态
性能以最小的电路板面积。
该ADP130可在以下31种固定输出电压
选项：
0.80 V至2.00 V在50 mV的步
1.875 V， 2.25 V， 2.50 V， 2.775 V， 2.80 V和3.0 V
该ADP130具有200 μs的典型的内部软启动时间。短期
短路保护和热过载保护电路
避免在不利条件下受损。该ADP130提供
在一个微小的5引脚TSOT封装的最小尺寸解决方案
满足各种便携式电源应用。
启示录
0
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ADP130
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
输入和输出电容，推荐规格。4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热数据................................................ ................................ 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 12
应用信息................................................ .............. 13
电容选择................................................ .................... 13
欠压锁定................................................ ............... 14
启用功能................................................ ............................ 14
电流限制和热过载保护................. 15
散热注意事项................................................ ............ 15
结温计算......................................... 16
印刷电路板布局考虑....................... 17
外形尺寸................................................ ....................... 18
订购指南................................................ .......................... 18
修订历史
7月8日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
ADP130
特定网络阳离子
V
IN
= V
OUT
+ 0.4 V, V
BIAS
= 5 V，I
OUT
= 10毫安，C
IN
= 1
μF,
C
OUT
= 1
μF,
C
BIAS
= 1
μF,
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
输入电压范围
偏置电压范围
工作电源电流
符号
V
IN
V
BIAS
I
VIN 1
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 0 μA
I
OUT
= 0 μA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 100毫安，吨
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 350毫安
I
OUT
= 350毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ，T
J
= -40 ° C至+ 85°C
EN = GND ，T
J
= + 85 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
1毫安<我
OUT
< 350毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至3.6 V
1毫安<我
OUT
< 350毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至3.6 V ，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至3.6 V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10 mA至350毫安
I
OUT
= 10 mA至350毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10 mA时， V
BIAS
= 2.3 V, V
OUT
= 3 V
I
OUT
= 10 mA时， V
BIAS
= 2.3 V, V
OUT
= 3 V,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100毫安， V
BIAS
= 2.3 V, V
OUT
= 3 V
I
OUT
= 100毫安， V
BIAS
= 2.3 V, V
OUT
= 3 V,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 350毫安， V
BIAS
= 2.3 V, V
OUT
= 3 V
I
OUT
= 350毫安， V
BIAS
= 2.3 V, V
OUT
= 3 V,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 1.2 V
民
1.2
2.3
典型值
最大
3.6
5.5
44
40
58
100
130
160
220
16
28
0.1
1.0
20
0.1
1
2
3
0.10
0.001
0.005
2
3.5
17
28
70
100
200
550
150
15
1.2
0.4
0.1
1
2.1
1.5
180
1.0
+1
+2
+3
+0.10
单位
V
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
%
%
%
%/ V
%/A
%/A
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μs
mA
°C
°C
V
V
μA
μA
V
V
mV
25
BIAS工作电流
关断电流
I
BIAS
I
SD- VIN
I
SD- VBIAS
固定输出电压精度
V
OUT
线路调整
负载调整率
2
输入输出电压差
3
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
OUT
V
降
启动时间
4
电流限制阈值
5
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
EN输入
EN输入逻辑高电平
EN输入逻辑低
EN输入漏电流
欠压锁定
输入电压崛起
输入电压下降
迟滞
T
启动
I
极限
TS
SD
TS
SD- HYS
V
IH
V
IL
V
我泄漏
UVLO
UVLO
上升
UVLO
秋天
UVLO
HYS
400
T
J
升起
1000
2.3 V ≤ V
BIAS
≤ 5.5 V
2.3 V ≤ V
BIAS
≤ 5.5 V
EN = BIAS或GND
EN = BIAS或GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
第0版|第20页3
ADP130
参数
输出噪声
符号
OUT
噪音
条件
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 0.8 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.2 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.5 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 2.5 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 3.0 V
调制偏置10 kHz时， V
OUT
= 3.0 V, V
IN
= 3.6 V,
V
BIAS
= 5 V
调制的偏见， 100千赫，V
OUT
= 3.0 V, V
IN
= 3.6 V,
V
BIAS
= 5 V
调制V
IN
， 10千赫，V
OUT
= 1.2 V, V
IN
= V
OUT
+ 1 V,
V
BIAS
= 5 V
调制V
IN
， 100千赫，V
OUT
= 1.2 V, V
IN
= V
OUT
+ 1 V,
V
BIAS
= 5 V
调制V
IN
， 10千赫，V
OUT
= 0.8 V, V
IN
= V
OUT
+ 1 V,
V
BIAS
= 5 V
调制V
IN
， 100千赫，V
OUT
= 0.8 V, V
IN
= V
OUT
+ 1 V,
V
BIAS
= 5 V
民
典型值
29
38
43
61
77
70
53
70
54
70
55
最大
单位
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
dB
dB
dB
dB
dB
dB
电源抑制比
PSRR
1
2
I
VIN
= I
GND
I
BIAS
，在那里我
GND
是从GND引脚的电流流动。
基于以1 mA和350毫安负载的端点计算。
3
电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出
电压高于1.3 V.
4
启动时间被定义为从EN的上升沿到VOUT是在90％的标称值的时间。
5
限流阈值被定义为在所述输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为2.0 V
输出电压被定义为当前使输出电压下降为2.0 V至90％，或1.8 V.
输入和输出电容，推荐规格
表2中。
参数
最小输入和输出
电容
1
电容的ESR
1
符号
C
民
R
ESR
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
民
0.70
.001
典型值
1
最大
单位
μF
Ω
1
最小输入和输出电容应为>0.70 μF的整个范围内的工作条件。在应用程序的全方位的工作条件
必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议。 Y5V和
Z5U电容不推荐在任何LDO使用。
第0版|第20页4
ADP130
绝对最大额定值
表3中。
参数
V
IN
到GND
V
BIAS
到GND
EN到GND
V
OUT
到GND
存储温度范围
工作温度范围
工作结温
焊接温度（焊接， 10秒）
等级
-0.3 V至
+3.6
V
-0.3 V至
+6
V
-0.3 V至
+6
V
0.3 V到V
IN
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
125°C
300°C
结点到环境的热阻（ θ
JA
）的包
是基于使用四层板的建模和计算。
结点至环境热阻高度依赖
上的应用程序和电路板布局。在应用中，高
最大功率耗散存在，密切关注热
电路板设计是必需的。 θ的值
JA
可能会发生变化，这取决于
PCB材料，布局和环境条件。指定
θ的值
JA
是基于一个四层， 4 ×3的电路板。
有关董事会结构的详细信息，请参考JEDEC JESD51-7 。
Ψ
JB
是结到电路板的热特性参数
与℃/单位W的Ψ
JB
包是基于建模和
采用四层板的计算。在JEDEC JESD51-12
文件
准则报告和使用封装的热
资料显示，
说热特性参数
不一样的热阻。 Ψ
JB
测量组件
功率流过多个热路径，而不是一个单一的
通路中，热阻（ θ
JB
） 。因此， Ψ
JB
热路径
包括对流从封装的顶部以及辐射
从包装中，这些因素使得Ψ
JB
在现实世界中更有用
应用程序。最高结温（T
J
）被计算
从电路板温度（T
B
）和功耗（P
D
），利用
下式：
T
J
=
T
B
+ (P
D
×
Ψ
JB
)
请参考JEDEC JESD51-8和JESD51-12文档
关于Ψ更详细的信息
JB
.
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只与所述设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
热数据
绝对最大额定值仅适用于单独，而不是在combi-
国家。该ADP130可能被损坏时的结温
超出限制。监测环境温度不
保证结温是在规定的
温度限制。在高功耗应用
和耐热性较差，最高环境温度
可能需要降额。在中等功率应用
耗散和PCB热阻较低，最高环境
只要温度可能会超过最大限制的结
温度在规定范围内限制。结温
TURE （T
J
）该装置是依赖于环境温度
(T
A
） ，该装置的功耗（P
D
） ，以及结点到
封装环境的热阻（ θ
JA
). T
J
计算
使用下面的公式：
T
J
=
T
A
+ (P
D
× θ
JA
)
热阻
θ
JA
和
JB
对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个
器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。
表4.热阻
套餐类型
5引脚TSOT
θ
JA
170
Ψ
JB
43
单位
° C / W
ESD警告
第0版|第20页5
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