【1.产品特点中等电压和标准电压工作– 2.7 (VCC= 2.7V至5.5V ）汽车级温度范围-40】,IC型号AT93C86A-10SQ-2.7,AT93C86A-10SQ-2.7 PDF资料,AT93C86A-10SQ-2.7经销商,ic,电子元器件-51电子网

1.产品特点

中等电压和标准电压工作

– 2.7 (V

= 2.7V至5.5V ）

汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C

用户可选择的内部组织

- 16K ：2048 ×8或1024×16

3线串行接口

连续读操作

施密特触发器滤波输入抑制噪声

2 MHz的时钟速率（ 5V ）的兼容性

自定时写周期（最大10 ms ）

高可靠性

- 耐力： 100万次擦写循环

- 数据保存：100年

提供无铅/无卤设备

8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装

三线

汽车

温度

串行

EEPROM

16K

（2048× 8或1024×16 ）

2.描述

该AT93C86A提供16384位串行电可擦除可编程的读

只读存储器（ EEPROM ），组织为16位时，每一个ORG引脚1024字

连接到V

和的每一个8位的2048个字时，它被绑定到地。该

装置被用在许多汽车应用中优化的，其中的低功耗和

低电压操作是必不可少的。该AT93C86A可在节省空间的8

导致JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。

表2-1 。

引脚名称

GND

VCC

ORG

AT93C86A

引脚配置

功能

芯片选择

串行数据时钟

串行数据输入

串行数据输出

地

电源

内设机构

不连接

8引脚SOIC

VCC

ORG

GND

8引脚TSSOP

VCC

ORG

GND

该AT93C86A通过片选引脚（ CS ）启用，并通过访问

三线串行接口，包括数据输入（ DI ），数据输出（ DO ），并移

时钟（SK）。在接收到读指令时的DI ，地址解码和

数据同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全

自定时的写操作之前无需单独的擦除周期。写周期仅

当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS带来的“高”

下面的写周期开始时， DO引脚输出的Ready / Busy状态

的部分。该AT93C86A是在2.7V至5.5V的版本。

牧师5096E - SEEPR - 1月8日

绝对最大额定值*

工作温度..................................- 55 ° C至+ 125°C

储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C

任何引脚电压

相对于地面.................................... -1.0V至+ 7.0V

最大工作电压6.25V ..........................................

直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个压力只有评级，并

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性。

图2-1 。

框图

VCC

GND

存储阵列

ORG

2048 x 8

1024 x 16

地址

解码器

数据

模式

解码

逻辑

产量

卜FF器

时钟

发电机

注意：

当ORG引脚连接到VCC时， ×16的组织被选中。当它被连接到地，在x 8组织

被选中。如果ORG引脚悬空，应用程序不会加载输入超过1内部的能力

兆欧上拉，那么x 16组织被选中。

表2-2 。

引脚电容

(1)

适用在推荐的工作范围从T

= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V

= + 5.0V （除非另有说明）

符号

OUT

注意：

测试条件

输出电容（ DO）的

输入电容（ CS ， SK ， DI ）

1.此参数的特点，而不是100％测试。

最大

单位

条件

OUT

= 0V

AT93C86A

5096E–SEEPR–1/08

AT93C86A

表2-3 。

DC特性

推荐参数的适用工作条件：T已

–

40 ° C至+ 125°C ，V

= + 2.7V至+ 5.5V（除非另外

说明）

符号

CC1

CC2

SB1

SB2

IL1

(1)

IH1

(1)

OL1

OH1

注意：

参数

电源电压

电源电流

待机电流

输入漏

输出漏

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 5.0V

= 2.7V

= 5.0V

= 0V至V

2.7V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

= 2.1毫安

= -0.4毫安

2.4

0.6

2.0

读得1.0 MHz

写在1.0兆赫

CS = 0V

测试条件

民

2.7

4.5

0.5

6.0

10.0

0.1

典型值

最大

5.5

2.0

10.0

15.0

3.0

0.8

+ 1

0.4

单位

1. V

分钟和V

最大仅为参考，未经测试。

表2-4 。

AC特性

适用在推荐的工作范围从T

= -40 ° C至+ 125°C ，V

=符合规定，

CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明）

符号

圣公会

SKL

CSS

DIS

CSH

DIH

PD1

PD0

参数

SK时钟

频率

SK高时间

SK低电平时间

最低CS

低电平时间

CS建立时间

DI建立时间

CS保持时间

DI保持时间

输出延迟为“1”

输出延迟为“0”

测试条件

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

相对于SK

AC测试

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

民

250

100

250

500

250

500

典型值

最大

单位

兆赫

5096E–SEEPR–1/08

表2-4 。

AC特性（续）

适用在推荐的工作范围从T

= -40 ° C至+ 125°C ，V

=符合规定，

CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明）

符号

耐力

(1)

参数

CS为有效状态

CS为高DO

阻抗

写周期时间

5.0V ，25°C

测试条件

AC测试

CS = V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

4.5V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

2.7V

≤

5.5V

0.1

民

典型值

最大

250

100

150

单位

写周期

注意：

1.此参数的特点，而不是100％测试。

表2-5 。

指令

读

EWEN

抹去

写

ERAL

WRAL

指令集为AT93C86A

地址

操作码

– A

11XXXXXXXXX

– A

10XXXXXXXXX

01XXXXXXXXX

x 16

– A

11XXXXXXXX

– A

10XXXXXXXX

01XXXXXXXX

– D

数据

x 16

读出存储在存储器中的数据，

在指定的地址。

写使能必须在前面所有

编程模式。

擦除存储单元中的

– A

写入存储单元中的

– A

删除所有存储位置。

只适用于V

= 4.5V至5.5V 。

将所有内存位置。

有效的当V

= 4.5V至5.5V，

禁止寄存器清零。

禁用所有的编程

指令。

EWDS

00XXXXXXXXX

00XXXXXXXX

AT93C86A

5096E–SEEPR–1/08

AT93C86A

3.功能描述

该AT93C86A是通过一个简单的多功能三线式串行通信接口访问。

设备的操作是由主机处理器发出七个指令控制。

一个有效的

指令开始在CS的上升沿

它由一个起始位（逻辑' 1' ），接着的

适当的操作码和所需的存储器地址位置。

读（READ ）：

读（读出）的指令包含用于存储器地址的地址的代码

灰被读取。指令和地址之后被解码时，从所选择的存储器中的数据

位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化都与同步

串行时钟SK上升沿。但是应当注意的是，一个虚拟位（逻辑“0”）之前的8位或

16位的数据输出字符串。该AT93C86A支持顺序读操作。该设备将

自动递增内部地址指针和时钟输出的下一个存储位置

只要CS保持高电平。在这种情况下，哑位（逻辑“0” ），将不会同步输出之间

存储器位置，从而允许连续的数据流被读取。

擦/写（ EWEN ）：

为了保证数据的完整性，器件自动进入

擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写使能（ EWEN ）

指令必须首先被执行的任何编程指令可被执行之前。

请注意，在EWEN状态一次，编程保持启用状态，直到EWDS指令

化执行或V

电源从部分除去。

擦除（ ERASE ）：

擦除（ ERASE ）指令的程序在指定的内存中的所有位

位置为逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始，一旦擦除指令和

地址进行解码。 DO引脚输出部分的Ready / Busy状态，如果CS被

正在保持低了至少250纳秒（T后高

）。为逻辑“1”，引脚DO表明，

选择存储位置已被删除，以及部分已准备好执行下一条指令。

WRITE （写）：

写入（ WRITE）指令包含将要写入的8位或16位数据的

到指定的内存位置。自定时编程周期T

最后一个位后开始

数据在串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出的就绪/忙状态

部分，如果CS正在保持低了至少250纳秒（T之后变为高电平

）。在做一个逻辑“0”

表明编程仍在进行中。为逻辑“ 1”表示在该存储器位置

指定的地址已经写入与包含在指令和数据模式

一部分是准备作进一步的说明。

如果CS是一个READY / BUSY状态不能得到

的自定时编程周期T结束后所带来的高

全部清除（ ERAL ）：

擦除所有（ ERAL ）指令的程序存储器阵列中的每一位

到逻辑“1”状态，并且主要用于测试目的。 DO引脚输出

的一部分，如果CS的Ready / Busy状态被保持低了至少250纳秒后拉高

）。 ERAL指令只适用于V

= 5.0V

10%.

全部写入（ WRAL ）：

写所有（ WRAL ）指令程序的所有内存位置

在指令中指定的数据模式。 DO引脚输出部分，如果的Ready / Busy状态

CS正在保持低了至少250纳秒（T之后变为高电平

）。 WRAL指令是

只适用于V

= 5.0V ± 10%.

擦/写禁止（EWDS ）：

为了防止意外的数据的干扰，

擦除/写禁止（ EWDS ）指令禁止所有的编程模式，并应exe-

所有编程操作后cuted 。的Read指令的操作是独立的

同时埃文和EWDS指令，并可以在任何时间被执行。

5096E–SEEPR–1/08