AND8002/D
代码1.电路识别码
代码2.温度补偿代码
MC标识，现在所拥有的摩托罗拉电路
安森美半导体。 NB标识是电路
安森美半导体推出。 8引脚XC （X
包）标识试制/ Prereliability设备，
和PC （ P于8引脚封装）标识的原型设备。
联系安森美半导体的进一步信息
未发布设备的标记。
有两种温度补偿代码。该
“10”的代码表示该设备的特点是
温度依赖性（参考AND8066 / D转换为附加
信息） 。在“100”的识别码表示
该装置的特点是不依赖于温度的。
代码3.家庭识别码
家识别码显示在
下面的表格。
表1.家族识别码
家庭
ECLinPS
低电压ECLinPS
ECLinPS精简版
ECLinPS精简版翻译
低电压ECLinPS精简版
低电压ECLinPS精简版翻译
ECLinPS加
ECLinPS加翻译
低电压ECLinPS加
GigaComm
ECLinPS MAX
TSSOP8
代码3
不适用
不适用
L
T
V
R
P
A
U
不适用
不适用
SO8
代码3
不适用
不适用
EL
LT
VL
VT
EP
PT
VP
不适用
不适用
BGA
代码3
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
SG
不适用
在8引脚
代码3
E
LVE
EL
ELT
LVEL
LVELT
EP
EPT
LVEP
不适用
6L
代码4.函数类型代码
每个设备分配一个唯一的函数类型标识符。
代码5.大会地点追踪代码
一个字符大会地点溯源码标识的最终组装位置，并显示在
下面的表格。
表2.大会地点溯源码
码5
2
5
9
G（或G5 ）
K
P
R
X
ASECL
AIT
ATP1
ASAT
NSEB
ASEK
OSPI
ASE （韩国）公司
安森美半导体卡莫纳
ON SEMICONDUCTOR SBN
ASE-钟丽（ METL ）
大会现场
高级互连技术
Amkor Technology公司菲律宾
ASAT控股有限公司
位置
巴淡岛，印尼
菲律宾马尼拉
新界，香港
泰国曼谷
汉城
卡莫纳，菲律宾
马来西亚芙蓉
中坜，台湾
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3
AND8002/D
代码6 ：晶圆批次追踪码
代码8.工作周日期代码
使用一个或两个字符晶圆批次的可追溯性
代码是依赖于封装尺寸，并示于
表3.晶圆批次追踪代码结合
随着工作周日期代码提供了独特的晶圆批次
识别。
代码7年日期代码
使用一个或两个字符的工作周日期代码的
取决于封装尺寸和列在表3中。
可追溯性和日期代码表
使用一个或两个字符年份日期代码是
取决于封装尺寸和表3所示。
的编码，并为每个可用的包的示例
类型被示于表3 。另外，更小的包使用
对于“年” ，和一个单字符的字母代码
1个字符的字母代码为“工作周” 。阿尔法
代码被破译在表4中。
表3.可追溯性和日期代码标记和范例
溯源码
包
CDIP16
例子
EIAJ SO- 14
例子
FCBGA16
例子
LQFP -32 ， LQFP -52 ， LQFP -64
例子
PLCC - 20 ， PLCC -28
例子
QFN - 10 ， QFN- 24
例子
SO8
例子
SO16
例子
SO20
例子
TSSOP - 8 ， TSSOP -16 ， TSSOP -20
例子
汇编代码
（代码5 ）
A
5
ATP1
A
X
ASE CL
无
K
ASE
A
X
ASE CL
A
P
OSPI
A
9
ASAT
A
X
ASE CL
A
X
ASE CL
A
2
AIT
A
5
ATP1
晶圆地段
（代码6 ）
WL
AA
第一批
L
B
第二批
L
A
第一批
WL
AA
第一批
WL
AA
第一批
L
B
第二批
L
B
第二批
WL
AA
第一批
WL
AA
第一批
L
B
第二批
YEAR
（代码7 ）
YY
96
1996
Y
B
2002年年底
Y
B
2002年年底
YY
96
1996
YY
96
1996
Y
B
2002年年底
Y
B
2002年年底
Y
B
2002年年底
YY
96
1996
Y
B
2002年年底
日期代码
工作周
（ 8码）
WW
46
第46周
W
T
第46周
W
T
第46周
WW
46
第46周
WW
46
第46周
W
T
第46周
W
T
第46周
WW
46
第46周
WW
46
第46周
W
T
第46周
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4
MC10EP08 ， MC100EP08
3.3V / 5V ECL 2输入
差XOR / XNOR
描述
在MC10 / 100EP08是差分异或/异或非门。该EP08是
适用于需要以最快的AC性能可用的应用程序。
100系列包含温度补偿。
特点
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标记DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
8
HEP08
ALYWG
G
8
KEP08
ALYWG
G
250 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
这些无铅器件
1
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP08
ALYWG
G
1
8
KP082
ALYWG
G
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5J
2Y
D
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
=日期代码
1 5J DG
G
4
1 2Y DG
G
4
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
启示录6
1
出版订单号：
MC10EP08/D
MC10EP08 ， MC100EP08
表1.引脚说明
D0
1
8
V
CC
针
D0, D1, D0, D1
Q, Q
V
CC
D0
2
7
Q
V
EE
EP
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
（仅DFN8 ）热裸露焊盘
必须连接到一个足够
热导管。电气连接
到负电源端（GND ）或
悬空，漂浮开放。
D1
3
6
Q
表2.真值表
D0*
D1
4
5
V
EE
L
L
H
H
D1*
L
H
L
H
D0**
H
H
L
L
D1**
H
L
H
L
Q
L
H
H
L
Q
H
L
L
H
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为V的0.666 ％
CC
当处于打开状态。
价值
75千瓦
37.5千瓦
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
135设备
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2
MC10EP08 ， MC100EP08
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
q
JC
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
<2 3秒@ 260℃
（注2 ）
DFN8
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
35至40
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
° C / W
热阻（结到外壳）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准多层电路板
2S2P （ 2信号， 2个电源）
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注5 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
28
2290
1490
最大
36
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
150
民
20
2230
1430
2155
1430
2.0
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
38
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
150
民
20
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
32
2415
1615
最大
38
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
4.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP08 ， MC100EP08
表6. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分结构） （注8）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
28
3940
3190
最大
36
4115
3315
4115
3390
5.0
150
0.5
150
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
38
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
150
民
20
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
32
4115
3315
最大
38
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
7.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表7. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
VOH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
1135
1935
1210
1935
V
EE
+ 2.0
典型值
28
1010
1810
最大
36
885
1685
885
1610
0.0
民
20
1070
1870
1145
1870
V
EE
+ 2.0
25°C
典型值
30
945
1745
最大
38
820
1620
820
1545
0.0
民
20
1010
1810
1085
1810
V
EE
+ 2.0
85°C
典型值
32
885
1685
最大
38
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP08 ， MC100EP08
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注14 ）
输入高电流
把低电流
D
D
0.5
150
民
20
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
28
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
20
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
30
2280
1480
最大
38
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
20
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
32
2280
1480
最大
40
2405
1605
2420
1675
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
13.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表9. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
28
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
20
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
30
3980
3180
最大
38
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
20
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
32
3980
3180
最大
40
4105
3305
4120
3375
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
16.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
QQ：2881677436 复制
