【特点单电压操作- 5V阅读- 5V重新编程快速读取访问时间 - 55纳秒内部控制程序和定时器部门架构】,IC型号AT49F002T-12VC,AT49F002T-12VC PDF资料,AT49F002T-12VC经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压操作

- 5V阅读

- 5V重新编程

快速读取访问时间 - 55纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 四个主内存块（一个32K字节，三个64K字节）

快速擦除周期时间 - 4秒

逐字节编程 - 20微秒/字节典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 25毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

典型万次擦写循环

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

2-megabit

（ 256K ×8 ）

5伏只有

FL灰内存

AT49F002A

AT49F002AN

AT49F002AT

AT49F002ANT

1.描述

该AT49F002A （ N）（ T）是一个5伏只在系统内可编程闪存。其

2兆比特的存储器由8位， 262144字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间

55 ns的只有137毫瓦在工业温度范围内的功率耗散。

当设备被选中，则CMOS待机电流小于100 μA 。为

在AT49F002AN （T ）引脚1为PLCC封装和引脚9为TSOP封装的

无连接引脚。

以允许简单的系统重新编程，该AT49F002A （N）（T），不

需要高输入电压进行编程。五伏，只命令确定

阅读和器件的编程操作。读出的数据的设备是SIM-

ILAR从一个EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免公交车

争。重新编程的AT49F002A （N）（T），是通过擦除的块进行

数据，然后编程一个字节逐字节的基础。字节编程时间是

快20微秒。一个程序周期结束可以通过数据查询有选择地检测

功能。一旦一个字节的程序循环结束时被检测到，一个新的接入

读或编程可以开始。程序的典型数目和擦除周期是在

超过10,000次。

该设备通过执行擦除命令序列擦除;设备间

应受控制的擦除操作。有两个8K字节参数块部分，

四个主要的存储器块，并且一个引导块。

该设备具有保护在引导块中的数据的功能;此功能

通过一个命令序列启用。在16K字节的引导块部分包括重现

编程锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区被设计成

包含用户的安全代码，当启用该功能，引导扇区是亲

被重新编程tected 。

3354F–FLASH–2/05

在AT49F002A （ N）（ T），一旦引导块编程锁定功能被启用，犯人

引导块的帐篷是永久性的，不能改变。在AT49F002A （T）的，一旦

引导块编程锁定功能被启用，引导块中的内容不能

改变与5.5伏或更低的输入电平。

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A17

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

2.1

PLCC顶视图

A12

A15

A16

RESET *

VCC

A17

2.2

VSOP （ 8 ×14毫米）或TSOP 1型（ 8 ×20月） - 顶视图

A11

A13

A14

A17

VCC

* RESET

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

注意：

*此引脚为NC上AT49F002AN （T ）。

AT49F002A(N)(T)

3354F–FLASH–2/05

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

AT49F002A(N)(T)

3.框图

AT49F002A(N)

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

VCC

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

主内存

4座

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

3FFFF

AT49F002A(N)T

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

4座

（ 64K字节）

3C000

3BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

X解码器

30000

2FFFF

20000

1FFFF

3A000

39FFF

10000

0FFFF

38000

37FFF

08000

07FFF

30000

2FFFF

06000

05FFF

20000

1FFFF

04000

03FFF

00000

10000

0FFFF

00000

4，设备操作

4.1

读

该AT49F002A （N）（ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行

控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

4.2

命令序列

当设备首次通电时，它会被复位到读或取决于待机模式

控制线路输入状态。为了执行其它设备的功能，一系列的COM的

命令序列被输入到设备中。命令序列示于

命令定义表。命令序列被写入通过应用低脉冲上

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置

命令序列不受输入命令序列。

3354F–FLASH–2/05

4.3

RESET

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑

高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平将暂停

本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中编程或擦除操作，该操作

可能无法成功完成并且操作将具有经过高水平的重复

被施加到复位引脚。当一个高级别重申RESET引脚上，该装置

返回到读或待机模式时，根据控制输入的状态。通过应用

一个12V ± 0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列可即使被重新编程

引导块锁定功能已启用（见引导块编程超额锁定

乘坐部）。重置功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.4

删除

前一个字节可以被重新编程，主存储器块或参数块，其中包含

字节必须被擦除。的存储器位的擦除状态是逻辑“1”。整个装置

可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该软件芯片擦除代码CON-

的6个字节的负载的命令来与特定的数据模式，具体地址位置sists （请

指的是芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作

化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个芯片

为t

。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

4.4.1

芯片擦除

如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除参数

块1 ，参数2座，主内存模块1-4 ，但不引导块。如果引导块

锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。经过充分

芯片擦除设备将返回到读取模式。在芯片擦除任何命令会

忽略不计。

4.4.2

扇区擦除

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分和四个主存储器块。该8K-

字节参数块部分和四个主存储器块可独立擦除的

和重新编程。扇区擦除命令是六总线周期的操作。部门

地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘，而30H数据输入的命令是

锁定在WE的上升沿。之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。

AT49F002A(N)(T)

3354F–FLASH–2/05

AT49F002A(N)(T)

4.5

字节编程

一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节

的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作

可以将“0”到“1” 。编程是通过器件内部的命令寄存器来实现的

和是一个4总线周期的操作（请参考命令定义的表）。该设备将

自动生成所需的内部编程脉冲。

程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。程序设计

指定的T完成后

周期时间。的数据查询功能，也可以使用以

表明一个程序循环的结束。

4.6

引导块编程锁定

该装置具有一个具有编程锁定功能，一个指定的块。此功能前

通风口在指定的块数据的程序，一旦该功能被启用。大小

块为16K字节。此块中，被称为引导块，可包含安全的代码

用于调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在

装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能没有被激活;

引导块的用法作为写保护区是任选的给用户。地址范围

引导块是00000至03FFF为AT49F002A （N），而靴子的地址范围

块3C000至3FFFF的AT49F002A （N ）T 。

一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被擦除或编程

与5.5V或更低的输入电压电平。在主存储器中的块的数据仍然可以被改变

通过定期的编程方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲

克命令，可与特定数据的特定地址必须被执行。请参阅

命令定义表。

4.6.1

BOOT BLOCK闭锁检测

软件的方法是可用的，以确定是否在引导块部分的编程被锁定

出。当该装置是在软件产品标识模式（参见软件产品iDEN的

tification入口和出口部分），从地址位置00002H读，如果节目将展现

引导块被锁定为AT49F002A （ N）和从地址位置3C002H一个读

将显示是否编程引导块被锁定为AT49F002A （N ）T 。如果我的数据/ O0是

低时，引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能

已被激活，并且该块不能被编程。软件产品标识

退出代码应使用以返回到标准操作。

引导块编程锁定覆盖

用户可以通过采取RESET引脚到12伏重写引导区规划锁定。

通过这样做，保护的引导块中的数据可以通过一个芯片擦除，扇区擦除被改变或

字编程。当RESET引脚被带回TTL电平的引导块编程

铭锁定功能是反复活跃。此功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.6.2

3354F–FLASH–2/05

特点

单电压操作

- 5V阅读

- 5V重新编程

快速读取访问时间 - 55纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 四个主内存块（一个32K字节，三个64K字节）

快速擦除周期时间 - 4秒

逐字节编程 - 20微秒/字节典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 25毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

典型万次擦写循环

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

2-megabit

（ 256K ×8 ）

5伏只有

FL灰内存

AT49F002A

AT49F002AN

AT49F002AT

AT49F002ANT

1.描述

该AT49F002A （ N）（ T）是一个5伏只在系统内可编程闪存。其

2兆比特的存储器由8位， 262144字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间

55 ns的只有137毫瓦在工业温度范围内的功率耗散。

当设备被选中，则CMOS待机电流小于100 μA 。为

在AT49F002AN （T ）引脚1为PLCC封装和引脚9为TSOP封装的

无连接引脚。

以允许简单的系统重新编程，该AT49F002A （N）（T），不

需要高输入电压进行编程。五伏，只命令确定

阅读和器件的编程操作。读出的数据的设备是SIM-

ILAR从一个EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免公交车

争。重新编程的AT49F002A （N）（T），是通过擦除的块进行

数据，然后编程一个字节逐字节的基础。字节编程时间是

快20微秒。一个程序周期结束可以通过数据查询有选择地检测

功能。一旦一个字节的程序循环结束时被检测到，一个新的接入

读或编程可以开始。程序的典型数目和擦除周期是在

超过10,000次。

该设备通过执行擦除命令序列擦除;设备间

应受控制的擦除操作。有两个8K字节参数块部分，

四个主要的存储器块，并且一个引导块。

该设备具有保护在引导块中的数据的功能;此功能

通过一个命令序列启用。在16K字节的引导块部分包括重现

编程锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区被设计成

包含用户的安全代码，当启用该功能，引导扇区是亲

被重新编程tected 。

3354F–FLASH–2/05

在AT49F002A （ N）（ T），一旦引导块编程锁定功能被启用，犯人

引导块的帐篷是永久性的，不能改变。在AT49F002A （T）的，一旦

引导块编程锁定功能被启用，引导块中的内容不能

改变与5.5伏或更低的输入电平。

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A17

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

2.1

PLCC顶视图

A12

A15

A16

RESET *

VCC

A17

2.2

VSOP （ 8 ×14毫米）或TSOP 1型（ 8 ×20月） - 顶视图

A11

A13

A14

A17

VCC

* RESET

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

注意：

*此引脚为NC上AT49F002AN （T ）。

AT49F002A(N)(T)

3354F–FLASH–2/05

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

AT49F002A(N)(T)

3.框图

AT49F002A(N)

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

VCC

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

主内存

4座

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

3FFFF

AT49F002A(N)T

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

4座

（ 64K字节）

3C000

3BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

X解码器

30000

2FFFF

20000

1FFFF

3A000

39FFF

10000

0FFFF

38000

37FFF

08000

07FFF

30000

2FFFF

06000

05FFF

20000

1FFFF

04000

03FFF

00000

10000

0FFFF

00000

4，设备操作

4.1

读

该AT49F002A （N）（ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行

控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

4.2

命令序列

当设备首次通电时，它会被复位到读或取决于待机模式

控制线路输入状态。为了执行其它设备的功能，一系列的COM的

命令序列被输入到设备中。命令序列示于

命令定义表。命令序列被写入通过应用低脉冲上

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置

命令序列不受输入命令序列。

3354F–FLASH–2/05

4.3

RESET

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑

高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平将暂停

本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中编程或擦除操作，该操作

可能无法成功完成并且操作将具有经过高水平的重复

被施加到复位引脚。当一个高级别重申RESET引脚上，该装置

返回到读或待机模式时，根据控制输入的状态。通过应用

一个12V ± 0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列可即使被重新编程

引导块锁定功能已启用（见引导块编程超额锁定

乘坐部）。重置功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.4

删除

前一个字节可以被重新编程，主存储器块或参数块，其中包含

字节必须被擦除。的存储器位的擦除状态是逻辑“1”。整个装置

可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该软件芯片擦除代码CON-

的6个字节的负载的命令来与特定的数据模式，具体地址位置sists （请

指的是芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作

化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个芯片

为t

。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

4.4.1

芯片擦除

如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除参数

块1 ，参数2座，主内存模块1-4 ，但不引导块。如果引导块

锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。经过充分

芯片擦除设备将返回到读取模式。在芯片擦除任何命令会

忽略不计。

4.4.2

扇区擦除

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分和四个主存储器块。该8K-

字节参数块部分和四个主存储器块可独立擦除的

和重新编程。扇区擦除命令是六总线周期的操作。部门

地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘，而30H数据输入的命令是

锁定在WE的上升沿。之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。

AT49F002A(N)(T)

3354F–FLASH–2/05

AT49F002A(N)(T)

4.5

字节编程

一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节

的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作

可以将“0”到“1” 。编程是通过器件内部的命令寄存器来实现的

和是一个4总线周期的操作（请参考命令定义的表）。该设备将

自动生成所需的内部编程脉冲。

程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。程序设计

指定的T完成后

周期时间。的数据查询功能，也可以使用以

表明一个程序循环的结束。

4.6

引导块编程锁定

该装置具有一个具有编程锁定功能，一个指定的块。此功能前

通风口在指定的块数据的程序，一旦该功能被启用。大小

块为16K字节。此块中，被称为引导块，可包含安全的代码

用于调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在

装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能没有被激活;

引导块的用法作为写保护区是任选的给用户。地址范围

引导块是00000至03FFF为AT49F002A （N），而靴子的地址范围

块3C000至3FFFF的AT49F002A （N ）T 。

一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被擦除或编程

与5.5V或更低的输入电压电平。在主存储器中的块的数据仍然可以被改变

通过定期的编程方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲

克命令，可与特定数据的特定地址必须被执行。请参阅

命令定义表。

4.6.1

BOOT BLOCK闭锁检测

软件的方法是可用的，以确定是否在引导块部分的编程被锁定

出。当该装置是在软件产品标识模式（参见软件产品iDEN的

tification入口和出口部分），从地址位置00002H读，如果节目将展现

引导块被锁定为AT49F002A （ N）和从地址位置3C002H一个读

将显示是否编程引导块被锁定为AT49F002A （N ）T 。如果我的数据/ O0是

低时，引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能

已被激活，并且该块不能被编程。软件产品标识

退出代码应使用以返回到标准操作。

引导块编程锁定覆盖

用户可以通过采取RESET引脚到12伏重写引导区规划锁定。

通过这样做，保护的引导块中的数据可以通过一个芯片擦除，扇区擦除被改变或

字编程。当RESET引脚被带回TTL电平的引导块编程

铭锁定功能是反复活跃。此功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.6.2

3354F–FLASH–2/05