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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1026页 > ADN2850ACP250
初步的技术数据
a
初步的技术数据
特点
双通道， 1024位分辨率
25K ， 250K欧姆满量程电阻
低温度系数 - 为35ppm /°C的
非易失性存储器
1
预设保持雨刮器设置
游标设置回读
线性递增/递减
登录锥度递增/递减
SPI兼容串行接口
+ 3V至+ 5V单电源或± 2.5V双电源
26个字节的用户非易失性存储器常量存储与
电流监控功能的配置
应用
SONET ， SDH ， ATM ，千兆以太网， DWDM激光二极管
驱动光监控系统
非易失性内存，双通道1024
位置可编程电阻器
ADN2850
功能框图
CS
CLK
SDI
SDO
串行
IN PUT
REG IS TE
地址
解码
RDAC1
注册
W1
EEMEM1
RDAC1
B1
PR
PWR ON
预设
RDAC2
注册
W2
WP
RDY
EEMEM
斑竹
EEMEM2
RDAC1
B2
V DD
V SS
26个字节
USER EEMEM
光凭目前
MONITOR
I1
V1
概述
该ADN2850提供了双通道，数字控制
可编程电阻器
2
在1024的位置分辨率。这些
设备执行相同的电子调整功能作为
机械变阻器。该ADN2850的通过多功能编程
标准串行接口允许操作16模式
调整包括便笺式编程，内存存储
和检索，递增/递减，登录锥度调整，雨刮器
设置回读，和额外的用户定义EEMEM 。
在高速暂存编程模式下，一个特定的设置可
直接编程至RDAC
2
寄存器，它设置
终端的W-和-B之间的电阻。该RDAC寄存器
还可以加载与先前存储在EEMEM一个值
1
注册。在EEMEM的值是可以改变的或受保护的。
更改时至RDAC寄存器，新的价值
设置可以被保存到EEMEM 。此后，这样的价值会
将系统中自动传送到寄存器RDAC
电源。它是由内部预设选通脉冲使能。 EEMEM可以
还可以通过直接编程和外部预设检索
引脚控制。
其它主要运营模式，包括线性步增量，
递减命令，使得在所述RDAC寄存器的设定
可以向上或向下移动，一步一个脚印的时间。对数
改变抽头设置，一个左/右移位指令调整
在范围在±6dB步级。
该ADN2850是在采用5mm x 5mm LFCSP - 16引脚可用
架构芯片级和超薄型TSSOP- 16封装。所有部分都
保证工作在扩展工业级温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
I2
V2
GND
100%
RW B （D ）的完整的Sca乐RW B％ ]
75%
50%
25%
0%
0
256
512
- 在德CIM人C 0 D E
768
1023
图1。R
WB
（四）与十进制码
注意事项：
1.
术语非易失性存储器和EEMEM被interchangebly使用
2.
术语可编程电阻和RDAC这些interchangebly使用
REV公屋， 13 ， 2001年8月
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用;也为专利的任何侵犯或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O.盒9106 ，
诺伍德，MA 02062-9106 ü
.
S
.
A
.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
初步的技术数据
非易失性存储器可编程电阻器
-40°C <牛逼
A
< + 85°C ，除非另有说明
12
.)
ADN2850
1
电气特性25K ， 250K OHM VERSIONS
(V
DD
= + 3V至+ 5.5V和，
参数
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
电阻温度系数
滑动端电阻
通道电阻匹配
标称电阻容差
电阻端子
终端电压范围
3
电容
4
Bx
5
符号
R- DNL
R- INL
R
WB
/T
R
W
R
WB
/R
WB
R
WB
V
W，B
C
B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
DD （ PG ）
I
DD （ READ ）
I
SS
P
DISS
PSS
I
1
I
2
e
N_WB
C
T
条件
R
WB
R
WB
V
DD
= + 5V ，我
W
= 1V / R
WB
V
DD
= + 3V ，我
W
= 1V / R
WB
通道1和2 R
WB
，的Dx = 3FF
H
DX = 3FF
H
民
-2
-4
典型值
最大
+2
+4
单位
最低位
最低位
PPM /°C的
%
%
V
pF
pF
A
V
V
V
V
V
V
V
V
A
pF
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
2
35
50
200
0.2
-30
V
SS
100
30
V
DD
8
80
0.01
1
F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级
F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级
V
W
= V
B
= V
DD
/2
相对于GND ，V
DD
= 5V
相对于GND ，V
DD
= 5V
相对于GND ，V
DD
= 3V
相对于GND ，V
DD
= 3V
相对于GND ，V
DD
= +2.5V, V
SS
=-2.5V
相对于GND ，V
DD
= 5V, V
SS
=-2.5V
R
引体向上
= 2.2KΩ到+ 5V
I
OL
= 1.6毫安，V
逻辑
= +5V
V
IN
= 0V或V
DD
2.4
电容
4
Wx
共模漏电流
数字输入输出&
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平（ SDO ， RDY ）
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
4
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
编程模式电流
阅读模式电流
负电源电流
功耗
6
电源灵敏度
电流监控端子
吸电流在V
17
吸电流在V
2
动态特性
4, 8
电阻的噪声频谱密度
模拟串扰（C
W1
/C
W2
)
注：请参阅表下页的底部。
0.8
2.1
0.6
2.0
0.5
4.9
0.4
±1
5
V
SS
= 0V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，V
DD
= 2.5V, V
SS
= -2.5V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
= +5V ±10%
3.0
±2.25
2
35
3
2
6
0.002
0.0001
5.5
±2.75
20
V
V
A
mA
mA
A
W
%/%
mA
mA
nV√Hz
dB
20
110
0.01
10
10
R
WB_FS
= 25K
/
250KΩ ，T
A
= 25
o
C
V
B1
= V
B2
= 0V ，实测V
W1
同
V
W2
= 100 mV的P-P @ F = 100 kHz时，代码
1,2
= 200
H
20 / 64
-65
REV公屋， 13 ， 2001年8月
2
初步的技术数据
非易失性存储器可编程电阻器
-40°C <牛逼
A
< + 85°C ，除非另有说明
12
.)
ADN2850
1
电气特性25K ， 250K OHM VERSIONS
(V
DD
= + 3V至+ 5.5V和，
参数
时钟周期时间（T
CYC
)
CS
建立时间
CLK关机时间
CS
上升
输入时钟脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
CS
到SDO - SPI线采集
CS
到SDO - SPI线发布
CLK到SDO传输延迟
10
CLK为SDO数据保持时间
CS
高脉冲宽度
CS
高
CS
高
RDY崛起
CS
秋天
CS
上升到RDY下降时间
读取/保存到非易失性EEMEM
11
CS
上升到时钟边沿设置
预置脉冲宽度（异步）
预置的响应时间RDY高
Flash / EE存储器可靠性
13
耐力
数据保留
14
注意事项：
1.
2.
标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V
DD
= +5V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。 R- DNL测量
相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。我
W
50uA的为V
DD
= + 2.7V和我
W
400UA为V
DD
= + 5V 。见测试电路如图XXXX
电阻端子W，B对极性没有限制，相对于彼此。
通过设计保证，不受生产测试。
共模漏电流是从任何终端B和W与V的共模偏置电平的DC泄漏的量度
DD
/ 2.
P
DISS
从（我计算
DD
X V
DD
) + (I
SS
X V
SS
)
适用于光接收机的光电二极管。
所有的动态特性采用V
DD
= + 5V和V
SS
= 0V
看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定
R
=t
F
=为2.5ns （10％至90％为3V ），并在1.5V的电压电平的定时。开关特性
同时使用V测量
DD
= + 3V和+ 5V 。
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
PULL -UP
和C
L
看到应用程序的文本。
RDY引脚只对指令2， 3，8 ，9，10低，并且
PR
硬件脉冲： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.1毫秒; CMD_2,3 20毫秒。在T设备操作
A
=-40
o
& VDD< + 3V延长保存时间
要为35ms 。
零部件可以在+ 2.7V单电源供电，除了从0
o
C至-40
o
C，其中最小的+ 3V需要
该ADN2850包含16000个晶体管。模具尺寸： 100万×150万， 10,500平方密耳。
保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能与接线减免保留一辈子
如在本数据手册的Flash / EE存储器描述部分图XXX温度。
符号
t
1
t
2
t
3
t
4
, t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
12
t
13
t
14
t
15
t
16
t
17
t
PRW
t
PRESP
条件
民
20
10
1
10
5
5
典型值
最大
单位
ns
ns
t
CYC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CYC
s
ms
ms
ns
ns
us
周期
岁月
接口时序特性适用于所有的零部件（注4,9 ）
时钟电平高或低
从积极CLK转型
从积极CLK转型
R
P
= 2.2KΩ ，C
L
< 20pF的
R
P
= 2.2KΩ ，C
L
< 20pF的
6
34
34
0
10
4
0
40
100
100
1
0.11
25
适用于命令2
H
, 3
H
, 9
H
未显示在时序图
PR
低脉冲，以刷新抽头
10
50
70
100,000
100
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV公屋， 13 ， 2001年8月
3
初步的技术数据
非易失性存储器可编程电阻器
时序图
CPHA = 1
ADN2850
t
12
CS
t
3
CLK
CPOL=1
t
2
t
5
t
8
t
10
t
1
t
4
t
10
t
11
t
13
t
17
t
9
SDO
*
最高位
t
7
t
6
LSB OUT
SDI
最高位
最低位
t
14
t
15
RDY
*
*
注：没有定义，但通常LSB
性格先前发射的。该CPOL = 1微
注：没有定义，但通常LSB的
字符的先前发送
为了完全符合的CPHA = 1时，应使用CPOL = 1模式
时钟。
控制器命令输入的数据对齐到的上升沿
换挡时更多
比8位一起作为
（C S）
线可以保持低（可用于菊花链） 。处理
一个串行命令将不会发生，直到
（C S）
返回高电平。该CPOL = 0微
控制器命令输入的数据对齐到所述时钟的正边缘。
t
16
图2A 。 CPHA = 1时序图
CPHA = 0
CS
t
1
t
3
t
5
t
10
t
11
t
9
t
12
t
2
t
4
t
8
t
13
t
17
t
11
CLK
CPOL=0
SDO
MSB OUT
t
7
t
6
最低位
*
SDI
t
14
在MSB
最低位
t
15
t
16
RDY
注：没有定义，
但性格通常MSB刚刚收到。
*
*注：没有定义，
但通常只接收到的字符的最高位
该CPOL = 0的微控制器
CS
可以保持低
输入的数据到的上升沿
多个字节;
命令对齐
为CPHA = 0 ， CPOL = 0之间的模式
时钟。
然而，这是不严格的SPI兼容。该CPOL = 0的微控制器
命令对齐，输入的数据在时钟的正边缘。
图2B中。 CPHA = 0时序图
REV公屋， 13 ， 2001年8月
4
初步的技术数据
非易失性存储器可编程电阻器
绝对最大额定值
1
(
T
A
= + 25 ° C，除非
另有说明）
V
DD
到GND ................................................ ............- 0.3V ， + 7V
V
SS
到GND ................................................ ............ + 0.3V ， -7V
V
DD
到V
SS
.........................................................................+7V
V
B
, V
W
到GND ..................................... V
SS
-0.3V, V
DD
+0.3V
B
X
– W
X
.................................................. ..................... ± 20毫安
断断续续的
2
.................................................. ± 20毫安
连续................................................. .. ± 1.3毫安
数字输入&输出电压GND .....- 0.3V ，V
DD
+0.3V
工作温度范围
3
........................ -40 ° C至+ 85°C
最高结温（T
j max的情况
)...................+150°C
存储温度...................................... -65 ° C至+ 150°C
焊接温度，焊接
4
气相（ 60秒） ....................................... + 215℃
红外（ 15秒） ............................................. .. + 220℃
热阻结到环境
θ
JA ，
LFCSP - 16 ............................................... ......... 35 ° C / W
ADN2850
TSSOP- 16 ............................................... ...... 150 ° C / W
热阻结到外壳
θ
JC ，
LFCSP - 16 ............................................... ..............待定
TSSOP- 16 ............................................... ........ 28 ° C / W
封装功耗= （ TJMAX - TA ） /
θ
JA
笔记
1 ，超出上述绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级;实用
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
本规范的业务部门所列出的是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
2.最大端的电流的最大电流为界
处理开关，封装的最大功耗，
在任意两个B的最大施加电压，和W端子
在一个给定的电阻。
3.包括的非易失性存储器编程
4.适用于采用TSSOP- 16只。对于LFCSP - 16 ，请咨询厂家
查看详细
订购指南
模型
ADN2850ACP25
ADN2850ACP25-RL7
R
WB
（千欧）
25
25
RDNL
（ LSB ）
±2
±2
RINL
（ LSB ）
±4
±4
温度
范围
-40/+85°C
-40/+85°C
包
描述
LFCSP-16
LFCSP-16
1500件
7 “卷轴
LFCSP-16
LFCSP-16
1500件
7 “卷轴
TSSOP-16
TSSOP-16
1000件
7 “卷轴
包
选项
CP-16
CP-16
顶标*
ACP25
ACP25
ADN2850ACP250
ADN2850ACP250-RL7
250
250
±2
±2
±4
±4
-40/+85°C
-40/+85°C
CP-16
CP-16
ACP250
ACP250
ADN2850ARU25
ADN2850ARU25-REEL7
25
25
±2
±2
±4
±4
-40/+85°C
-40/+85°C
RU-16
RU-16
ARU25
ARU25
*第1行中包含ADI公司的标志符号和日期代码YYWW ，第2行中包含的产品数量ADN2850 ， 3号线的品牌包含了部分类型的详细区分，行
4包含批号。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADN2850具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
REV公屋， 13 ， 2001年8月
5
a
非易失性存储器，双
1024位可编程电阻器
ADN2850
*
功能框图
ADN2850
CS
CLK
SDI
SDO
PR
WP
RDY
V
DD
V
SS
GND
PWR ON
预设
EEMEM
控制
EEMEM2
RDAC2
I
1
当前
MONITOR
I
2
串行
接口
EEMEM1
RDAC1
ADDR
解码
RDAC1
注册
W1
B1
特点
双通道， 1024位分辨率
25 K， 250 ■全面，规模性
低温度系数： 35 PPM / C
非易失性存储器
1
预设保持雨刮器设置
永久存储器写保护
游标设置回读
实际公差存储在EEMEM
1
线性递增/递减
登录锥度递增/递减
SPI兼容串行接口
3 V至5 V单电源或2.5 V双电源供电
26字节用户非易失性存储器常量存储
电流监控功能的配置
100年的典型数据保留牛逼
A
= 55 C
应用
SONET ， SDH ， ATM ，千兆以太网， DWDM激光器
二极管驱动器光监控系统
概述
RDAC2
注册
W2
B2
26个字节
USER EEMEM
V
1
V
2
RWB （ D） - ％的满量程
WB
该ADN2850提供了双通道，数字控制编程
梅布尔电阻
2
在1024的位置分辨率。这些设备
执行相同的电子调整功能作为机械
变阻器具有增强的分辨率，固态可靠性，并
出色的低温度系数性能。该ADN2850的
通过标准串行接口通用的编程允许
16种操作模式和调整，包括便笺亲
编程，记忆存储和检索，递增/递减，
登录锥度调整，抽头设置回读，和额外的用户
定义EEMEM
1
.
该ADN2850的另一个关键特征是，实际的公差
被存储在EEMEM 。实际的满量程电阻可以
因此，公知的，这是因为容差匹配的宝贵
和校准。
在高速暂存编程模式下，一个特定的设置可
直接编程至RDAC
2
寄存器，它设置电阻
终端W和B的RDAC寄存器之间tance还可以
加载与预先存储在EEMEM寄存器的值。
在EEMEM的值是可以改变的或受保护的。当
更改至RDAC寄存器作出新的价值
设置可以被保存到EEMEM 。此后，这样的价值会
将系统中自动传送到寄存器RDAC
电源ON时，它是由内部预设选通脉冲使能。
EEMEM也可以通过直接的编程检索和
外部预设引脚控制。
*专利
PENDING
笔记
1
2
100
75
50
25
0
0
256
512
CODE - 十进制
768
1023
图1。R
WB
（四）与十进制码
直线步递增和递减命令启用
在RDAC寄存器的设置来进行向上或向下移动，一步到位
的时间。对于抽头设置对数的变化，左/右
位移位指令调整的级别
±
6分贝步骤。
该ADN2850是在5mm×5mm的16引脚框芯片可用
规模LFCSP和薄16引脚TSSOP封装。所有部分都
保证工作在扩展工业级温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
术语非易失性存储器和EEMEM可互换使用。
术语可编程电阻器和RDAC可互换使用。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADN2850–SPECIFICATIONS
电气特性25 K， 250
参数
符号
条件
版本
(V
DD
= 3 V至5.5 V和-40℃ <牛逼
A
< + 85℃ ，
除非另有说明）。
1
民
–2
–4
35
50
200
0.1
–30
V
SS
+30
V
DD
11
80
0.01
2.4
0.8
2.1
0.6
2.0
0.5
4.9
0.4
±
2.25
5
±
2
100
典型值
2
最大
+2
+4
单位
最低位
最低位
PPM /°C的
%
%
V
pF
pF
A
V
V
V
V
V
V
V
V
A
pF
V
V
A
A
mA
mA
A
W
%/%
mA
mA
纳伏/赫兹÷
直流特性变阻器模式（规格适用于所有RDACs ）
R- DNL
R
WB
电阻微分非线性
3
电阻积分非线性
3
R- INL
R
WB
电阻温度COEF网络cient
R
WB
/
T
V
DD
= 5 V，I
W
= 100
A,
滑动端电阻
R
W
代码=半刻度
V
DD
= 3 V，I
W
= 100
A,
代码=半刻度
通道电阻匹配
R
WB
/R
WB
通道1和2 R
WB
，的Dx = 3FF
H
标称电阻容差
R
WB
电阻端子
终端电压范围
4
电容
5
Bx
电容蜡质
共模漏电流
6
5
V
W，B
C
B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
DD
I
DD （ PG ）
I
DD （ XFR ）
I
SS
P
DISS
P
SS
I
1
I
2
e
N_WB
C
T
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=半刻度
V
W
= V
B
= V
DD
/2
相对于GND ，V
DD
= 5 V
相对于GND ，V
DD
= 5 V
相对于GND ，V
DD
= 3 V
相对于GND ，V
DD
= 3 V
相对于GND ，
V
DD
= +2.5 V, V
SS
= –2.5 V
相对于GND ，
V
DD
= +2.5 V, V
SS
= –2.5 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ至5 V
I
OL
= 1.6毫安， V
逻辑
= 5 V
V
IN
= 0 V或V
DD
数字输入和输出
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平（ SDO ， RDY ）
输出逻辑低电平
输入电流
输入电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
正电源电流
编程模式电流
阅读模式电流
7
负电源电流
功耗
电源灵敏度
电流监控端子
吸电流在V
19
吸电流在V
2
动态特性
5, 10
电阻的噪声频谱密度
模拟串扰（C
W1
/C
W2
)
8
V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，
T
A
= 25
o
C
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，
V
DD
= +2.5 V, V
SS
= –2.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
= 5 V
±
10%
3.0
±
2.25
2
3.5
35
3
3.5
18
0.002
0.0001
5.5
±
2.75
4.5
6.0
9
6.0
50
0.01
10
10
20/64
0.3
R
WB_FS
= 25千欧/ 250千欧， F = 1千赫
V
B1
= V
B2
= 0 V ，测得V
W1
同
V
W2
= 100 mV的P-P @ F = 100 kHz时，
码1码= 2 = 200
H
–65
dB
–2–
版本B
ADN2850
参数
符号
条件
民
20
10
1
10
5
5
40
50
50
10
4
0
0.15
35
10
50
140
0.3
典型值
2
最大
单位
ns
ns
t
CYC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CYC
ns
ms
ms
ns
ns
s
接口时序特性（适用于所有部分）
5, 11
时钟周期时间（T
CYC
)
t
1
CS
建立时间
t
2
CLK关机时间
CS
上升
t
3
输入时钟脉冲宽度
t
4
, t
5
时钟电平高或低
从积极CLK转型
数据建立时间
t
6
从积极CLK转型
数据保持时间
t
7
CS
到SDO - SPI线收购
t
8
CS
到SDO - SPI线发布
t
9
t
10
R
P
= 2.2千欧，C
L
< 20 pF的
CLK到SDO传输延迟
12
13
CS
高脉冲宽度
t
12
13
t
13
CS
高
CS
高
RDY崛起
CS
秋天
t
14
CS
上升到RDY下降时间
t
15
14
t
16
适用于命令2
H
, 3
H
, 9
H
读取/保存到非易失性EEMEM
CS
上升到时钟边沿设置
t
17
预置脉冲宽度（异步）
t
PRW
未显示在时序图
PR
低脉冲刷新
预置的响应时间抽头设置吨
PRESP
滑动端位置
Flash / EE存储器可靠性
耐力
15
数据保留
16
100
100
k个圈
岁月
笔记
1
零部件可以在2.7 V单电源供电，除了从08C至-408C ，其中最小的3 V是必要的。
2
标准结构代表平均读数258C和V
DD
= 5 V.
3
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。
R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。我
W
~ 50
A
对于V
DD
= 2.7 V和I
W
~ 400
A
对于V
DD
= 5 V.
4
电阻端子W和B具有极性没有限制，相对于彼此。
5
通过设计保证，不受生产测试。
6
共模泄漏电流的测量，从任何终端B的直流泄漏和W与V的共模偏置电平
DD
/2.
7
转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器。见TPC 9 。
8
P
DISS
从（我计算
DD
V
DD
) + (I
SS
V
SS
).
9
适用于光接收器的光电二极管。
10
所有的动态特性采用V
DD
= + 2.5V和V
SS
= –2.5 V.
11
看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定
R
= t
F
= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和从1.5 V的电压电平的定时
开关特性同时使用V测
DD
= 3 V和5 V.
12
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
PULL -UP
和C
L
。参见应用部分。
13
有效的命令不激活RDY引脚。
14
RDY引脚为低电平，只为命令2 ， 3 ， 8 ， 9 ， 10 ，和PR硬件脉： CMD_8 1毫秒; CMD_9 ，10 0.1毫秒; CMD_2 ，3 20毫秒。在T设备操作
A
= –40°C
和V
DD
< 3 V延长保存时间为35毫秒。
15
耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40测
°C,
+ 25 ℃， + 85 ℃;典型的耐力+ 25° C为70万次。
16
保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6 V意志的激活能保持期限
减免与结温。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
该ADN2850包含16000个晶体管。芯片尺寸： 93万103万， 10197万平方米。
版本B
–3–
ADN2850
时序图
CS
CPHA = 1
t
12
t
3
t
2
CLK
CPOL = 1
t
13
t
1
t
5
t
4
t
10
t
17
t
11
LSB OUT
t
8
SDO
t
9
*
最高位
t
7
t
6
SDI
最高位
最低位
t
14
RDY
t
15
t
16
*不
的定义，但通常LSB CHARACTER先前已传送。
THE CPOL = 1微控制器命令对齐，输入的数据在时钟的上升沿。
图2a。 CPHA = 1时序图
CS
CPHA = 0
t
12
t
1
t
2
CLK
CPOL = 0
t
3
t
5
t
17
t
13
t
4
t
8
t
10
t
11
t
9
SDO
MSB OUT
最低位
*
t
7
t
6
SDI
在MSB
最低位
t
14
RDY
t
15
t
16
*不
的定义，但通常最高位字符的刚刚收到。
THE CPOL = 0单片机对齐命令输入的数据在时钟的上升沿。
图2b 。 CPHA = 0时序图
–4–
版本B
ADN2850
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 7V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V， -7 V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
V
B
, V
W
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
– 0.3 V, V
DD
+ 0.3 V
I
B
, I
W
断断续续的
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ±20 mA的
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
2毫安
数字输入和输出电压
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
最高结温（T
j max的情况
) . . . . . . . . . 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
焊接温度，焊接
4
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
热阻结到环境
θ
JA ，
LFCSP - 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35 ° C / W
TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150 ° C / W
热阻结到外壳
θ
JC ，
TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28 ° C / W
封装功耗= （T
j max的情况
– T
A
)/θ
JA
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力等级;该装置的功能操作
在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
最大终端电流通过的最大电流处理界
开关，封装的最大功耗和最大应用
在任意两个B和W端子的电压在给定的阻力。
3
包括非易失性存储器进行编程。
4
只适用于TSSOP- 16 。对于LFCSP - 16 ，请咨询工厂的细节。
订购指南
模型
ADN2850BCP25
ADN2850BCP25-RL7
ADN2850BCP250
ADN2850BCP250-RL7
ADN2850BRU25
ADN2850BRU25-RL7
R
WB_FS
(k )
25
25
250
250
25
25
RDNL RINL
（ LSB ） （ LSB ）
±
2
±
2
±
2
±
2
±
2
±
2
±
4
±
4
±
4
±
4
±
4
±
4
温包
范围（° C）
描述
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
LFCSP-16
LFCSP-16
7"卷轴
LFCSP-16
LFCSP-16
7"卷轴
TSSOP-16
TSSOP-16
7"卷轴
包
选项
CP-16
CP-16
CP-16
CP-16
RU-16
RU-16
订购
QUANTITY
96
1,000
96
1,000
96
1,000
顶标*
BCP25
BCP25
BCP250
BCP250
2850B25
2850B25
*线
1包含产品编号， ADN2850 ， 2号线顶标品牌包含了部分类型的详细区分，第3行中包含大量的数字，第4行中包含的产品
日期代码YYWW 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADN2850具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
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ADL5602ARKZ-R7
A6S-1102-H
AM29F010-120FI
AMMP-5618-TR1
AB-036DHAE-FREQ
AM3N-0515DH52-R
AFL12012SY
AP3003T-ADJE1
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