AMMP-5618
6-20 GHz的通用放大器
数据表
描述
Avago的AMMP - 5618是一款高功率，中等增益
放大器工作在6 GHz至20 GHz的。该
放大器被设计成一种易于使用的组件
对于任何表面贴装PCB的应用。在
通信系统中，它可以作为一个LO缓冲器
或者作为一个发送驱动器放大器。在典型
操作用单5V电源，每个增益级
偏向于A级为最佳的功率输出操作
以最小的失真。该放大器集成
50Ω I / O的比赛，隔直流，自我偏见和窒息
消除了复杂的调整和装配过程
通常需要用混合动力（离散-FET ）放大器。
该软件包是完全与SMT相容的背面
接地和I / O ，以简化装配。
注意：这些设备是ESD敏感。以下
注意事项强烈推荐。保证
静电批载体时使用的骰子是
从一个目的地运送到另一个。个人
接地是在所有时间处理时可以穿
这些设备。
特点
5 ×5毫米表面封装
广泛的乐队演奏6-20 GHz的
高+19 dBm的输出功率
媒体13 dB的典型增益
50Ω输入和输出匹配
单5V （107 mA）的偏置电源
应用
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
LMDS &点对点微米波长长距离
宽带无线接入（包括802.16和802.20
WIMAX）
WLL和MMDS回路
商用级军事
绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
I
d
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
漏电流
CW输入功率
工作通道温度
贮存箱温度
单位
V
mA
DBM
°C
°C
分钟。
马克斯。
7
150
20
+150
Vd
1
2
3
RFIN 8
4 RFOUT
-65
+150
+300
7
6
5
马克斯。大会温度（ 60秒最大）
°C
注意：
1.操作中过量的这些条件下，可能会导致在任一
永久性损坏此设备。
注意事项：
请遵守注意事项静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电
伤害和控制。
AMMP - 5618直流规格/物理性能
[1]
符号
I
d
θ
CH -B
参数和测试条件
漏极供电电流（在任何射频功率驱动器和温度）（V
d
=5.0V)
热阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
° C / W
分钟。
典型值。
107
34
马克斯。
140
注意事项：
1.环境操作温度T
A
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（T
通道
(T
c
） = 34 ℃）使用红外显微镜测量。在背面的温度热阻（T
b
)
= 25 ℃，计算出测量数据。
RF连接特定的阳离子
[3,4,6]
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5.0V ，我
D（ Q）
= 107毫安，Z
o
=50
)
符号
收益
NF
P
-1dB
OIP3
RLIN
RLOUT
ISOL
参数和测试条件
小信号增益
[5]
噪声系数为50Ω
[5]
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点;
f
= 100 MHz的; PIN = -20 dBm的
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
典型值。
13
4.4
+19
+30
-12
-12
-40
西格玛
0.4
0.2
0.9
1.2
0.7
0.6
1.2
注意事项：
3.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式为T测量数据
A
= 25°C.
4.预组装成组件的性能晶圆上每AMMC - 5618已出版的规格验证100 ％
5.这最终包装的一部分的性能是通过一个功能测试相关的实际性能在一个或多个频率已验证
6.规格都源自于一个50Ω的测试环境中的测量。在放大器性能的方面可以在一个更窄的改进
带宽的应用程序的额外的共轭，线性度，低噪声（ Γopt ）匹配。
2
AMMP - 5618典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5V ，我
d
= 107毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50Ω除非另有说明）
注意：
这些测量是50Ω测试环境。在放大器性能的方面可以在一个较窄的改进
带宽的应用程序的额外的共轭，线性，低噪声（ Γopt ）匹配。
15
0
0
-5
-10
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
S11（ dB）的
12
-10
9
-20
-15
-20
6
-30
3
-40
-25
-30
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
-50
图1.增益。
图2.隔离。
图3.输入回波损耗。
0
-5
-10
S22 （ dB）的
8
35
30
7
25
NF（ dB）的
OP- 1分贝（ DBM）
6
20
15
10
-15
-20
-25
-30
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
5
4
5
3
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
OP1dB
OIP3
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
图4.输出回波损耗。
图5.噪声系数。
图6.典型功耗， OP- 1分贝和OIP3 。
20
0
-10
-20
25°C
-40°C
+85°C
S11（ dB）的
0
25°C
-40°C
+85°C
15
-5
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
10
-30
-40
-10
5
25°C
-40°C
+85°C
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
-5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
图7.增益温度过高。
图8.隔离过热。
图9.输入RL过热。
3
AMMP - 5618典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5V ，我
d
= 107毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50Ω除非另有说明）
注意：
这些测量是50Ω测试环境。在放大器性能的方面可以在一个较窄的改进
带宽的应用程序的额外的共轭，线性，低噪声（ Γopt ）匹配。
0
-5
-10
25°C
-40°C
+85°C
8
25°C
-40°C
+85°C
108
106
104
7
S22 （ dB）的
NF（ dB）的
6
-15
-20
-25
-30
IDD （MA ）
102
100
98
25°C
-40°C
+85°C
3
3.5
4
Vdd的（V）的
4.5
5
5
4
96
3
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
94
图10.输出回波损耗过
温度。
16
图11. NF过热。
图12.偏置电流的温度。
0
-10
3V
4V
5V
0
3V
4V
5V
12
-20
-5
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
8
-30
-40
S11（ dB）的
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-10
4
3V
4V
5V
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图13.获取对VDD。
图14.隔离在VDD。
图15.输入RL在VDD。
0
-5
-10
3V
4V
5V
20
35
30
16
25
OP- 1分贝（ DBM）
S22 （ dB）的
-15
-20
-25
12
OIP3 （ dBm的）
3V
4V
5V
6
8
10
12
14
16
18
20
20
15
10
5
0
3V
4V
5V
6
8
10
12
14
16
18
20
8
4
-30
-35
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图16.输出回波损耗超过VDD。
图17.输出功率超过VDD。
图18. OIP3在VDD。
4
安捷伦AMMP - 5618
6-20 GHz的通用放大器
数据表
特点
5 ×5毫米表面封装
广泛的乐队演奏6-20 GHz的
高+19 dBm的输出功率
媒体13 dB的典型增益
50Ω输入和输出匹配
描述
安捷伦AMMP - 5618是一款高
电力，中等增益放大器
该工作在6 GHz到
20千兆赫。放大器设计
是一种易于使用的组件
对于任何表面贴装PCB
应用程序。在通信
系统，它可以作为一个振
缓冲液中，或作为一个发送驱动器
放大器。在典型的操作
化用单5V电源，每
增益级可偏置为A级
操作以获得最佳动力
输出以最小的失真。
该放大器集成了50Ω
I / O的比赛，隔直流，自偏压
呛消除复杂
调整和装配工艺
通常所要求的混合
（离散-FET ）放大器。该
封装完全兼容SMT
与背面接地和I / O
简化装配。
注意：这些设备是ESD
敏感的。下面的注意事
系统蒸发散是强烈推荐。
确保防静电批准
载体时，使用骰子
从一个目的地的运输
到另一个。个人接地
在任何时候，当被佩戴
操作这些设备。
Vd
1
2
3
单5V （107 mA）的偏置电源
RFIN 8
4 RFOUT
应用
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
7
6
5
LMDS &点对点微米波长长距离
宽带无线接入
（包括802.16和802.20
WIMAX）
WLL和MMDS回路
商用级军事
注意事项：
请遵守注意事项
静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
参见安捷伦应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
I
d
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
漏电流
CW输入功率
工作通道温度
贮存箱温度
马克斯。大会温度（ 60秒最大）
单位
V
mA
DBM
°C
°C
°C
分钟。
马克斯。
7
150
20
+150
-65
+150
+300
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
AMMP - 5618直流规格/物理性能
[1]
符号
I
d
θ
CH -B
参数和测试条件
漏极供电电流（在任何射频功率驱动器和温度）（V
d
=5.0V)
热阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
° C / W
分钟。
典型值。
107
34
马克斯。
140
注意事项：
1.环境操作温度T
A
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（T
通道
(T
c
） = 34 ℃）使用红外显微镜测量。在背面的温度热阻（T
b
)
= 25 ℃，计算出测量数据。
RF连接特定的阳离子
[3,4,6]
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5.0V ，我
D（ Q）
= 107毫安，Z
o
=50
)
符号
收益
NF
P
-1dB
OIP3
RLIN
RLOUT
ISOL
参数和测试条件
小信号增益
[5]
噪声系数为50Ω
[5]
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点;
f
= 100 MHz的; PIN = -20 dBm的
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
典型值。
13
4.4
+19
+30
-12
-12
-40
西格玛
0.4
0.2
0.9
1.2
0.7
0.6
1.2
注意事项：
3.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式为T测量数据
A
= 25°C.
4.预组装成组件的性能晶圆上每AMMC - 5618已出版的规格验证100 ％
5.这最终包装的一部分的性能是通过一个功能测试相关的实际性能在一个或多个频率已验证
6.规格都源自于一个50Ω的测试环境中的测量。在放大器性能的方面可以在一个更窄的改进
带宽的应用程序的额外的共轭，线性度，低噪声（ Γopt ）匹配。
2
AMMP - 5618典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5V ，我
d
= 107毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50Ω除非另有说明）
注意：
这些测量是50Ω测试环境。在放大器性能的方面可以在一个较窄的改进
带宽的应用程序的额外的共轭，线性，低噪声（ Γopt ）匹配。
15
0
0
-5
-10
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
S11（ dB）的
12
-10
9
-20
-15
-20
6
-30
3
-40
-25
-30
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
-50
图1.增益。
图2.隔离。
图3.输入回波损耗。
0
-5
-10
S22 （ dB）的
8
35
30
7
25
NF（ dB）的
OP- 1分贝（ DBM）
6
20
15
10
-15
-20
-25
-30
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
5
4
5
3
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
OP1dB
OIP3
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
图4.输出回波损耗。
图5.噪声系数。
图6.典型功耗， OP- 1分贝和OIP3 。
20
0
-10
-20
25°C
-40°C
+85°C
S11（ dB）的
0
25°C
-40°C
+85°C
15
-5
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
10
-30
-40
-10
5
25°C
-40°C
+85°C
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
-5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
图7.增益温度过高。
图8.隔离过热。
图9.输入RL过热。
3
AMMP - 5618典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5V ，我
d
= 107毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50Ω除非另有说明）
注意：
这些测量是50Ω测试环境。在放大器性能的方面可以在一个较窄的改进
带宽的应用程序的额外的共轭，线性，低噪声（ Γopt ）匹配。
0
-5
-10
25°C
-40°C
+85°C
8
25°C
-40°C
+85°C
108
106
104
7
S21 （ dB）的
NF（ dB）的
6
-15
-20
-25
-30
IDD （MA ）
102
100
98
25°C
-40°C
+85°C
3
3.5
4
Vdd的（V）的
4.5
5
5
4
96
3
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
94
图10.输出回波损耗过
温度。
16
图11. NF过热。
图12.偏置电流的温度。
0
-10
3V
4V
5V
0
3V
4V
5V
12
-20
-5
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
8
-30
-40
S11（ dB）的
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-10
4
3V
4V
5V
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图13.获取对VDD。
图14.隔离在VDD。
图15.输入RL在VDD。
0
-5
-10
3V
4V
5V
20
35
30
16
25
OP- 1分贝（ DBM）
S22 （ dB）的
-15
-20
-25
12
OIP3 （ dBm的）
3V
4V
5V
6
8
10
12
14
16
18
20
20
15
10
5
0
3V
4V
5V
6
8
10
12
14
16
18
20
8
4
-30
-35
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图16.输出回波损耗超过VDD。
图17.输出功率超过VDD。
图18. OIP3在VDD。
4
AMMP-5618
6-20 GHz的通用放大器
数据表
描述
Avago的AMMP - 5618是一款高功率，中等增益
放大器工作在6 GHz至20 GHz的。该
放大器被设计成一种易于使用的组件
对于任何表面贴装PCB的应用。在通信
系统，它可以作为一个LO缓冲器，或作为发送
驱动放大器。在典型的操作中与单个
5V供电，每个增益级可偏置为A级的操作
最佳的动力输出以最小的失真。该
放大器集成了50Ω I / O的比赛，隔直流，
自偏置扼流圈和消除复杂的调整和
装配过程通常需要通过杂交（离散
FET ）放大器。该软件包是完全SMT兼容
背面接地和I / O ，以简化装配。
注意：这些设备是ESD敏感。以下预
注意事项强烈推荐。确保防静电
批准载体时使用的骰子从运
一个目的地到另一个。个人的接地是要
操作这些设备的时候戴在任何时候。
特点
5 ×5毫米表面封装
宽带性能6-20 GHz的
高+19 dBm的输出功率
媒体13 dB的典型增益
50Ω输入和输出匹配
单5V （107 mA）的偏置电源
应用
微波无线电系统
卫星VSAT
商用级军事
包图
NC
1
Vd
2
NC
3
功能框图
1
2
3
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
NC
Vd
NC
RF_OUT
NC
NC
NC
RF_IN
8
在RF
8
4
RF OUT
7
7
NC
6
NC
5
NC
6
5
4
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
ESD机模型（ A级） = 50V
ESD人体模型（ 0级）= 150V
电气规格
1.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式TA = 25 ℃， VD = 5V ， IDQ = 107毫安测量数据。
2.预组装成组件的性能晶圆上每AMMC - 5618已出版的规格验证100 ％
3.本最终方案一部分的性能是通过功能测试相关的实际表现，在一个或证实
更多的频率
4.技术指标都源于一个50Ω的测试环境测量。放大器的性能方面
可以在一个更窄的带宽通过施加额外的共轭，线性或低噪声得到改善
（ Гopt ）匹配。
表1. RF电气特性（T
A
= 25 ° C，V
d
= 5.0V ，我
dq
= 107毫安，Z0 = 50 Ω ）
参数
小信号增益，增益
噪声系数为50 Ω ， NF
在1分贝增益压缩， P1dB的输出功率
三阶截点;
ΔF = 100MHz的;销= -20dBm ， OIP3
输入回波损耗， RLIN
输出回波损耗， RLout
反向隔离，隔离
典型值。
12
13
4.4
19
25
30
-12
-12
-40
西格玛
0.40
0.2
0.9
1.2
0.7
0.6
1.2
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
频率
5-6千兆赫
5-6千兆赫
表2.推荐工作范围
1.环境操作温度T
A
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（ Tchannel （TC ） = 34 ℃）使用红外显微镜测量。热
阻力位在背面温度（ TB）=从测量数据计算25 ℃。
特定网络阳离子
描述
漏极供电电流，身份证
分钟。
典型
107
马克斯。
140
单位
mA
评论
（VD = 5 V ，在任何射频功率
驱动器和温度
表3.热性能
参数
热阻，
q
CH -B
测试条件
背面温度，T
A
=25°C
价值
q
CH -B
= 34 ° C / W
绝对最低和最高等级
表4.最小和最大额定值
特定网络阳离子
描述
正漏极电压， Vd的
漏电流，身份证
RF输入功率（PIN） ， RFIN
通道温度，总胆固醇
存储温度， TSTG
马克斯。大会温度，最高温度
-65
+300
分钟。
马克斯。
7
150
20
+150
+150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
°C
评论
CW
第二个最多30个
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
2
选择的性能曲线
这些测量是在TA = 25 ℃， VD = 5V ，ID = 107毫安50Ω测试环境。该放大器的各方面per-
formance可以在一个较窄的带宽通过应用附加的共轭，线性或低噪声得到改善
（ Гopt ）匹配。
15
12
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
9
6
3
0
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
0
-10
-20
-30
-40
-50
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
图1.增益。
图2.隔离。
0
-5
-10
S11（ dB）的
S22 （ dB）的
-15
-20
-25
-30
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
图3.输入回波损耗。
图4.输出回波损耗。
8
7
6
5
4
3
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
18
20
OP- 1分贝（ DBM）
35
30
25
20
15
10
5
0
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
OP1dB
OIP3
18
20
NF（ dB）的
图5.噪声系数。
图6.典型功耗， OP- 1分贝和OIP3 。
3
过温性能曲线
这些测量是在TA = 25 ℃， VD = 5V ，ID = 107毫安50Ω测试环境。该放大器的各方面per-
formance可以在一个较窄的带宽通过应用附加的共轭，线性或低噪声得到改善
（ Гopt ）匹配。
20
15
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
10
5
0
-5
4
6
8
0
-10
-20
-30
-40
-50
20
22
-60
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
25°C
40°C
85°C
25°C
40°C
85°C
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
图7.增益温度过高。
图8.隔离过热。
0
-5
S11（ dB）的
-10
-15
-20
25°C
40°C
85°C
S22 （ dB）的
0
-5
-10
-15
-20
-25
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
-30
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
25°C
40°C
85°C
图9.输入RL过热。
图10.输出回波损耗过温。
8
7
NF（ dB）的
6
5
4
3
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
18
20
25°C
40°C
85°C
IDD （MA ）
108
106
104
102
100
98
96
94
3
3.5
4
Vdd的（V）的
25°C
40°C
85°C
4.5
5
图11. NF过热。
图12.偏置电流的温度。
4
过电压曲线
这些测量是在TA = 25 ℃， VD = 5V ，ID = 107毫安50Ω测试环境。该放大器的各方面per-
formance可以在一个较窄的带宽通过应用附加的共轭，线性或低噪声得到改善
（ Гopt ）匹配。
16
12
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
8
4
0
3V
4V
5V
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
4
6
8
10 12 14
频率（GHz ）
16
18
20
3V
4V
5V
图13.获取对VDD。
图14.隔离在VDD。
0
-5
S11（ dB）的
-10
-15
-20
3V
4V
5V
S22 （ dB）的
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
4
6
8
10 12 14
频率（GHz ）
16
18
20
-35
4
6
8
10 12 14
频率（GHz ）
16
18
20
3V
4V
5V
图15.输入RL在VDD。
图16.输出回波损耗超过VDD。
20
16
OP- 1分贝（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
3V
4V
5V
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
18
20
12
8
4
0
35
30
25
20
15
10
5
0
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
3V
4V
5V
18
20
图17.输出功率超过VDD。
图18. OIP3在VDD。
5
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