AT- 41400绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.5
20
12
60
500
200
-65 200
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 95 ° C / W
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
安装面
= 25°C.
3.减免10.5毫瓦/ ℃，
T
安装面
> 153 ℃。
4.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
测量部分
“热阻”的详细
信息。
产品型号订购信息
产品型号
AT-41400-GP4
设备每盘
100
注意：
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件” 。
电气规格，T
A
= 25°C
符号
|S
21E
|
2
P
1分贝
G
1分贝
NF
O
参数和测试条件
[1]
插入功率增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
1分贝压缩增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
最佳的噪声系数： V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
DBM
dB
dB
分钟。
典型值。马克斯。
12.0
6.5
19.0
18.5
15.0
10.5
1.3
1.6
3.0
18.5
14.5
10.5
9.0
30
150
300
0.2
1.0
G
A
增益@ NF
O
; V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
dB
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CB
增益带宽积： V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
正向电流传输比; V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
集电极截止电流; V
CB
= 8 V
发射极截止电流; V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[2]
: V
CB
= 8 V ， F = 1兆赫
GHz的
—
A
A
pF
0.17
注意事项：
1.射频性能是通过包装来确定和检验每片晶圆的10台设备。
2.在本试验中，发射极接地。
4-100
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