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Am29LV640MU
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 % 0 ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
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一张SR ?? V ?? V ????谩
8
6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A
ê ???? RA ! ?阿! ? "
超前信息
Am29LV640MU
64兆位(4M ×16位) MirrorBit
3.0伏只统一部门快闪记忆体与
VersatileI / O 控制
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3 V读取,擦除和编程操作
VersatileI / O 控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
在CE #和DQ输入/输出数据的输入电压
如通过在V的电压来确定
IO
销;操作
从1.65到3.6 V
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号,
通过一个命令序列访问
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间: 16字写缓冲整体降低
编程时间多字/字节更新
- 读4字的页面缓冲区
- 16字写缓冲
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 63球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消: V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- ACC (高电压)输入程序加速
时间系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )表示程序或
擦除周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变技术specifications.6修改/ 13/ 03
出版#
25301
启:
C
Amendment/1
发行日期:
2003年6月12日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV640MU是64兆, 3.0伏单电源
供应闪存设备组织为4,194,304
话。该装置具有一个16位的唯一的数据总线,并且可以
可以或者在主机系统或标编程
准EPROM编程器。
90 ,100, 110 ,或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意,每个存取时间具有特定的操作
电压范围(Ⅴ
CC
)和一个I / O电压范围(Ⅴ
IO
),如
在特定网络版
产品选择指南
命令─
ING信息
部分。该器件采用一个
63球精细间距BGA和64 - ball加固BGA封装
年龄。每台设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入,高电压
加速计划
( ACC )
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量,
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位
or
监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中,
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据,而不是四个。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
和容忍的CE#控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
参阅
订购信息
部分有效V
IO
选项。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一擦除操作
定扇区读或写其他部门和
然后完成擦除操作。该
节目
挂起/恢复计划
功能可使主机
系统暂停在一个给定扇区的程序操作
阅读任何其他部门,然后完成亲
克操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
SecSi (安全硅)行业
提供
128个字的区域代码或数据,可以是perma-
nently保护。一旦这个行业是受保护的,没有进一
该扇区内的疗法的改变可以发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验,生产
的质量,可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV640MU
2003年6月12日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
的MirrorBit 64 MBIT器件系列
设备
LV065MU
LV640MT/B
LV640MH/L
LV641MH/L
LV640MU
公共汽车
x8
x8/x16
x8/x16
x16
x16
扇形
架构
制服( 64字节)
引导( 8 ×8字节
在顶部&底部)
制服( 64字节)
制服( 32 K字)
制服( 32 K字)
套餐
48引脚TSOP ( STD 。 &转。引出线)
63球FBGA
48针TSOP , 63球精细间距BGA ,
64 - ball加固BGA
56引脚TSOP ( STD , &转。引出线)
64加固BGA
48引脚TSOP ( STD 。 &转。引出线)
63球精细间距BGA ,
64 - ball加固BGA
V
IO
是的
No
是的
是的
是的
RY / BY #
是的
是的
是的
No
是的
WP # , ACC
只有ACC
WP # / ACC引脚
WP # / ACC引脚
独立的WP #
和ACC引脚
只有ACC
WP #保护
没有WP #
2 ×8字节
顶部或底部
1 ×64字节
高或低
1 ×32 K字
顶部或底部
没有WP #
相关文档
下载相关文件,请点击以下
链接或访问www.amd.com
FL灰内存
的精良
UCT信息
的MirrorBit
闪存信息
nical文档。
的MirrorBit 闪存的写入缓冲区编程
和页面缓冲器读
实现对AMD的MirrorBit共同布局
和英特尔StrataFlash闪存设备
AMD的MirrorBit 白皮书
从单字节迁移到三字节设备ID
M igrationfrom A M 2 9 LV 6 4 0杜到M irror B它
Am29LV640MU
2003年6月12日
Am29LV640MU
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
的MirrorBit 64 Mbit的器件系列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
目录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ......... 10
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
图7.擦除操作............................................. ................. 30
命令定义................................................ ............. 31
表10.命令定义............................................. ......... 31
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 32
图8.数据#轮询算法........................................... ....... 32
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 33
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 33
图9.切换位算法............................................ ............ 34
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ ..... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
页面模式读取............................................... ..................... 11
写命令/命令序列............................ 11
写缓冲器................................................ ............................. 11
加快程序运行............................................. 11
自选功能................................................ .............. 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2扇区地址表............................................ ............ 13
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 34
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 35
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 35
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ........... 35
表11.写操作状态............................................ ....... 35
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图10.最大负过冲波形................... 36
图11.最大正向超调波形..................... 36
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图12.测试设置............................................. ....................... 38
表12.测试规范............................................. ............ 38
自选模式................................................ ..................... 15
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 15
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图13.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 38
行业组保护和unprotection的............................. 16
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 16
临时机构集团撤消....................................... 17
图1.临时机构集团撤消操作................ 17
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 18
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
只读操作.............................................. ............. 39
图14.读操作时序............................................ ... 39
图15.页读时序............................................ .......... 40
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 19
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 19
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 20
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 41
图16.复位时序............................................. .................. 41
硬件数据保护............................................... ....... 20
低VCC写禁止.............................................. .............. 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表6. CFI查询标识字符串.............................. 21
表7.系统接口字符串............................................ .......... 21
擦除和编程操作.............................................. 42
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图21.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
43
43
44
45
46
46
表8.设备几何定义................................... 22
表9.主要供应商特定的扩展查询............. 23
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 24
自选命令序列............................................ 24
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
Word程序命令序列..................................... 25
解锁绕道命令序列..................................... 25
写缓冲区编程............................................... ....... 25
加快程序................................................ .............. 26
图4.写缓冲器编程操作............................... 27
图5.程序操作............................................. ............. 28
临时机构撤消............................................... ... 47
图23.临时机构集团撤消时序图... 47
图24.类别组保护和撤消时序图.. 48
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 49
图25.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 50
程序挂起/恢复程序命令序列... 28
图6.程序挂起/恢复计划............................... 29
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
4
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 51
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
TSOP针脚和精细间距BGA封装
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( FBGA )
13 ×11毫米包装............................................. ................. 53
FBE063-63球细间距球栅阵列( FBGA )
12 ×11毫米包装............................................. ................. 54
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2003年6月12日
Am29LV640MU
Am29LV640MU
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 % 0 ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
Q ?? iyvph ?? V ????爱???? IR ?谩
! "美元?
一张SR ?? V ?? V ????谩
8
6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A
ê ???? RA ! ?阿! ? "
超前信息
Am29LV640MU
64兆位(4M ×16位) MirrorBit
3.0伏只统一部门快闪记忆体与
VersatileI / O 控制
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3 V读取,擦除和编程操作
VersatileI / O 控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
在CE #和DQ输入/输出数据的输入电压
如通过在V的电压来确定
IO
销;操作
从1.65到3.6 V
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号,
通过一个命令序列访问
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间: 16字写缓冲整体降低
编程时间多字/字节更新
- 读4字的页面缓冲区
- 16字写缓冲
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 63球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消: V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- ACC (高电压)输入程序加速
时间系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )表示程序或
擦除周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变技术specifications.6修改/ 13/ 03
出版#
25301
启:
C
Amendment/1
发行日期:
2003年6月12日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV640MU是64兆, 3.0伏单电源
供应闪存设备组织为4,194,304
话。该装置具有一个16位的唯一的数据总线,并且可以
可以或者在主机系统或标编程
准EPROM编程器。
90 ,100, 110 ,或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意,每个存取时间具有特定的操作
电压范围(Ⅴ
CC
)和一个I / O电压范围(Ⅴ
IO
),如
在特定网络版
产品选择指南
命令─
ING信息
部分。该器件采用一个
63球精细间距BGA和64 - ball加固BGA封装
年龄。每台设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入,高电压
加速计划
( ACC )
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量,
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位
or
监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中,
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据,而不是四个。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
和容忍的CE#控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
参阅
订购信息
部分有效V
IO
选项。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一擦除操作
定扇区读或写其他部门和
然后完成擦除操作。该
节目
挂起/恢复计划
功能可使主机
系统暂停在一个给定扇区的程序操作
阅读任何其他部门,然后完成亲
克操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
SecSi (安全硅)行业
提供
128个字的区域代码或数据,可以是perma-
nently保护。一旦这个行业是受保护的,没有进一
该扇区内的疗法的改变可以发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验,生产
的质量,可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV640MU
2003年6月12日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
的MirrorBit 64 MBIT器件系列
设备
LV065MU
LV640MT/B
LV640MH/L
LV641MH/L
LV640MU
公共汽车
x8
x8/x16
x8/x16
x16
x16
扇形
架构
制服( 64字节)
引导( 8 ×8字节
在顶部&底部)
制服( 64字节)
制服( 32 K字)
制服( 32 K字)
套餐
48引脚TSOP ( STD 。 &转。引出线)
63球FBGA
48针TSOP , 63球精细间距BGA ,
64 - ball加固BGA
56引脚TSOP ( STD , &转。引出线)
64加固BGA
48引脚TSOP ( STD 。 &转。引出线)
63球精细间距BGA ,
64 - ball加固BGA
V
IO
是的
No
是的
是的
是的
RY / BY #
是的
是的
是的
No
是的
WP # , ACC
只有ACC
WP # / ACC引脚
WP # / ACC引脚
独立的WP #
和ACC引脚
只有ACC
WP #保护
没有WP #
2 ×8字节
顶部或底部
1 ×64字节
高或低
1 ×32 K字
顶部或底部
没有WP #
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FL灰内存
的精良
UCT信息
的MirrorBit
闪存信息
nical文档。
的MirrorBit 闪存的写入缓冲区编程
和页面缓冲器读
实现对AMD的MirrorBit共同布局
和英特尔StrataFlash闪存设备
AMD的MirrorBit 白皮书
从单字节迁移到三字节设备ID
M igrationfrom A M 2 9 LV 6 4 0杜到M irror B它
Am29LV640MU
2003年6月12日
Am29LV640MU
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
的MirrorBit 64 Mbit的器件系列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
目录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ......... 10
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
图7.擦除操作............................................. ................. 30
命令定义................................................ ............. 31
表10.命令定义............................................. ......... 31
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 32
图8.数据#轮询算法........................................... ....... 32
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 33
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 33
图9.切换位算法............................................ ............ 34
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ ..... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
页面模式读取............................................... ..................... 11
写命令/命令序列............................ 11
写缓冲器................................................ ............................. 11
加快程序运行............................................. 11
自选功能................................................ .............. 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2扇区地址表............................................ ............ 13
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 34
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 35
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 35
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ........... 35
表11.写操作状态............................................ ....... 35
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图10.最大负过冲波形................... 36
图11.最大正向超调波形..................... 36
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图12.测试设置............................................. ....................... 38
表12.测试规范............................................. ............ 38
自选模式................................................ ..................... 15
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 15
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图13.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 38
行业组保护和unprotection的............................. 16
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 16
临时机构集团撤消....................................... 17
图1.临时机构集团撤消操作................ 17
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 18
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
只读操作.............................................. ............. 39
图14.读操作时序............................................ ... 39
图15.页读时序............................................ .......... 40
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 19
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 19
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 20
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 41
图16.复位时序............................................. .................. 41
硬件数据保护............................................... ....... 20
低VCC写禁止.............................................. .............. 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表6. CFI查询标识字符串.............................. 21
表7.系统接口字符串............................................ .......... 21
擦除和编程操作.............................................. 42
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图21.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
43
43
44
45
46
46
表8.设备几何定义................................... 22
表9.主要供应商特定的扩展查询............. 23
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 24
自选命令序列............................................ 24
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
Word程序命令序列..................................... 25
解锁绕道命令序列..................................... 25
写缓冲区编程............................................... ....... 25
加快程序................................................ .............. 26
图4.写缓冲器编程操作............................... 27
图5.程序操作............................................. ............. 28
临时机构撤消............................................... ... 47
图23.临时机构集团撤消时序图... 47
图24.类别组保护和撤消时序图.. 48
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 49
图25.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 50
程序挂起/恢复程序命令序列... 28
图6.程序挂起/恢复计划............................... 29
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
4
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 51
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
TSOP针脚和精细间距BGA封装
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( FBGA )
13 ×11毫米包装............................................. ................. 53
FBE063-63球细间距球栅阵列( FBGA )
12 ×11毫米包装............................................. ................. 54
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2003年6月12日
Am29LV640MU
查看更多AM29LV64MU101RWHIPDF信息
推荐型号
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AM29LV64MU101RWHI
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AM29LV64MU101RWHI
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