2001年3月
AS4C4M4FOQ
AS4C4M4F1Q
5V 4M X 4 CMOS QuadCAS DRAM（ fastpage模式）
特点
组织： 4,194,304字× 4位
高速
- 50/60 ns的RAS访问时间
- 25/30 ns的列地址访问时间
- 12/15 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 495毫瓦最大
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
快速页模式
刷新
- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔
4C4M4FOQ
- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔
AS4C4M4F1Q
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
TTL兼容，三态I / O
4个独立的CAS引脚允许独立的I / O操作
JEDEC标准封装
- 300万， 28引脚SOJ
- 300万， 28引脚TSOP
闩锁电流
≥
200毫安
ESD保护
≥
2000毫伏
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
PIN码（ S）
A0到A11
RAS
CAS0到CAS3
WE
I / O0至I / O 3
OE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出
OUTPUT ENABLE
动力
地
AS4C4M4F0Q/F1Q
11
12
13
14
* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小快速页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
4/11/01; v.1.0
AS4C4M4F0Q/1Q
4C4M4FOQ-50
AS4C4M4F1Q-50
50
25
12
13
85
20
90
1.0
4C4M4FOQ-60
AS4C4M4F1Q-60
60
30
15
15
100
24
80
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
16 P. 1
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
半导体联盟
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C4M4FOQ
AS4C4M4F1Q
功能说明
该4C4M4FOQ和AS4C4M4F1Q是高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）组织设备
如4194304字× 4位。该器件采用先进的CMOS技术，并导致较高的创新设计制造技术
速度，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该联盟16Mb的DRAM系列优化
使用如在个人计算机，工作站，路由器和交换机应用主存储器。
这些设备的功能，使阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行高速页面模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
RAS和CAS的下降沿分别输入。四个独立的CAS引脚允许独立的I / O操作使该器件
工作在奇偶校验模式。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的列地址的前
CAS断言。
刷新A0到A11的4096种地址组合必须进行使用每64毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每4096行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
该4C4M4FOQ和AS4C4M4F1Q可在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚塑料TSOP封装。该4C4M4FOQ和
AS4C4M4F1Q操作与5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。
对于4K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
OE
地址缓冲器
行解码器
4,194,304 × 4
ARRAY
(16,777,216)
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
16 P. 2
AS4C4M4FOQ
AS4C4M4F1Q
为2K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
OE
地址缓冲器
行解码器
4,194,304 × 4
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
公称
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
V
IL
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
16第3页
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