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SLWS207 - 2008年5月
16位40/80 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC
1
特点
16位分辨率
最大采样率
- ADS5562 - 80 MSPS
- ADS5560 - 40 MSPS
总功率
- 865毫瓦80MSPS
- 674毫瓦40MSPS
无失码
高信噪比84 dBFS的（ 3 MHz的IF ）
85 dBc的SFDR （ 3 MHz的IF ）
低频噪声抑制模式
可编程增益精， 1dB步长，直到6分贝
双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行
CMOS输出选项
内部/外部基准支持
3.3 V模拟和数字电源
引脚对引脚与ADS5547系列
48 - QFN封装（ 7毫米
×
7 mm)
应用
医学影像 - MRI
无线通信基础设施
软件定义无线电
测试和测量仪器
高德网络nition视频
描述
ADS556X是一款高性能的16位A / D转换器系列，采样速率高达80 MSPS 。它支持非常
高信噪比在第一奈奎斯特区域的输入频率。该装置包括一个低频率的噪声抑制
模式，提高噪声从直流到1MHz的左右。
除了高性能的设备提供多种灵活的功能，如输出接口（或者双
数据速率LVDS或CMOS并行）和精细的增益（以1 dB步，直到6分贝） 。
创新的技术，如DDR LVDS和一个内部参考，不需要外部去耦
电容器，已经被用于实现显著节省引脚数。这导致紧凑7毫米X 7毫米
48引脚QFN封装。
该装置可以被放置在一个外部基准模式，在VCM引脚表现为外部参考
输入。对于应用中的功率是非常重要的， ADS556X提供了省电模式和自动断电
缩放在较低的采样率。
它工作在工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ） 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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CLKP
CLKM
DRGND
DRVDD
AGND
AVDD
CLOCKGEN
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
INP
INM
样品
和
HOLD
16位ADC
数字
编码器
和
串行器
D4_D5_M
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
VCM
参考
控制
接口
D10_D11_M
D12_D13_P
D12_D13_M
D14_D15_P
D14_D15_M
OVR
ADS556x
SDATA
RESET
OE
DFS
模式
SCLK
SEN
LVDS接口
B0095-05
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-48
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
包
记号
AZ5562
订购
数
ADS5562IRGZT
ADS5562IRGZR
ADS5560
QFN-48
罗格列酮
-40 ° C至85°C
AZ5560
ADS5560IRGZT
ADS5560IRGZR
(1)
运输
媒体
磁带和卷轴，
小
磁带和卷轴，
大
磁带和卷轴，
小
磁带和卷轴，
大
ADS5562
θ
JA
= 25.41
° C / W
（0 LFM空气流） ，
θ
JC
= 16.5
° C / W
用2盎司的时候使用。铜走线和散热焊盘直接焊接到
JEDEC标准4层3英寸x 3英寸（7.62厘米× 7.62厘米）印刷电路板。散热垫是5.2× 5.2毫米。请参阅机械制图中的
该数据表的细节了。
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
AVDD
DRVDD
电源电压范围
电源电压范围
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
应用于VCM引脚（外部参考模式）电压
电压施加到模拟输入引脚
T
A
T
JMAX
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
从10秒的情况下焊接温度1,6毫米（ 16"分之1 ）
(1)
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 1.8
0.3 V至最低（ 3.6 ， AVDD + 0.3 V ）
-40到85
125
-65到150
220
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
耗材及参考
AVDD
模拟电源电压
3
3
3.3
3.3
3.56
1.5 ±0.1
1.5
±0.05
默认速度模式
ADS5562
低速模式
(1)
典型值
最大
3.6
3.6
单位
V
V
V
PP
V
V
DRVDD数字电源电压
模拟输入
差分输入电压范围（与违约金的增益= 1 dB为单位）
输入共模电压
电压施加在VCM外部基准模式
时钟输入
采样率
> 30
1
> 30
1
80
30
40
30
MSP
S
MSP
S
MSP
S
MSP
S
默认速度模式
ADS5560
低速模式
支持时钟波形格式
时钟振幅，交流耦合，差分（V
CLKP
- V
CLKM
)
时钟占空比
数字输出
C
L
R
L
每个输出引脚的最大外部负载电容DRGND （ LVDS和CMOS
模式）
LVDS的输出对之间的外部差分负载电阻（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
(1)
SEE
较低的采样频率工作
在对细节的应用部分。
正弦波， LVPECL ，
LVDS ， LVCMOS
0.4
45%
50%
5
100
-40
85
55%
pF
°C
V
PP
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电气特性
典型值是在25 ° C， AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样率=最大额定，正弦波输入时钟， 1.5 V
PP
时钟
幅度， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， DDR LVDS接口，
违约金
增益（ 1分贝） 。
MIN和MAX值在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样
率=最大额定的，除非另有说明。
参数
决议
模拟量输入
差分输入电压
范围
(1)
差分输入
电容
模拟输入带宽
模拟输入共
模式电流（每输入引脚）
VCM
共模输出
电压
VCM输出电流
能力
DC精度
无失码
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
偏移误差
偏移误差温度
系数
偏移误差的变化
整个AVDD电源
增益为0 dB
-0.95
-8.5
-25
保证
0.5
±3
±10
0.005
1.5
3
8.5
25
-0.95
-8.5
-25
保证
0.5
±3
±10
0.005
1.5
3
8.5
25
最低位
最低位
mV
毫伏/°C的
mV / V的
内部参考
模式
内部参考
模式
3.56
5
300
6.6
1.5
±4
3.56
5
300
6.6
1.5
±4
V
PP
pF
兆赫
μA / MSPS
V
mA
TEST
条件
ADS5562
民
典型值
16
最大
民
ADS5560
典型值
16
最大
单位
位
有增益误差的两个来源：一）内部参考误差和ii）信道增益
错误
E
GREF
E
陈
增益误差由于内部
单独参考不准确
单独信道增益误差
通道增益误差
温度COEF网络cient
电源
IAVDD
模拟电源电流
LVDS模式
I
O
= 3.5毫安，R
L
=
100
CMOS模式
F
IN
= 3兆赫
LVDS模式
待机模式
时钟运行
210
52
250
160
44
190
mA
mA
-2.5
-2.5
±1
±1
0.01
2.5
2.5
-2.5
-2.5
±1
±1
0.01
2.5
2.5
％ FS
％ FS
Δ%/°C
IDRVDD
数字电源电流
C
L
= 5 pF的
60
865
155
125
150
1100
37
674
135
125
150
810
mA
mW
mW
mW
总功率
待机功耗
时钟停止供电
(1)
满量程电压范围的精细增益设置的功能。看
表23 。
4
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电气特性（续）
典型值是在25 ° C， AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样率=最大额定，正弦波输入时钟， 1.5 V
PP
时钟
幅度， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， DDR LVDS接口，
0分贝精
收益
(1)
.
MIN和MAX值在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样
率=最大额定，
违约金的增益（ 1分贝）
除非另有说明。
参数
AC特性
F
IN
= 3兆赫
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 25 MHz的
SNR
信号与噪声
比
F
IN
= 30 MHz的
F
IN
= 3兆赫
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 25 MHz的
F
IN
= 30 MHz的
RMS输出噪声
INPUTS绑共模
F
IN
= 3兆赫
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 25 MHz的
SINAD
F
IN
= 30 MHz的
信号对噪声和
F
IN
= 3兆赫
失真率
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 25 MHz的
F
IN
= 30 MHz的
ENOB
有效号码
钻头
SFDR
无杂散
动态范围
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 3兆赫
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 25 MHz的
F
IN
= 30 MHz的
F
IN
= 3兆赫
HD2
二次谐波
F
IN
= 10 MHz的
F
IN
= 25 MHz的
F
IN
= 30 MHz的
(1)
77
77
LVDS
接口
12.2
LVDS
接口
75
CMOS
接口
77
LVDS
接口
79
84
83.8
83.2
82.8
81.7
81.4
80.7
80.4
1.42
80.5
80.5
79.5
79
80.5
CMOS
接口
73.5
80.2
79.3
77.9
13.1
85
85
83
80
90
89
88
88
78
78
12.4
75
76
78
80
84.3
84
82.5
81.8
83.5
83.1
81.8
81.6
1.42
83.2
83
79
77
82
81.4
79.3
78
13.5
90
88
83
79
94
92
90
88
dBc的
dBc的
位
dBFS的
dBFS的
最低位
dBFS的
dBFS的
测试条件
民
ADS5562
FS = 80 Msps的
典型值
最大
民
ADS5560
FS = 40 MSPS
典型值
最大
单位
注意，在复位后，该设备被初始化到1dB精细增益设置。对于SFDR和整个精细收益的SNR性能，请参阅
典型
特性部分。
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5
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