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AP9963AGP-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
40V
4.2mΩ
155A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO-220封装被广泛地优选用于商业工业
功率应用和适合于低电压的应用，如
DC / DC转换器。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
c
=25℃
I
D
@T
c
=100℃
I
DM
P
D
@T
c
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（片）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
40
+20
155
80
80
320
187
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
连续漏电流， V
GS
@ 10V
3
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
0.8
62
单位
℃/W
℃/W
1
201010291
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP9963AGP-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=60A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=60A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=40A
V
DS
=32V
V
GS
=10V
V
DS
=20V
I
D
=40A
R
G
=1
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
40
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
90
-
-
58
12
26
14
83
25
10
600
260
1.4
MAX 。单位
-
4.2
4
-
25
+100
93
-
-
-
-
-
-
-
-
2.8
V
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
2600 4160
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 40A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
43
54
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.包装限制电流为80A 。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP9963AGP-HF
300
200
T
C
=25
o
C
250
I
D
，漏电流（ A）
200
I
D
，漏电流（ A）
10V
8.0V
7.0V
6.0V
T
C
=175
o
C
160
10V
8.0V
7.0V
6.0V
V
G
=5.0V
120
150
V
G
= 5.0V
80
100
40
50
0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.6
2.0
I
D
=1mA
1.4
I
D
=60A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
归BV
DSS
(V)
1.2
1.4
1
0.8
0.8
0.6
0.4
-50
0
50
100
150
200
0.2
-50
0
50
100
150
200
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
40
1.6
图4.归一导通电阻
V.S.结温
I
D
=1mA
30
I
S
(A)
T
j
=175
o
C
20
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.2
0.8
10
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
200
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9963AGP-HF
f=1.0MHz
12
4000
10
I
D
=40A
V
DS
=32V
3000
V
GS
，门源电压（ V）
8
C
国际空间站
C（ pF）的
6
2000
4
1000
2
C
OSS
C
RSS
0
0
20
40
60
80
1
5
9
13
17
21
25
29
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
占空比= 0.5
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
100
100us
归热响应（R
thJC
)
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
1ms
10
P
DM
T
C
=25
o
C
单脉冲
1
0.1
1
10
10ms
100ms
DC
t
0.02
T
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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