AS1333
1概述
的AS1333是一个降压型DC -DC转换器的设计
供电从单节锂离子电池的便携式应用
电池。该装置也能够实现高性能的
手机和其他应用要求低
压差。
的AS1333降压3.25V的输入电压来
5.5V到3.09V的固定输出电压。
固定频率PWM工作最大限度地降低射频
干扰。关机功能开启或关闭设备电源
降低电池消耗0.01μA （典型值） 。
该AS1333可在一个8引脚WL- CSP封装。一
高开关频率（ 2兆赫）允许使用纤巧
表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个
陶瓷电容器。
D上TA S ，他（E T）
6 5 0微米的，圣EP 自己的DC / DCC onverterfor P或TA竹叶提取一个pplications
2主要特点
!
!
!
!
!
PWM开关频率： 2MHz的
单节锂离子电池操作
固定输出电压（ 3.09V ）
650毫安的最大负载能力
高效率（ 96 ％典型值电压为3.6V
IN
, 3.09V
OUT
at
400毫安）内部同步整流
电流过载保护
热过载保护
软启动
低压差（ 140 mΩ的典型值PFET ）
8引脚WL-CSP
!
!
!
!
!
3应用
该AS1333是用于蜂窝电话的理想解决方案，
手持式无线电，射频PC卡，电池供电的射频
设备，和RFIC芯片组。
图1.典型应用电路
V
IN
10 F
PVIN
VDD
3.3 H
EN
SW
V
OUT
3.09V
AS1333
FB
10 F
保护地
NC
AGND
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修订1.02
1 - 16
AS1333
数据表 - P I N A S的I克正M E N吨s
4引脚分配
图2.引脚配置
顶视图
SW
PVIN
A1
A2
A3
保护地
保护地
A3
底部视图
SW
A2
A1
PVIN
VDD
B1
B3
AGND
AGND
B3
B1
VDD
EN
C1
C2
NC
C3
FB
FB
C3
C2
NC
C1
EN
引脚说明
表1.引脚说明
引脚名称
PVIN
引脚数
A1
注意：
为保证V
OUT
= 3.09V集V
IN
= 3.25V至5.5V ;
+ 2.7V至+ 5.5V电源电压。
模拟电源输入。
VDD
EN
NC
FB
AGND
保护地
SW
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
注意：
为保证V
OUT
= 3.09V集V
IN
= 3.25V至5.5V ;
使能输入。
设置此数字输入高电平正常工作。关机，
设置为低。
可被连接到VDD时， SGND或浮动。
反馈引脚。
连接在输出滤波电容的输出。
模拟和控制地面。
电源地。
开关引脚。
交换结点连接到内部PFET开关和NFET的
同步整流。连接到电感器的饱和电流额定值
超过的最大峰值开关电流限值规范
AS1333.
描述
+ 2.7V至+ 5.5V电源电压。
输入至内部PFET开关。
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2 - 16
AS1333
数据表 - 一个bsolute M aximum atings
5绝对最大额定值
超出所列强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
电气特性
第4页
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
表2.绝对最大额定值
参数
VDD ， PVIN至AGND
PGND到AGND
EN ， FB ，NC
SW
PV
IN
到Vdd
工作温度范围
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
人体模型
工作额定值
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
-40
2.7
5.5
650
+125
V
mA
C
在应用中，高功率
耗散和/或包装不良热
电阻的存在，其最大
环境温度可能要
降额。
最高环境温度（T
A- MAX
)
是依赖于最大工作
结温（T
J- MAX -OP
=
125℃ ） ，最大功耗
该装置中的应用程序（ P的
D- MAX
),
和结点到环境的热
部件/封装中的电阻
应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
以下
公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
×
P
D- MAX
).
2
kV
HBM MIL -STD 。 883E 3015.7
方法
-65
民
-0.3
-0.3
最大
+7.0
+0.3
单位
V
V
V
V
V
°C
C
C
C
7.0V最大
笔记
AGND - 0.3 VDD + 0.3
PGND - 0.3 PVIN + 0.3
-0.3
-40
+0.3
+85
+150
+150
+260
环境温度（T
A
）范围
-40
+85
C
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修订1.02
3 - 16
AS1333
数据表 - é lectrical极特
6电气特性
T
A
= T
J
= -40°C至+ 85°C ; PV
IN
= VDD = EN = 3.6V ，除非另有说明。典型值。值是在T
A
=25°C.
表3.电气特性
符号
V
FB
I
SHDN
I
Q
R
DSON （ P）
参数
反馈电压
关断电源电流
直流偏置电流为VDD
引脚对引脚电阻用于PFET
条件
PV
IN
= 3.6V
EN = SW = 0V
1
2
民
3.028
典型值
3.09
0.01
1
140
最大
3.15
2
1.4
200
230
单位
V
A
mA
mΩ
FB = 0V ，无开关
I
SW
= 200毫安;牛逼
A
= +25°C
I
SW
= 200毫安
R
DSON （ N）
I
LIM ， PFET
F
OSC
V
IH ， EN
V
IL ， EN
I
密码，启用
引脚对引脚电阻用于NFET
开关峰值电流限制
内部振荡器频率
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
引脚下拉电流
I
SW
= -200mA ;牛逼
A
= +25°C
I
SW
= -200mA
电流限制是内置的，固定的，
和不可调的。
935
1.8
1.2
300
415
485
mΩ
mA
兆赫
V
1100
2
1200
2.2
0.5
5
10
V
A
1.关断电流包括PFET的漏电流。
2. I
Q
此处指定的是，当部分工作在100％占空比。
系统特点
T
A
= 25℃ ; PV
IN
= VDD = EN = 3.6V ，除非另有说明。下面的参数是通过表征验证
而不是生产测试。
表4.系统特点
符号
T
_ON
η
参数
接通时间（时间以输出到
达到从启用低到3.09V
高转换）
效率
（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100mΩ)
纹波电压， PWM模式
1
条件
EN =低到高，V
IN
= 4.2V,
V
OUT
= 3.09V ，C
OUT
= 10F,
I
OUT
≤
1mA
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 3.09V,
I
OUT
= 400毫安
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.09V,
I
OUT
= 10mA至400毫安
V
IN
= 600mV的扰动，在输入电压
范围3.4V至5.5V
T
上升
= T
秋天
= 10μs的，V
OUT
= 3.09V,
I
OUT
= 100毫安
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.09V ，瞬态
up
100mA的电流，T
上升
= T
秋天
= 10s
民
典型值
210
最大
350
单位
s
96
5
%
MVP -P
V
OUT
涟漪
Line_tr
线路瞬态响应
50
mVpk
Load_tr
负载瞬态响应
50
mVpk
1.纹波电压的测量应位于C
OUT
良好的布局印刷电路板和条件下使用伊赛格电极
gested电感器和电容器。
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4 - 16
AS1333
数据表 - 泰 - 皮卡尔操作摄像极特
7典型工作特性
电路
图23第10页，
PV
IN
= VDD = EN = 3.6V ， L = 3.3μH （ LPS4018-332ML_ ） ， CIN = COUT = 10μF
（ GRM21BR61C106KA01 ） ，除非另有说明;
图3.静态电流与V
IN
0.55
图4.关断电流与温度的关系
0.3
六， N = 3.25V
六， N = 3.6V
静态电流（mA ）
关断电流（ μA ）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
-40
六， N = 4.2V
六， N = 5.5V
0.5
0.45
0.4
- 45°C
+ 25°C
+ 85°C
0.35
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-15
10
35
60
85
电源电压（ V）
图5.开关频率变化与温度。
开关频率变化（ ％ ）
4
3
温度（℃）
图6.输出电压与电源电压
3.15
3.13
输出电压（V）
六， N = 3.6V
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-40
六， N = 4.2V
六， N = 5.5V
3.11
3.09
3.07
3.05
3.03
3.25
Iout=50mA
Iout=300mA
Iout=650mA
-15
10
35
60
85
3.75
4.25
4.75
5.25
温度（℃）
电源电压（ V）
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