APT20M36BLL
APT20M36SLL
200V 65A 0.036
BLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
R
MOSFET
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
SLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M36BLL_SLL
单位
伏
安培
200
65
260
±30
±40
329
2.63
-55到150
300
65
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
200
0.036
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 32.5A)
欧
A
nA
伏
7-2004
050-7007版本C
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M36BLL_SLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 65A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 100V
I
D
= 65A @ 25°C
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 133V, V
GS
= 15V
I
D
= 65A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 133V V
GS
= 15V
I
D
= 65A ，R
G
= 5
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
pF
3080
990
70
60
24
26
9
37
16
30
490
300
600
315
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
6
nC
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
65
260
1.3
280
3.5
5
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -65
A
)
反向恢复时间（I
S
= -65
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -65
A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
6
dt
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.38
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 0.62mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 65A
5
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
65A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
200V
TJ
≤
150
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.40
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
0.9
0.7
0.5
7-2004
注意：
PDM
t1
t2
0.3
050-7007版本C
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1
典型性能曲线
200
连接点
TEMP 。 （ ° C）
APT20M36BLL_SLL
VGS=15V
10V
I
D
，漏极电流（安培）
遥控模型
160
0.0329
0.00334F
120
9V
动力
（瓦特）
0.158
0.00802F
80
8V
7.5V
0.189
外壳温度。 （ ° C）
0.165F
40
7V
6.5V
6V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.4
V
归一
= 10V @ I = 32.5A
D
0
140
I
D
，漏极电流（安培）
120
100
80
60
40
20
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
GS
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
VGS=10V
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
VGS=20V
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
70
60
50
40
30
20
10
0
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
1.05
1.00
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
25
0.90
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
-50
2.5
I
D
1.2
= 32.5A
= 10V
V
GS
2.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-50
-25
050-7007版本C
7-2004
260
100
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
5,000
APT20M36BLL_SLL
西塞
I
D
，漏极电流（安培）
C，电容（pF ）
50
100S
1,000
500
科斯
10
1mS
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
5
10
50 100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
D
100
50
CRSS
10mS
1
1
16
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
14
12
10
8
6
4
2
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
45
40
35
t
D（关闭）
0
0
VDS=40V
VDS=100V
VDS=160V
I
DR
，反向漏电流（安培）
I
= 65A
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
200
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
0
10
5
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
120
V
DD
G
= 133V
R
= 5
100
80
t
r
和T
f
（纳秒）
T = 125°C
J
L = 100μH
V
DD
G
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
30
25
20
15
10
5
0
30
= 133V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
60
40
20
0
30
t
f
t
r
t
D（上）
60
70
80
90
100
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
40
50
60
70
80
90
100
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
1000
40
50
1200
= 133V
R
= 5
1000
开关能量（ μJ ）
T = 125°C
L = 100μH
开关能量（ μJ ）
J
800
E
on
600
E
关闭
400
V
I
DD
800
600
400
200
0
30
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
= 133V
7-2004
D
J
= 65A
E
关闭
200
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7007版本C
60
70
80
90
100
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
40
50
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
0
0
5
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT20M36BLL_SLL
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
5%
10%
开关能量
90%
5%
漏极电压
t
D（关闭）
90%
T
J
125°C
t
f
10%
0
漏极电压
漏电流
开关能量
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT60DS30
V
DD
I
D
V
DS
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
门
漏
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7007版本C
7-2004
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
APT20M36BLL
APT20M36SLL
200V 65A 0.036
W
BLL
D
3
PAK
TO-247
功率MOS 7
TM
功率MOS 7
TM
是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
损失与功率MOS 7解决
TM
通过显著降低
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7
TM
结合了低导通损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
SLL
更高的功耗
容易驾驶
TO- 247或表面贴装
3
PAK封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M36
单位
伏
安培
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
EC ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
200
65
260
±30
±40
325
2.6
300
65
30
（重复，不重复）
1
4
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
1300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
65
0.036
25
250
3
5
±100
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
1-2001
050-7007
转 -
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
nA
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M36 BLL - SLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
民
典型值
最大
单位
2840
950
73
70
21
39
9
12
23
8
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 1.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
民
典型值
（体二极管）
2
ns
最大
单位
安培
伏
ns
C
65
260
1.3
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
280
3.5
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.38
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = .615mH ， R = 25
W,
峰值I = 65A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
TO- 247封装外形
漏
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
1-2001
0.40 (.016)
0.79 (.031)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
转 -
门
漏
来源
散热器（漏）
并导致
镀
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-7007
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
来源
漏
门
单位为毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
