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APT20M18B2VR
APT20M18LVR
200V 100A 0.018
W
B2VR
功率MOS V
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
T- MAX
TO-264
LVR
相同的规格：
T- MAX
或TO- 264封装
更快的开关
低漏
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
D
G
S
100 ％雪崩测试
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M18
单位
伏
安培
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
5
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
5
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
L
A
IC
N
H
为C n
TE IO
AT
E
C
M
N
R
A
V
FO
d。在
A
200
100
400
5
±30
±40
625
5.0
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
-55到150
300
100
50
（重复，不重复）
1
4
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
5
民
典型值
最大
单位
伏
安培
200
100
0.018
25
250
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
REV- 11-99
050-5910
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M18 B2VR - LVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
民
典型值
最大
单位
9910
2270
650
330
75
18
27
54
6
143
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流
脉冲源电流
1
5
二极管的正向电压
L
A
IC
N
H
EC号指令
T I
AT
E
C
M
N
R
A
O
V
INF
A
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 0.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
民
典型值
（体二极管）
5
ns
最大
单位
安培
伏
ns
C
100
400
1.3
（体二极管）
2
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
360
6.7
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.20
40
4
启动T = + 25 ° C，L = 600μH ， R = 25W ，峰值I = 100A
j
G
L
5
的最大电流由铅温度的限制。
1
重复评价：脉冲宽度有限的最大的T
j
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
T- MAX （ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
集热器
集热器
20.80 (.819)
21.46 (.845)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50
（ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
REV- 11-99
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
门
集热器
辐射源
门
集热器
辐射源
0.48 (.019) 0.76 (.030)
0.84 (.033) 1.30 (.051)
2.79 (.110)
2.59 (.102)
3.18 (.125)
3.00 (.118)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-5910
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
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推荐型号
AS1333-BWLT
AD1994ACPZRL7
AM29LV800DB-70WCC
AM29LV800DB70WCC
ATS-54310K-C2-R0
AME8501BEFTBE26
A1225-PG100C
AM29DL324GB70WMF
ASM1232LPN
AT24RF08CN-10SC
AM-7600
AD7849BN
ADCLK954/PCBZ
AP9976GM
A7AS-206-PM
ATF16V8CZ-15XC
A019107
AS2574
AW02M
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2024
20918
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