D1
D3
ARF1511
D1
D3
G1
S1D2
S3D4
G2
G3
G1
S1D2
G3
ARF1511
S3D4
G4
G2
S2
G4
S4
RF功率MOSFET
全桥
S2
S4
380V
750W
40MHz
该ARF1511是布置在H桥CON组fi guration四个RF功率晶体管。它旨在用于离线300V
在大功率科学的C，医疗，工业射频功率发生器和放大器呃应用多达40操作
兆赫。
高性能RF功率封装。
特定网络连接编380伏， 27.12 MHz的特点：
非常高的击穿了提高耐用性。
输出功率= 750瓦。
低热阻。
增益= 17分贝（ D类）
氮化物钝化模具以提高可靠性。
符合RoHS
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
东盟地区论坛1511
单位
伏
安培
伏
瓦
°C
500
20
±30
1500
-55至175
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
隔离
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250
μA)
在国家漏极电压
1
民
典型值
最大
单位
伏
μA
nA
姆欧
伏
伏
500
5
6
25
250
±100
3.3
待定
3
5
5.5
8
(I
D
（上）
= 10A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 10A)
RMS电压
（ 60Hz的正弦波从终端到安装表面上，1分钟）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
热特性
符号特性（每包，除非另有说明）
R
θJC
R
θJHS
结到外壳
结到沉
（使用高英法fi效率导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
10-2008
050-4927修订版D
0.10
0.16
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循
.
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
AR
E
AS
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
重复性雪崩能量
2
3
ARF1511
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 200V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 20A @ 25°C
R
G
= 1.6
Ω
民
典型值
最大
单位
1200
150
60
7
6
20
4.4
10
450
1400
200
90
pF
ns
mJ
单普乐雪崩能量
功能特点
符号
G
PS
η
Ψ
特征
共源放大器器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 6 ： 1
测试条件
F = 40.7兆赫
V
GS
= 0V
V
DD
= 380V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
15
75
P
OUT
= 750W
在输出功率不降低
1脉冲测试：脉冲宽度< 380
μS,
占空比< 2 ％ 。
2重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
3起始物为
j
= + 25 ° C，L = 2.25mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 20A
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
D1
D3
.100
.175
D1
D3
危险材料
警告
G3
G1
G3
1.065"
27.05 mm
S1D2
ARF1511
S3D4
.100
.075
.100
.175
G1
S1D2
S3D4
G2
G2
S2
G4
S4
.100
.075
.100
G4
.300
1.065"
27.05 mm
.300
S2
S4
该装置的陶瓷部
引线和安装面之间
是氧化铍，氧化铍。铍
当吸入灰尘氧化物是有毒的。
必须小心处理过程中采取
和安装，以避免损坏
这个区域。这些设备必须永远
被扔掉的一般industri-
人或生活垃圾。
散热考虑和包安装：
.254
.045 .005
050-4927修订版D 10-2008
额定1500W的功耗仅
当封装的安装面是在25℃和
结温度为175 ℃。热敏电阻
路口和案例安装面之间tance
0.10 ° C / W 。安装时，额外的热
0.06 ° C /阻抗W上的封装基座之间
安装表面是光滑和
在。热联合
化合物必须用来减少小的影响
表面的不规则性。散热器应设有一个
铜散热片，以获得最佳效果。
包被设计成钳位到一个散热片。一
夹紧接头保持所需的压力越来越大
同时允许两个设备的热膨胀
和散热器。一个简单的夹子，和两个6-32 （ M3.5 ）
螺丝可以提供所需的最低125英镑
安装力。 T = - 磅4-6 。请参考应用笔记
1802 "Mounting说明无凸缘Packages."
钳
东盟地区论坛1511
散热器
D1
D3
ARF1511
D1
D3
G1
S1D2
S3D4
G2
G3
G1
S1D2
G3
ARF1511
S3D4
RF功率MOSFET
全桥
特定网络连接编380伏， 27.12 MHz的特点：
输出功率= 750瓦。
增益= 17分贝（ D类）
英法fi效率> 80 ％
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
G4
G2
S2
G4
S4
S2
S4
380V
750W
40MHz
该ARF1511是布置在H桥配置四个RF功率晶体管。它旨在用于离线300V操作
在高功率科学，医学和工业RF功率发生器和放大器应用到40兆赫。
高性能RF功率封装。
非常高的击穿了提高耐用性。
低热阻。
氮化物钝化模具以提高可靠性。
所有单位裸片评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
东盟地区论坛1511
单位
伏
安培
伏
瓦
°C
500
20
±30
1500
-55 200
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
隔离
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电压
1
民
典型值
最大
单位
伏
A
nA
姆欧
伏
伏
500
5
6
25
250
±100
3.3
2500
3
5
5.5
8
(I
D
（上）
= 10A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 10A)
RMS电压
（ 60Hz的正弦波从终端到安装表面上，1分钟）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
特性（每包除非另有说明）
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
5-2005
050-4927修订版A
0.12
0.08
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
AR
E
AS
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
重复性雪崩能量
单普乐雪崩能量
2
3
ARF1511
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 200V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= 20A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
1200
150
60
7
6
20
4.4
10
450
1400
200
90
pF
ns
mJ
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 6 ： 1
测试条件
F = 40.7兆赫
V
GS
= 0V
V
DD
= 380V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
15
75
P
OUT
= 750W
在输出功率不降低
1脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％ 。
2重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
3起始物为
j
= + 25 ° C，L = 2.25mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 20A
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
D1
D3
.100
.175
D1
D3
危险材料
警告
G3
G1
G3
1.065"
27.05 mm
S1D2
ARF1511
S3D4
.100
.075
.100
.175
G1
S1D2
S3D4
G2
G2
S2
G4
S4
.100
.075
.100
G4
.300
1.065"
27.05 mm
.300
S2
S4
该装置的陶瓷部
引线和安装面之间
是氧化铍，氧化铍。铍
当吸入灰尘氧化物是有毒的。
必须小心处理过程中采取
和安装，以避免损坏
这个区域。这些设备必须永远
被扔掉的一般industri-
人或生活垃圾。
.254
.045 .005
散热考虑和包安装：
额定1500W的功耗仅当包安装
表面在25℃和结温为200℃ 。热敏电阻
路口和案例安装面之间为0.12 ° C / W 。当安装和
0.08 ℃/ W上的封装基座和安装之间的额外的热阻抗
表面上是典型的。确保该安装表面是光滑和平坦。热联合
化合物必须用来减少的小的表面不规则性的影响。热
沉应包括铜散热片，以获得最佳效果。
包被设计成钳位到一个散热片。一个夹紧联合维护
所需的安装压力，同时允许两个设备的热膨胀
和散热器。一个简单的夹子和两个6-32 （ M3.5 ）螺杆可提供最小
125磅所需的安装力。 T =卷磅12 。
5-2005
REV A
钳
东盟地区论坛1511
050-4927
散热器
QQ：2881677436 复制
