【CMOS ， ± 5 V / + 5 V ，4 Ω ，单SPDT开关ADG619/ADG620特点6】,IC型号ADG619BRM-REEL,ADG619BRM-REEL PDF资料,ADG619BRM-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMOS ， ± 5 V / + 5 V ，

4 Ω ，单SPDT开关

ADG619/ADG620

特点

6.5 Ω （最大值）导通电阻

0.8 Ω （最大值）导通电阻平坦度

2.7 V至5.5 V单电源供电

± 2.7 V至± 5.5 V双电源供电

轨到轨工作

8引脚SOT-23封装， 8引脚MSOP

典型功耗（ <0.1 μW ）

TTL / CMOS兼容输入

功能框图

ADG619/ADG620

应用

自动测试设备

电源布线

通信系统

数据采集系统

采样保持系统

航空电子学

继电器更换

电池供电系统

笔记

如图所示为一开关系列

逻辑1输入。

图1 。

概述

该ADG619 / ADG620均为单芯片， CMOS单刀

双掷（SPDT）开关。每个开关的导电性能相同

以及在当该设备是在两个方向上。

该ADG619 / ADG620提供了低通的4 Ω的电阻，这

匹配到内0.7 Ω通道之间。这些开关

还提供低功耗，但会导致较高的开关

速度。该ADG619展品先开后合式开关

动作，从而防止了暂时短路的开关时

通道。该ADG620展品先接后断动作。

该ADG619 / ADG620均采用8引脚SOT- 23和

8引脚MSOP封装。

产品亮点

低导通电阻（R

）： 4 Ω典型。

双± 2.7 V至± 5.5 V或单2.7 V至5.5 V电源供电。

低功耗。

快速吨

关闭

微小的8引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装。

表1真值表为ADG619 / ADG620

开关S1

关闭

开关S2

关闭

版本C

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02617-001

ADG619/ADG620

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

双电源................................................ ................................... 3

单电源................................................ ................................. 5

绝对最大额定值............................................... ............. 6

ESD注意事项................................................ ................................... 6

引脚配置和功能描述............................ 7

典型性能特征.............................................. 8

术语................................................. ................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 11

外形尺寸................................................ ....................... 13

订购指南................................................ ............................... 14

修订历史

3月7日 - 修订版。 B到C版

更改规格............................................... ................. 3

1/06 -REV 。 A到版本B

更改至R

在表2中的值.............................................. 2 .....

更新的外形尺寸............................................... ........ 13

更改订购指南.............................................. ............ 13

6月3日 - 修订版。 0到版本A.

编辑规格............................................... ....................... 2

更改订购指南.............................................. .............. 4

更新的外形尺寸............................................... .......... 8

版本C | 16页2

ADG619/ADG620

特定网络阳离子

双电源

= +5 V ± 10%, V

= -5 V ±10 ％， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

通道间匹配（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

ADG619

关闭

突破前先延时，T

BBM

ADG620

关闭

先接后断延时，T

MBB

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±1

2.4

0.8

0.005

±0.1

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

+25°C

B版本

-40 ° C至+ 85°C

到V

6.5

0.7

1.1

0.7

1.35

8.5

1.35

0.8

1.4

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

测试条件/评论

= +4.5 V, V

= 4.5 V

= -4.5 V，I

= -10毫安;参见图15

= -4.5 V，I

= -10毫安

= ± 3.3 V，I

= -10毫安

= +5.5 V, V

= 5.5 V

= ±4.5 V, V

4.5 V ;参见图16

= V

= ± 4.5 V ;参见图17

= V

INL

或V

INH

120

155

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 3.3 V ;参见图19

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 0 V ;参见图20

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图21

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图22

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图23

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图24

F = 1 MHz的

200

330

160

110

190

400

版本C |第16页3

ADG619/ADG620

参数

电源要求

+25°C

0.001

1.0

0.001

1.0

B版本

-40 ° C至+ 85°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= +5.5 V, V

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

版本C | 16页4

ADG619/ADG620

单电源

= 5 V ± 10%, V

= 0 V ， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

通道间匹配（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

ADG619

关闭

突破前先延时，T

BBM

ADG620

关闭

先接后断延时，T

MBB

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+25°C

B版本

40°C

至+ 85°C

0 V至V

0.8

1.1

0.5

12.5

1.3

0.5

1.2

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

测试条件/评论

= 4.5 V, V

= 0 V

= 0 V至4.5 V，I

= -10毫安;参见图15

= 0 V至4.5 V，I

= -10mA

= 1.5 V至3.3 V，I

= -10毫安

= 5.5 V

= 1 V/4.5 V, V

= 4.5 V / 1 V ;参见图16

= V

= 1 V / 4.5 V ;参见图17

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±1

2.4

0.8

0.005

±0.1

= V

INL

或V

INH

120

220

280

110

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 3.3 V ;参见图19

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图20

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图21

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;见图

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;见图

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图24

F = 1 MHz的

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

210

340

170

190

0.001

110

420

1.0

温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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