初步的技术数据
特点
2Ω最大导通电阻
0.5Ω最大导通电阻平坦度
200毫安连续电流
33 V电源电压范围
在+12 V ，± 15 V ， ± 5 V
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
14引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
2Ω最大导通电阻，
±15 V/12 V/±5 V 4:1
iCMOS
多路复用器
ADG1404
功能框图
ADG1404
S1
S2
S3
S4
D
1 4
解码器
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
通信系统
继电器更换
A0
A1
EN
图1 。
概述
该ADG1404是一个互补型金属氧化物半导体
（ CMOS）的模拟多路复用器，其包括4个单通道
设计上的
iCMOS工艺
流程。
iCMOS工艺
（工业CMOS ）是一种
模块化制造工艺，结合高电压
CMOS和双极型技术。它使开发
范围广泛的高性能模拟集成电路可为33 V
在足迹的操作，没有上一代高
电压部分已经能够实现。与使用模拟IC
传统的CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以
承受高电源电压，同时还能提升
性能，大大降低了功耗，并
减小封装尺寸。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围确保卓越的线性度和低失真的时候
切换音频信号。
iCMOS工艺
建设，确保超低功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
该ADG1404开关的四个输入至公共输出1 ，
D，作为由3位二进制地址线确定， A0，A1和
EN 。在EN引脚为逻辑0禁用该设备。每个开关
同样进行在两个方向上时，并且具有
延伸到所述电源的输入信号范围。在关闭条件
化，信号电平的电源被阻止。所有开关
展览突破之前，使开关动作。中固有的
设计为低电荷注入最小的瞬变时
切换数字输入。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
2Ω最大导通电阻随温度。
最小失真
3 V逻辑兼容数字输入：
V
IH
= 2.0 V, V
IL
= 0.8 V
无V
L
逻辑电源要求。
超低功耗： <0.03 μW 。
14引脚TSSOP和16引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装包。
REV.PrB
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ADG1404
目录
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 7
真值表................................................ .................................... 8
ESD注意事项................................................ .................................. 7
初步的技术数据
引脚配置和功能描述............................ 8
术语................................................. ...................................... 9
典型性能特征........................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 15
修订历史
牧师PRB |第17页2
初步的技术数据
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
NH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
TRANS
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
-40 ° C至+
85°C
-40 ° C至+
125°C
V
DD
到V
SS
1.5
2
0.1
0.5
0.1
0.5
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
±0.04
±1
±2.5
±2.5
±2.5
±5
±5
±5
2.0
0.8
0.005
±0.5
2.5
120
150
70
85
90
110
25
50
50
60
0.01
50
0.17
35
100
150
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
μA （典型值）
ADG1404
V
S
= -10 V，I
S
=
10
毫安;图21
V
DD
= +13.5 V, V
SS
=
13.5
V
V
S
= -10 V，I
S
=
10
mA
V
S
=
5
V， 0 V ，+ 5 V ;我
S
=
10
mA
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
s
=
10 V ;图22
V
S
= ±10 V, V
s
=
10 V ;图22
V
S
= V
D
= ± 10 V ;图23
V
IN
= V
INL
或V
INH
200
110
155
10
200
110
155
10
0.001
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图24
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图24
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图24
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图25
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图28
R
L
= 110 Ω ， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图29
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图29
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
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