APTM50DAM19G
升压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
CR1
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 19MΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 163A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
OUT
特点
Q2
G2
S2
0/VBUS
VBUS
0/VBUS
OUT
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
符合RoHS
S2
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1–6
APTM50DAM19G - 修订版3
2006年7月
T
c
= 25°C
最大额定值
500
163
122
652
±30
22.5
1136
46
50
2500
单位
V
A
V
m
W
A
APTM50DAM19G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
民
典型值
最大
0.11
0.46
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
SP6封装外形
（单位：mm ）
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3–6
APTM50DAM19G - 修订版3
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
2006年7月
APTM50DAM19G
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
科斯
V
GS
，门源电压（ V）
1000
限于由R
DSON
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
在电阻与温度
V
GS
=10V
I
D
=81.5A
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
100s
100
限于由R
DS
on
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
1ms
10ms
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
14
V
DS
=100V
I
D
=163A
12吨= 25°C
J
V =250V
DS
10
8
6
4
2
0
0
80 160 240 320 400 480 560 640
栅极电荷（ NC）
2006年7月
V
DS
=400V
1000
CRSS
100
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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