【ACE2303技术描述该ACE2303是晶体管都P沟道逻辑增强型功率场效应采用高密度， DMOS沟道】,IC型号ACE2303,ACE2303 PDF资料,ACE2303经销商,ic,电子元器件-51电子网

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ACE2303

技术

描述

该ACE2303是晶体管都P沟道逻辑增强型功率场效应

采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要在一个

非常小外形表面贴装封装。

P沟道增强型MOSFET

特点

-30V / -2.6A ，R

DS （ ON）

=130mΩ@V

GS

=-10V

-30V / -2.0A ，R

DS （ ON）

=180mΩ@V

GS

=-4.5V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力

SOT- 23-3L封装设计

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

绝对最大额定值

(T

A

= 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

=150℃)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

T

A

=25℃

T

A

=70℃

T

A

=25℃

T

A

=70℃

符号典型单位

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

T

英镑

R

θ

JA

-30

±20

-3.0

-2.0

-10

-1.25

1.25

0.8

150

100

V

V

A

A

A

W

℃

℃/W

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

-55/150

℃

1.2版本

1

ACE2303

技术

包装类型

SOT-23-3

3

P沟道增强型MOSFET

针

1

2

3

1

2

描述

门

来源

漏

订购信息

选购指南

ACE2303

XX +

铅 - 免费

BM ： SOT- 23-3

1.2版本

2

ACE2303

技术

电气特性

(T

A

=25

℃

中，除非另有说明）

P沟道增强型MOSFET

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

SD

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-10uA

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

=0.V, V

GS

=±20V

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-30V, V

GS

= 0V牛逼

J

=55℃

V

DS

≦-5V,

V

GS

=-10V

V

GS

= -10V ，我

D

=-2.6A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-2.0A

V

DS

= -10V ，我

D

=-1.7A

I

S

= -1.25A ，V

GS

=0V

V

DS

=-15V, V

GS

=-10V,

I

D

-1.7A

V

DS

=-15V, V

GS

=0V,

f=1MHz

V

DD

= -15V ，R

L

=15

I

D

≡-1.0A,

V

根

=-10V

R

G

=6

分钟。

-30

-1.0

典型值

马克斯。

单位

V

nA

uA

A

-3.0

±100

-1

-10

0.095 0.130

0.125 0.180

2.4

-0.8

-1.2

5.8

0.8

1.5

226

87

19

9

9

18

6

10

-6

S

V

nC

pF

20

20

35

20

ns

1.2版本

3

ACE2303

技术

典型

特征

输出特性

传输特性

P沟道增强型MOSFET

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极至源极电压（ V）

电容

导通电阻与漏电流

I

D

- 漏极电流（ A）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

1.2版本

4

ACE2303

技术

典型

特征

栅极电荷

导通电阻与结温

P沟道增强型MOSFET

O

q

总栅极电荷（ NC）

源极 - 漏极二极管正向电压

T

J

- 结温（ ℃ ）

导通电阻与栅极至源极电压

V

SD

源极到漏极电压（ V）

V

GS

- 栅极至源极电压（ V）

1.2版本

5

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ACE

1905+

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