APTM120DSK57T3G
双降压斩波
MOSFET功率模块
13 14
Q1
18
22
19
CR1
23
8
CR2
7
10
Q2
11
V
DSS
= 1200V
R
DSON
= 570mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 17A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的降压
符合RoHS
29
15
30
31
R1
32
16
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1–6
APTM120DSK57T3G-修订版2006年7月1日
最大额定值
1200
17
13
68
±30
684
390
22
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
APTM120DSK57T3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
测试条件
民
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
V
GS
= 0V,V
DS
= 1200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 1000V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
570
3
最大
250
1000
684
5
±100
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 600V
I
D
= 17A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 800V
I
D
= 17A
R
G
= 5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 800V
I
D
= 17A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 800V
I
D
= 17A ，R
G
= 5
民
典型值
5155
770
130
187
24
120
20
15
160
45
990
685
1565
857
最大
单位
pF
nC
ns
J
J
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
F
= 25A
V
R
= 600V
的di / dt = 1000A / μs的
民
1200
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
V
ns
C
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=1200V
I
F
= 25A
V
GE
= 0V
25
2.1
1.9
95
190
2.3
4.5
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
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2–6
APTM120DSK57T3G-修订版2006年7月1日
APTM120DSK57T3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.32
1.2
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
SP3封装外形
（单位：mm ）
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
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APTM120DSK57T3G-修订版2006年7月1日
17
28
APTM120DSK57T3G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.9
0.7
0.5
0.3
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
50
V
GS
= 15 10 & 8V
Transfert特点
80
70
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
7V
6.5V
60
50
40
30
20
10
0
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
6V
5.5V
5V
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 8.5A
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
20
16
12
8
4
0
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
V
GS
=10V
V
GS
=20V
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
APTM120DSK57T3G-修订版2006年7月1日
I
D
，漏电流（ A）
T
C
，外壳温度（ ° C）
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APTM120DSK57T3G
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
C，电容（pF ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80
120
160
200
240
栅极电荷（ NC）
APTM120DSK57T3G-修订版2006年7月1日
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=8.5A
100
100s
限于由R
DS
on
1ms
10ms
10
1
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
1200
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
栅极电荷VS门源电压
I
D
=17A
T
J
=25°C
V
DS
=240V
V
DS
=600V
V
DS
=960V
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
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5–6
QQ：2881677436 复制
