AON6506
30V N通道AlphaMOS
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
1
5
±100
1.2
C
T
J
=125°
1.7
2.1
2.4
2.9
85
0.7
1
36
2719
2.2
2.6
3
3.8
A
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.9
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
1204
169
2
44
3
60
28
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
21
9
7
9.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
5.2
32.5
10.3
19.6
42.7
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.单脉冲宽度有限的结点温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AON6506
30V N通道AlphaMOS
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
8
3000
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
2500
2000
1500
1000
2
500
C
RSS
0
0
20
30
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
50
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
4000
3500
C
国际空间站
4
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10s
200
160
10s
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
120
80
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
DC
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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30V N通道AlphaMOS
典型的电气和热特性
100
40
功耗（ W）
80
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
30
60
20
40
20
10
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注F）
25
50
150
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
100
10
1
1E-05
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=64°C/W
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.001
1E-05
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
0.001
0.01
100
1000
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30V N通道AlphaMOS
概述
最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
非常低的RDS（on ），在4.5V
GS
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
30V
36A
< 2.6mΩ
< 3.8mΩ
应用
在电脑，服务器和POL DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
DFN5X6
顶视图
底部视图
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
G
S
PIN1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
V
DS
穗
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
36
28
144
33
26
60
90
36
83
33
4.2
2.7
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
A
mJ
V
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
24
53
1.2
最大
30
64
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 ： 2012年2月
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第1页6
AON6506
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
1
5
±100
1.2
T
J
=125°
C
1.7
2.1
2.4
2.9
85
0.7
1
36
2719
2.2
2.6
3
3.8
A
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.9
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
1204
169
2
44
3
60
28
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
21
9
7
9.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
5.2
32.5
10.3
19.6
42.7
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.单脉冲宽度有限的结点温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AON6506
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
8
3000
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
2500
2000
1500
1000
2
500
C
RSS
0
0
20
30
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
50
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
4000
3500
C
国际空间站
4
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10s
200
160
10s
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
120
80
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
DC
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2012年2月
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第4 6
AON6506
典型的电气和热特性
100
40
功耗（ W）
80
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
30
60
20
40
20
10
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注F）
25
50
150
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
100
10
1
1E-05
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=64°C/W
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.001
1E-05
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
0.001
0.01
100
1000
冯0 ： 2012年2月
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