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ACTS573T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4613.1
抗辐射八路三态
透明锁存器
Intersil的卫星应用
( SAF )设备完全
经过测试,保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理,以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商,同时保持高
的可靠性水平。
Intersil的ACTS573T是一种抗辐射八路
透明锁存器与低电平有效输出使能。该
输出是透明的输入时,锁存器使能
( LE )为高。当闩锁变低的数据进行锁存。
输出使能控制三态输出。当
输出使能引脚( OE )为高的输出处于一个高
阻抗状态。闩锁操作是独立的
输出使能状态。
溢流
TM
特点
QML T级,每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛(γ) 1 ×10
5
Rad公司(SI )
- 闭锁免费在任何条件
- 单事件翻转( SEU )免疫: <1 ×10
-10
错误/位/天(典型值)
- SEU LET阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.>100 MEV -厘米
2
/毫克
1.25微米抗辐射CMOS SOS
显着的功耗相比减少ALSTTL逻辑
直流工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- V
IL
= 0.8V最大
- V
IH
= VCC / 2敏
快速传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 18ns (最大值)为12ns (典型值)
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的ACTS573T是
载于SMD 5962-96725 。
“热链接”是由提供
我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划( QM计划) ,其中列出了所有
T级筛选作业,也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
引脚配置
ACTS573T ( SBDIP ) , CDIP2 -T20
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
订购信息
订购
信息
5962R9672502TRC
5962R9672502TXC
部分
ACTS573DTR-02
ACTS573KTR-02
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
D7
GND 10
ACTS573T ( FLATPACK ) , CDFP4 -F20
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
注意:
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接
.
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
ACTS573T
工作原理图
1 8个相同的电路
VCC
LE
p
Dn
n
LE
LE
p
n
LE
OE
n
V
SS
Qn
OE
p
通用控件
LE
LE
LE
OE
OE
OE
真值表
OE
L
L
L
L
H
LE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
产量
H
L
L
H
Z
注: L =低逻辑电平, H =高逻辑电平,X =无关, Z =高阻抗, L =低电压电平此前高到低锁存使能
转型, H =高电压电平此前高到低锁存使能转变。
2
ACTS573T
模具特点
DIE尺寸:
( 2600μm X 2600μm X 533μm
±51m)
102 X 102 X 21mils
±2mil
金属化:
类型:铝姒促
厚度: 10K
±2k
衬底电位:
无偏(蓝宝石上硅)
焊盘# 20首
背面表面处理:
蓝宝石
钝化:
类型: SILOX (S
i
O
2
)
厚度: 8K
±1k
最坏情况下的电流密度:
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量:
190
过程:
CMOS SOS
金属掩模布局
ACTS573T
(20) V
CC
(19) Q0
(18) Q1
( 1 ) OE
(3) D1
(2) D0
D2 (4)
D3 (5)
NC
(17) Q2
(16) Q3
NC
NC
D4 (6)
D5 (7)
NC
(15) Q4
(14) Q5
GND (10)
LE ( 11 )
D6 (8)
D7 (9)
Q7 (12)
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此,告诫读者,以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而,承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯,可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息,请参阅网站
http://www.intersil.com
3
Q6 (13)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ACTS573DTR-02
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联系人:刘先生
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