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APTGF50DU120TG

双共源

NPT IGBT功率模块

V

CES

= 1200V

I

C

= 50A @ T = 80℃

应用

AC开关

开关电源

不间断电源

C1

Q1

G1

C2

Q2

G2

E1

E2

NT C1

E

NT C2

G2

E2

C2

C1

E

C2

E1

G1

E2

G2

NTC2

NTC1

特点

非穿通（ NPT ） IGBT快速

- 低电压降

- 低尾电流

- 开关频率高达50 kHz的

- 软恢复二极管并联

- 低二极管VF

- 低漏电流

- 额定雪崩能量

- RBSOA和SCSOA评分

开尔文射，方便车道

极低的杂散电感

- 对称设计

- 用于电源连接引线架

内部热敏电阻的温度监测

高集成度

好处

突出表现在高频率

手术

稳定的温度特性

很皮实

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC

低调

符合RoHS

最大额定值

1200

75

50

150

±20

312

100A @ 1200V

单位

V

2006年7月

1-6

APTGF50DU120TG - 第2版

绝对最大额定值

符号

V

CES

I

C

I

CM

V

GE

P

D

RBSOA

参数

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

T

c

= 25°C

T

c

= 80°C

T

c

= 25°C

T

c

= 25°C

T

j

= 150°C

A

V

W

集电极电流脉冲

门 - 发射极电压

最大功率耗散

反向偏置安全工作区

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

APTGF50DU120TG

所有评级@ T

j

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

零栅极电压集电极电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极阈值电压

门 - 发射极漏电流

测试条件

V

GE

= 0V

T

j

= 25°C

V

CE

= 1200V

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

V

GE

=15V

I

C

= 50A

T

j

= 125°C

V

GE

= V

CE

, I

C

= 1毫安

V

GE

= 20 V, V

CE

= 0V

民

典型值

最大

250

500

3.7

6.5

100

单位

A

V

nA

3.2

4.0

4.5

动态特性

符号

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

E

on

E

关闭

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门 - 发射极电荷

门 - 集电极费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

V

GE

= 0V

V

CE

= 25V

F = 1MHz的

V

GS

= 15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 50A

电感式开关（ 25 ° C）

V

GE

= 15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 50A

R

G

= 5

电感式开关（ 125°C ）

V

GE

= ±15V

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 50A

R

G

= 5

V

GE

= ±15V

T

j

= 125°C

V

公共汽车

= 600V

I

C

= 50A

T

j

= 125°C

R

G

= 5

民

典型值

3450

330

220

330

35

200

35

65

320

30

35

65

360

40

6.9

最大

单位

pF

nC

ns

mJ

3.05

反向二极管额定值和特性

符号特性

V

RRM

最大峰值重复反向电压

I

RM

I

F

V

F

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

测试条件

V

R

=1200V

I

F

= 60A

I

F

= 120A

I

F

= 60A

I

F

= 60A

V

R

= 800V

的di / dt = 400A / μs的

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

TC = 70℃

民

1200

典型值

最大

2500

500

单位

V

A

t

rr

Q

rr

反向恢复时间

反向恢复电荷

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

T

j

= 25°C

T

j

= 125°C

370

500

1320

6900

ns

nC

www.Microsemi.com

2-6

APTGF50DU120TG - 第2版

2006年7月

T

j

= 125°C

60

2.0

2.3

1.8

2.5

V

APTGF50DU120TG

热和包装特点

符号特性

R

thJC

V

ISOL

T

J

T

英镑

T

C

力矩

Wt

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

IGBT

二极管

2500

-40

2.5

民

典型值

最大

0.4

0.65

150

125

100

4.7

160

单位

° C / W

V

°C

牛米

g

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

M5

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号特性

R

25

电阻@ 25°C

B

25/85

T

25

= 298.15 K

民

典型值

50

3952

最大

单位

k

K

R

T

=

R

25

1 1

R

T

：热敏电阻在T值

EXP

B

25 / 85

T

25

T：热敏电阻温度

SP4封装外形

（单位：mm ）

请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com

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APTGF50DU120TG - 第2版

ALL DIMENSIO NS注明" * "有T OLERENCED AS ：

2006年7月

APTGF50DU120TG

典型性能曲线

200

IC ，集电极电流（ A）

160

120

80

40

0

2

4

6

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

传输特性

V

GE

，门到发射极电压（ V）

8

T

J

=125°C

输出特性（Ⅴ

GE

=15V)

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

T

J

=25°C

50

IC ，集电极电流（ A）

输出特性（Ⅴ

GE

=10V)

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

T

J

=25°C

40

30

20

T

J

=125°C

10

0

1

2

3

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

栅极电荷

4

300

IC ，集电极电流（ A）

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

50

100

150

200

I

C

= 50A

T

J

= 25°C

V

CE

=600V

250

200

150

100

50

0

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

V

CE

=240V

T

J

=25°C

V

CE

=960V

T

J

=125°C

T

J

=25°C

4

8

12

V

GE

，门到发射极电压（ V）

导通电压VS门到发射伏。

T

J

= 25°C

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

16

250

300

350

栅极电荷（ NC）

导通电压VS结温

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

9

6

5

4

3

2

1

0

-50

-25

0

25

50

75

100

T

J

，结温（ ° C）

125

Ic=25A

250μs的脉冲测试

< 0.5 ％占空比

V

GE

= 15V

Ic=100A

Ic=50A

Ic=100A

Ic=50A

Ic=25A

10

11

12

13

14

15

V

GE

，门到发射极电压（ V）

击穿电压VS结温。

16

集电极到发射极击穿电压

（归一化）

1.20

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

0.75

0.70

-50

-25

0

25

50

75 100

T

J

，结温（ ° C）

125

IC ， DC集电极电流（ A）

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

集电极直流电流与外壳温度

1.15

-50

-25

0

25 50

75 100 125 150

T

C

，外壳温度（ ° C）

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APTGF50DU120TG - 第2版

2006年7月

APTGF50DU120TG

导通延迟时间与集电极电流

TD （上），导通延迟时间（纳秒）

V

CE

= 600V

R

G

= 5

V

GE

= 15V

关断延迟时间与集电极电流

TD （关），关断延迟时间（纳秒）

45

400

V

GE

=15V,

T

J

=125°C

40

350

35

300

V

GE

=15V,

T

J

=25°C

V

CE

= 600V

R

G

= 5

30

250

25

0

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

电流上升时间与集电极电流

200

0

25

50

75

100

125

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

电流下降时间与集电极电流

180

V

CE

= 600V

R

G

= 5

50

TR ，上升时间（纳秒）

TF ，下降时间（纳秒）

140

40

T

J

= 125°C

100

V

GE

=15V

30

T

J

= 25°C

V

CE

= 600V, V

GE

= 15V ，R

G

= 5

60

20

0

25

50

75

100

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

125

20

0

25

50

75

100

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

125

EON，开启能量损耗（兆焦耳）

24

20

16

12

8

4

0

V

CE

= 600V

R

G

= 5

T

J

=125°C,

V

GE

=15V

EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）

28

开启能量损耗VS集电极电流

关断能量损耗VS集电极电流

8

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 5

T

J

= 125°C

6

4

T

J

= 25°C

T

J

=25°C,

V

GE

=15V

2

0

25

50

75

100

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

125

25

50

75

100

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

125

开关损耗（兆焦耳）

开关损耗VS栅极电阻

18

8

开关损耗VS结温。

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

R

G

= 5

EON， 50A

16

14

12

10

8

6

4

2

0

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

T

J

= 125°C

EON， 50A

6

EOFF ， 50A

EON， 25A

4

EOFF ， 50A

EON， 25A

EOFF ， 25A

0

10

20

30

40

栅极电阻（欧姆）

50

0

25

50

75

100

T

J

，结温（ ° C）

125

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APTGF50DU120TG - 第2版

2

2006年7月