添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1089页 > AP9962J
AP9962H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
40V
20mΩ
32A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9962J ）可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
40
±20
32
20
150
34.7
0.27
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.5
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201028031
AP9962H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
40
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
19
-
-
-
13
5
8
8
38
20
5
180
115
MAX 。单位
-
-
20
30
3
-
1
25
±100
21
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=20A
V
DS
=32V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.0Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1170 1870
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 32A ，V
GS
=0V
I
S
=20A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
14
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9962H/J
140
120
120
T
C
=25 C
o
10V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150
o
C
100
10V
8.0V
100
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
80
80
6.0V
60
60
4.5V
40
4.5V
40
20
20
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
V
G
=3.0V
0
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
36
1.8
I
D
=20A
32
T
C
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
1.6
I
D
=20A
V
G
=10V
28
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
24
1.2
20
1.0
16
0.8
12
0.6
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.4
30
2.2
25
2
20
15
o
T
j
=150 C
10
V
GS （ TH）
(V)
1.4
1.8
I
S
(A)
T
j
=25 C
o
1.6
1.4
5
1.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9962H/J
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=20A
12
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=20V
10
V
DS
=25V
V
DS
=32V
C（ pF）的
1000
西塞
8
6
科斯
100
CRSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
100us
1ms
I
D
(A)
10
0.2
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
1s
DC
P
DM
0.02
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
T
C
=25 C
单脉冲
o
0.01
单脉冲
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
AP9962H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
40V
20mΩ
32A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9962J ）可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
40
±20
32
20
150
34.7
0.27
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.5
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201028031
AP9962H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
40
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
19
-
-
-
13
5
8
8
38
20
5
180
115
MAX 。单位
-
-
20
30
3
-
1
25
±100
21
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=20A
V
DS
=32V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.0Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1170 1870
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 32A ，V
GS
=0V
I
S
=20A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
14
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9962H/J
140
120
120
T
C
=25 C
o
10V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150
o
C
100
10V
8.0V
100
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
80
80
6.0V
60
60
4.5V
40
4.5V
40
20
20
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
V
G
=3.0V
0
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
36
1.8
I
D
=20A
32
T
C
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
1.6
I
D
=20A
V
G
=10V
28
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
24
1.2
20
1.0
16
0.8
12
0.6
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.4
30
2.2
25
2
20
15
o
T
j
=150 C
10
V
GS （ TH）
(V)
1.4
1.8
I
S
(A)
T
j
=25 C
o
1.6
1.4
5
1.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9962H/J
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=20A
12
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=20V
10
V
DS
=25V
V
DS
=32V
C（ pF）的
1000
西塞
8
6
科斯
100
CRSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
100us
1ms
I
D
(A)
10
0.2
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
1s
DC
P
DM
0.02
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
T
C
=25 C
单脉冲
o
0.01
单脉冲
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
查看更多AP9962JPDF信息
推荐型号
AM27128A-2DC
ADS-947ME
AME8806GEHA
AM29DL640D50EFN
AM29LV800DB-90WBF
AM29LV800DB90WBF
AT89S8252-33JC
AME8570AEITAF23Z
ACTQ963
AI3D16J
APTGF100DU120TG
AD408M48VPA-5
ATR4256
AA-BADYA9-FREQ
AT29C512-15DM
AM27C256-100/BUA
ADM233LJN
AT25HP512W2-10SC
AF4362NSA
AM28F512A-150JI
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP9962J
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AP9962J
APEC
2413+
12000
TO-251
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AP9962J
APEC/富鼎
2443+
23000
TO-251
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
AP9962J
APEC/富鼎
24+
9634
TO-251
全新原装现货，原厂代理。
深圳市金芯阳科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316406779 复制
电话：075584505750
联系人：刘生
地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
AP9962J
APEC/富鼎
22+
18260
TO-251
原装代理现货，价格最优
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AP9962J
APEC
24+
25000
TO-251
全新进口原装现货！
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
AP9962J
APEC
24+
90000
TO-251
绝对全新原装/自己库存现货
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP9962J
APEC/富鼎
24+
21000
TO-251
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AP9962J
APEC/富鼎
2024
20918
TO-251
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AP9962J
APEC/富鼎
2024
20918
TO-251
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AP9962J
APEC/富鼎
21+
18500
TO-251
全新原装正品/质量有保证
查询更多AP9962J供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！