AF4362N
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 简单的驱动要求
- 低导通电阻
- 快速切换
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在SO -8封装的普遍首选的所有
商业，工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
产品概述
BV
DSS
(V)
30
R
DS （ ON）
(m)
6
I
D
(A)
18
引脚分配
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
引脚名称
S
G
D
描述
来源
门
漏
SO-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
4362N X X X
包
S： SO - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2005年9月5日
1/5
AF4362N
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
等级
30
±12
18
15
80
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
50
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
测试条件
分钟。
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.01
-
-
-
47
-
-
-
59
10
23
16
12
96
30
5080
660
400
马克斯。
-
-
5
6
8
1.2
-
1
uA
25
±100
95
-
-
-
-
-
-
8100
-
-
nA
nC
单位
V
V/
o
C
m
V
S
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
击穿电压参考温度为25
o
C,
I
D
=1mA
系数
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
静态漏源
V
GS
= 4.5V ，我
D
=12A
导通电阻
（注3）
V
GS
= 2.5V ，我
D
=6A
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
=12A
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=30V, V
GS
=0V
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=24V, V
GS
=0V
(T
J
=70
o
C)
栅源漏
V
GS
=±12V
总栅极电荷
（注3）
I
D
=18A,
V
DS
=24V,
栅极 - 源电荷
V
GS
=4.5V
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
V
DS
=15V,
I
D
=1A,
上升时间
R
G
=3.3, V
GS
=10V
打开-O FF延迟时间
R
D
=15
下降时间
输入电容
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
输出电容
f=1.0MHz
反向传输电容
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
（注3）
反向恢复时间
反向恢复电荷
2
测试条件
I
S
= 18A ，V
GS
=0V
I
S
= 18A ，V
GS
=0V,
dl/dt=100A/s
o
分钟。
-
-
-
典型值。
-
43
39
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
注1 ：
表面装在1 FR4板的铜垫;安装在最小的时候125℃ / W 。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/5
修订版1.1 2005年9月5日
QQ：2880707522 复制
