典型性能曲线
APT50GN120L2DQ2
APT50GN120L2DQ2G*
APT50GN120L2DQ2(G)
1200V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的非穿通（ NPT）场站的技术，这些IGBT的
具有非常短的，低幅度的尾电流和低的Eoff 。沟槽栅设计
结果优于V
CE （ON）的
性能。从非常紧张的易于并联的结果
参数分布及微正压V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内建的
栅极电阻保证了超可靠运行。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
TO-264
最大
G
C
1200V NPT场站
E
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
为10μs短路能力
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GN120L2DQ2(G)
单位
伏
1200
±30
@ T
C
= 25°C
134
66
150
150A @ 1200V
543
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 400A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
2
2
5.8
1.7
1.9
6.5
2.1
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
GINT
200
待定
600
4
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7606
版本B
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GN120L2DQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 2.2
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
V
CC
= 960V, V
GE
= 15V,
T
J
= 125 ° C，R
G
= 2.2
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
3600
210
170
9.5
315
20
190
150
10
28
27
320
115
待定
3900
4495
28
27
395
205
待定
5660
6795
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
s
R
G
= 2.2
7
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 2.2
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.23
.61
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
10-2005
版本B
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
GINT
或非门驱动器阻抗。
8连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7606
35
30
25
20
15
10
5
0
V
CE
= 800V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
G
= 2.2
L = 100 μH
V
GE
= 15V
500
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
APT50GN120L2DQ2(G)
V
GE
=15V,T
J
=125°C
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
400
300
V
GE
=15V,T
J
=25°C
200
100
30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
120
100
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
80
60
40
20
0
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
R
G
=
2.2, L
=
100
H，V
CE
=
800V
20
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
0
V
CE
=
800V
R
G
=
2.2
L = 100 μH
300
250
200
150
100
50
0
R
G
=
2.2, L
=
100
H，V
CE
=
800V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
25000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2
G
20
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2
G
20000
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
15000
10000
5000
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
50000
开关损耗（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
22000
开关损耗（ μJ ）
E
on2,
100A
20000
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2
G
40000
E
on2,
100A
30000
E
关，
100A
20000
E
关，
100A
10-2005
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
on2,
25A
10000
E
on2,
50A
E
on2,
25A
版本B
E
关，
50A
E
关，
25A
E
关，
25A
050-7606
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
6,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GN120L2DQ2(G)
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
0es
100
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.25
0.9
0.20
0.7
0.15
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
遥控模型
120
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.115
动力
（瓦特）
0.115
外壳温度。 （ ° C）
0.188F
0.0088F
50
F
10
5
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 2.2
G
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
图19B ，瞬态热阻抗模型
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
1
10 20
050-7606
版本B
10-2005
典型性能曲线
APT50GN120L2DQ2
APT50GN120L2DQ2G*
APT50GN120L2DQ2(G)
1200V
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
利用最新的非穿通（ NPT）场站的技术，这些IGBT的
具有非常短的，低幅度的尾电流和低的Eoff 。沟槽栅设计
结果优于V
CE （ON）的
性能。从非常紧张的易于并联的结果
参数分布及微正压V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。内建的
栅极电阻保证了超可靠运行。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动
设计和最小化损失。
TO-264
最大
G
C
1200V NPT场站
E
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
为10μs短路能力
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
C
G
E
应用范围：焊接，感应加热，太阳能逆变器，开关电源，马达驱动器， UPS
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
8
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT50GN120L2DQ2(G)
单位
伏
1200
±30
@ T
C
= 25°C
134
66
150
150A @ 1200V
543
-55到150
300
瓦
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 400A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 2毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
1200
5
1.4
2
2
5.8
1.7
1.9
6.5
2.1
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 50A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
伏
I
CES
I
GES
R
GINT
200
待定
600
4
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
nA
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
050-7606
版本B
10-2005
集电极截止电流（V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
A
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
SCSOA
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
r
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT50GN120L2DQ2(G)
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
CE
= 600V
I
C
= 50A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 2.2
7
,
V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 1200V
V
CC
= 960V, V
GE
= 15V,
T
J
= 125 ° C，R
G
= 2.2
7
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
3600
210
170
9.5
315
20
190
150
10
28
27
320
115
待定
3900
4495
28
27
395
205
待定
5660
6795
J
ns
ns
A
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
短路安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
4
4
55
4
5
s
R
G
= 2.2
7
导通开关能量（二极管）
6
T
J
= +25°C
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
导通开关能量（二极管）
66
T
J
= +125°C
R
G
= 2.2
7
热和机械特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JC
W
T
特征
结到外壳
（IGBT）
结到外壳
（二极管）
包装重量
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
.23
.61
5.9
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是蛤PED认证电感导通能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 （见图21 ， 22 ）
10-2005
版本B
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
7 R
G
是外部栅极电阻，不包括研究
GINT
或非门驱动器阻抗。
8连续电流限制的封装引线温度。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7606
35
30
25
20
15
10
5
0
V
CE
= 800V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
G
= 2.2
L = 100 μH
V
GE
= 15V
500
t
D（关闭）
，关断延迟时间（纳秒）
APT50GN120L2DQ2(G)
V
GE
=15V,T
J
=125°C
t
D（上）
，导通延迟时间（纳秒）
400
300
V
GE
=15V,T
J
=25°C
200
100
30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9 ，导通延迟时间与集电极电流
120
100
t
f,
下降时间（纳秒）
t
r,
上升时间（纳秒）
80
60
40
20
0
T
J
=
25或125°C ，V
GE
=
15V
R
G
=
2.2, L
=
100
H，V
CE
=
800V
20
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10 ，关闭延迟时间与集电极电流
0
V
CE
=
800V
R
G
=
2.2
L = 100 μH
300
250
200
150
100
50
0
R
G
=
2.2, L
=
100
H，V
CE
=
800V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11 ，电流上升时间与集电极电流
25000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
E
关闭
，关闭能量损失（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2
G
20
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12 ，电流下降时间与集电极电流
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2
G
20000
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
125°C ，V
GE
=
15V
15000
10000
5000
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C，V
GE
=
15V
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图13 ，开启能量损耗VS集电极电流
50000
开关损耗（ μJ ）
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
T = 125°C
J
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14 ，关闭能量损失VS集电极电流
22000
开关损耗（ μJ ）
E
on2,
100A
20000
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
V
= 800V
CE
V
= +15V
GE
R = 2.2
G
40000
E
on2,
100A
30000
E
关，
100A
20000
E
关，
100A
10-2005
E
on2,
50A
E
关，
50A
E
on2,
25A
10000
E
on2,
50A
E
on2,
25A
版本B
E
关，
50A
E
关，
25A
E
关，
25A
050-7606
10
20
30
40
50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图15 ，开关损耗与栅极电阻
0
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
图16 ，开关损耗VS结温
典型性能曲线
6,000
C
IES
I
C
，集电极电流（ A）
160
140
120
100
80
60
40
20
APT50GN120L2DQ2(G)
C，电容（ F）
P
1,000
500
C
0es
100
C
水库
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
0.25
0.9
0.20
0.7
0.15
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
注意：
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
PDM
t1
t2
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
遥控模型
120
F
最大
，工作频率（千赫）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
0.115
动力
（瓦特）
0.115
外壳温度。 （ ° C）
0.188F
0.0088F
50
F
10
5
T = 125
°
C
J
T = 75
°
C
C
D = 50 %
V
= 800V
CE
R = 2.2
G
= MIN （F
最大
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
D（上）
+ t
r
+ t
D（关闭）
+ t
f
最大
图19B ，瞬态热阻抗模型
f
max2
=
P
DISS
=
P
DISS
- P
COND
E
on2
+ E
关闭
T
J
- T
C
R
θJC
30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
1
10 20
050-7606
版本B
10-2005
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