A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1107/ALD1117
QUAD /双P沟道匹配的一对MOSFET阵列
概述
该ALD1107 / ALD1117是单片四/双P沟道enhance-
适用于范围广泛的换货模式匹配的MOSFET晶体管阵列
精密模拟应用。该ALD1107 / ALD1117提供高输入
阻抗和负电流的温度系数。晶体管
对被匹配为最小的偏移电压和差热
响应，并且它们被设计为精确的模拟开关和
在放大+ 2V应用到+ 12V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。这些
MOSFET器件具有非常大的（几乎是无限的）电流增益低
频率或接近直流，操作环境。该ALD1107 / ALD1117
正在为差分放大器输入级模块，传输
门和多路转换器应用中，电流源和许多精密
模拟电路。
特点
-0.7V的低阈值电压
低输入电容
沃斯低2mV的典型
高输入阻抗 - 10
14
典型
负电流（I
DS
）温度系数
增强模式（常关）
直流电流增益10
9
低输入和输出泄漏电流
符合RoHS
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
包
ALD1117SAL
14引脚SOIC
包
ALD1107SBL
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8引脚塑料DIP
包
ALD1117PAL
14引脚塑料DIP
包
ALD1107PBL
8引脚CERDIP
包
ALD1117DA
14引脚CERDIP
包
ALD1107DB
应用
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟信号处理
引脚配置
ALD1117
DP1
GP1
SP1
V
-
1
2
3
4
顶视图
SAL ， PAL ， DA套餐
8
7
6
5
DP2
GP2
SP2
V
+
ALD1107
DP1
GP1
SP1
V
-
DP4
GP4
SP4
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
SBL ， PBL ， DB套餐
14
13
12
11
10
9
8
DP2
GP2
SP2
V
+
DP3
GP3
SP3
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
框图
ALD1107
V- (4)
D
P1
(1)
D
P2
(14)
框图
ALD1117
V - (4)
D
P3
(10)
D
P4
(5)
~
G
P3
(9)
D
P1
(1)
~
D
P2
(8)
G
P1
(2)
G
P2
(13)
G
P4
(6)
G
P1
(2)
G
P2
(7)
S
P1
(3)
V+ (11)
S
P2
(12)
S
P3
(8)
V+ (11)
S
P4
(7)
S
P1
(3)
V+ (5)
S
P2
(6)
2.0版 2012高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压，V
GS
功耗
工作温度范围
-10.6V
-10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SAL ， PAL ， SBL ， PBL包
DA ， DB包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心： ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
ALD1107
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
-V
GS2
栅极阈值
温度
漂移
2
在漏
当前
跨
ALD1117
最大
-1.0
民
-0.4
典型值
-0.7
最大
-1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= -1.0μA V
GS
= V
DS
符号
V
T
民
-0.4
典型值
-0.7
V
OS
2
10
2
10
mV
I
DS
= -10μA V
GS
= V
DS
TC
VT
-1.3
-1.3
毫伏/°C的
I
DS （ ON）
-1.3
-2
-1.3
-2
mA
V
GS
= V
DS
= -5V
G
IS
G
fs
G
OS
0.25
0.67
0.5
40
0.25
0.67
0.5
40
mmho V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
%
μmho
V
DS
= -5V我
DS
= -10mA
不匹配
产量
导
漏源
抗性
漏源
抗性
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
1
栅极泄漏
当前
输入
电容
2
注意事项：
1
2
R
DS （ ON）
1200
1800
1200
1800
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
R
DS （ ON）
0.5
0.5
%
V
DS
= -0.1V V
GS
= -5V
BV
DSS
-12
-12
V
I
DS
= -1.0μA V
GS
= 0V
I
DS （OFF）的
10
400
4
10
1
3
10
400
4
10
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V
DS
= -12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
= -12V
T
A
= 125°C
I
GSS
C
国际空间站
0.1
0.1
1
1
由结漏电流的
样品测试参数
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
2 11
典型应用（续）
基本电流源
N沟道电流源
V+ = +5V
I
SET
I
来源
R
SET
P沟道电流源
V+ = +5V
1/2 ALD1107
或ALD1117
8
7
6
3
2
5
I
来源
I
SET
R
SET
Q
4
Q
2
8
5
6
2
7
3
Q
1
1
1/2 ALD1106
或ALD1116
Q
3
I
来源
= I
SET
=
V + - 佛蒙特州
R
SET
~ V+ - 1.0 =
~
=
R
SET
4
R
SET
Q
1,
Q
2
：N - 沟道MOSFET
Q
3
, Q
4
：P - 沟道MOSFET
共源共栅电流源
V+ = +5V
V+ = +5V
ALD1107
I
SET
I
来源
Q
4
R
SET
Q
1
Q
2
Q
3
Q
3
Q
4
Q
2
Q
1
I
SET
R
SET
I
来源
ALD1106
V + - 2VT
R
SET
3
R
SET
I
来源
= I
SET
=
~
=
Q
1
, Q
2
, Q
3
, Q
4
：N - 沟道MOSFET
（ ALD1101和ALD1103 ）
Q1 ， Q2 ， Q3 ， Q4 ：P - 沟道MOSFET
（ ALD1102和ALD1103 ）
ALD1107/ALD1117
先进的线性器件
5 11
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