P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表2.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
;
PSRAM字节模式， CIO们= V
SS
....................................................11
表3.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
SS
;
PSRAM字模式下， CIO们= V
CC
..................................................12
表4.设备总线的运行闪存字节模式， CIOf = V
IL
;
PSRAM字节模式， CIO们= V
SS
....................................................13
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 33
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 34
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 34
图7.切换位算法............................................ ............ 34
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 35
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 35
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 35
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 35
表17.写操作状态............................................ ....... 36
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图8.最大负过冲波形...................... 37
图9.最大正过冲波形........................ 37
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
CMOS兼容................................................ .................. 38
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 39
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 39
字/字节配置.............................................. .......... 13
对于读阵列数据要求................................... 13
写命令/命令序列............................ 14
加快程序运行.......................................... 14
自选功能................................................ ........... 14
同时读/写操作零延迟....... 14
待机模式................................................ ........................ 14
自动休眠模式............................................... ............ 15
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 15
输出禁止模式............................................... ............... 15
表5.前引导扇区地址........................................... ..15
表7.底部引导扇区地址......................................... 17
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
图12.测试设置............................................. ....................... 41
图13.输入波形和测量水平................. 41
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
伪SRAM CE＃的时机............................................ ....... 42
图14.时序图交替
之间的伪SRAM和Flash ............................................. ... 42
只读操作.............................................. ............. 43
图15.读操作时序............................................ ... 43
部门/部门块保护和unprotection的.................. 19
表9.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 19
表10.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 19
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 44
图16.复位时序............................................. .................. 44
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 45
图17. CIOf时序进行读操作................................ 45
图18. CIOf时序写操作................................ 45
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 20
临时机构撤消............................................... ... 20
图1.临时机构撤消操作........................... 20
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 21
闪存擦除和编程操作.................................... 46
图19.程序操作时序..........................................
图20.加速程序时序图..........................
图21.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图22.返回到后端的读/写周期时序......................
图23.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图24.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图25. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
47
47
48
49
49
50
50
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 22
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
硬件数据保护............................................... ....... 23
低V
CC
写禁止................................................ ........... 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ 23
逻辑禁止................................................ ...................... 23
上电写禁止............................................. ............ 23
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读阵列数据............................................... ................. 27
复位命令................................................ ..................... 27
自选命令序列............................................ 27
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 27
字节/字编程命令序列............................. 28
解锁绕道命令序列.................................. 28
图4.程序运行............................................. ............. 29
临时机构撤消............................................... ... 51
图26.临时机构撤消时序图.............. 51
图27.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 52
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 53
图28.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 54
电时间............................................... ........................ 55
读周期................................................ ............................. 55
图29.伪SRAM读周期，地址控制......... 55
读周期................................................ ............................. 56
图30.伪SRAM读周期........................................... 56
写周期................................................ ............................. 57
图31.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 57
图32.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 58
图33.伪SRAM写的逐
UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ........................ 59
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
图5.擦除操作............................................. .................. 30
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 33
2004年3月12日
闪存擦除和编程性能。 。 60
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
Am45DL3208G
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