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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1590页 > APT25GP120B
APT25GP120B
1200V
功率MOS 7 IGBT
新一代高压功率IGBT的。使用穿通
技术和专有的金属门,这IGBT进行了优化
非常快速的切换,因此非常适合高频率,高电压开关
式电源和尾电流敏感的应用。在许多情况下,
功率MOS 7
IGBT提供较低成本的替代一个功率
MOSFET。
TO-247
G
C
E
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 800V , 11A
50 kHz的工作频率@ 800V , 20A
RBSOA评级
G
C
E
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GP120B
单位
1200
±20
±30
75
36
144
144
462
-55到150
300
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
反向偏置安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
1200
3
4.5
3.6
3.1
250
2
6
3.9
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
集电极截止电流(V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
2
I
CES
I
GES
A
nA
REV A 7-2002
050-7411
2500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
RBSOA
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT25GP120B
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5, V
GE
=
15V , L = 100μH ,V
CE
= 960V
电感式开关( 25 ° C)
V
(峰)= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
4
典型值
最大
单位
2140
232
44
7.3
110
15
50
144
12
18
70
52
670
1456
584
12
18
109
117
670
2103
1582
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
反向偏置安全工作区
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量(二极管)
5
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关( 125°C )
V
(峰)= 800V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
6
J
热和机械特性
特征
结到外壳( IGBT )
结到管壳(二极管)
包装重量
.27
不适用
5.90
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7411
REV A 7-2002
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
典型性能曲线
100
90
I
C
,集电极电流( A)
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
APT25GP120B
100
90
I
C
,集电极电流( A)
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
T
C
=125°C
T
C
=25°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
C
=125°C
T
C
=25°C
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
图1中,输出特性(Ⅴ
GE
= 15V)
100
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图2中,输出特性(Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
栅极电荷( NC)
图4中,栅极电荷
120
V
CE
= 960V
I
C
= 25A
T
J
= 25°C
90
I
C
,集电极电流( A)
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2 3
4 5 6
7 8 9 10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
1
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
6
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C=
50A
I
C=
25A
I
C=
12.5A
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C=
50A
I
C=
25A
I
C=
12.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
25
50
75
100
125
T
J
,结TRMPERATURE ( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
100
0
-25
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.8
-50
90
80
70
60
50
40
REV A 7-2002
050-7411
30
20
10
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
APT25GP120B
25
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
140
120
100
80
60
40
20
0
10 15 20 25 30
35 40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
160
R
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
800V
G
140
V
GE
=10V,T
J
=25°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
GE
=10V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
CE
= 800V
R
G
= 5
L = 100 μH
20
V
GE
= 10V
15
V
GE
= 15V
10
5
0
V
CE
= 800V
T
J
= 25 ° C,T
J
=125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
10
15
20 25 30 35
40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
120
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
800V
100
t
r,
上升时间(纳秒)
T
=
25 °或125°C ,V
GE
=
10V
J
120
t
f,
下降时间(纳秒)
80
100
80
60
40
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
60
40
20
T
J
=
25 °或125°C ,V
GE
=
15V
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
20
0
10 15 20 25 30 35 40 45
50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
3500
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
V
CE
= 800V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
0
15 20 25 30 35 40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
5000
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
V
CE
= 800V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
10
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
4000
J
T
=
25°C,V
GE
=
10V
J
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
T
=
125°C,V
GE
=
10V
3000
2000
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
1000
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
0
10 15 20 25 30
35 40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
6000
开关损耗( μJ )
V
CE
= 800V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
J
10 15 20 25 30 35 40
45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
5000
开关损耗( μJ )
V
CE
= 800V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
E
on2,
50A
E
on2,
50A
5000
4000
4000
E
关,
50A
E
on2,
25A
E
关,
25A
E
on2,
12.5A
3000
E
on2,
25A
2000
E
关,
50A
E
关,
25A
3000
2000
REV A 7-2002
1000
E
关,
12.5A
0
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
0
1000 ê 12.5A
on2,
E
关,
12.5A
0
050-7411
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
0
典型性能曲线
10,000
5,000
资本投资者入境计划
C,电容( F)
P
APT25GP120B
160
140
120
1,000
500
卓越中心
100
CRES
I
C
,集电极电流( A)
100
80
60
40
20
0
200
400
600
800
1000
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0
10
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
0.30
D=0.5
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.1
0.2
0.05
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图19 ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
10
202
F
最大
,工作频率(千赫)
100
50
F
最大
=
分(F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
0.05
t
D(上)
+
t
r
+
t
D(关闭)
+
t
f
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
f
MAX 2
=
P
DISS
=
10
5
T
J
T
C
R
θ
JC
15 20 25 30 35 40 45 50
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极
当前
10
050-7411
REV A 7-2002
APT25GP120B
1200V
功率MOS 7 IGBT
新一代高压功率IGBT的。使用穿通
技术和专有的金属门,这IGBT进行了优化
非常快速的切换,因此非常适合高频率,高电压开关
式电源和尾电流敏感的应用。在许多情况下,
功率MOS 7
IGBT提供较低成本的替代一个功率
MOSFET。
TO-247
G
C
E
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
100 kHz的工作频率@ 800V , 11A
50 kHz的工作频率@ 800V , 19A
RBSOA评级
G
C
E
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT25GP120B
单位
1200
±20
±30
69
33
90
90A @ 960V
417
-55到150
300
°C
安培
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 25°C
反向偏置安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接: 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE (日)
V
CE (ON)的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压(V
GE
= 0V时,我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安,T
j
= 25°C)
典型值
最大
单位
1200
3
4.5
3.3
3.0
250
2
6
3.9
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压(V
GE
= 15V ,我
C
= 25A ,T
j
= 125°C)
集电极截止电流(V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C)
2
I
CES
I
GES
A
nA
4-2003
050-7411
版本B
集电极截止电流(V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流(V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项:
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
RBSOA
特征
IInput电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT25GP120B
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
T
J
= 150℃ ,R
G
= 5, V
GE
=
15V , L = 100μH ,V
CE
= 960V
电感式开关( 25 ° C)
V
(峰)= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
4
5
典型值
最大
单位
2090
200
40
7.5
110
15
50
90
12
14
70
39
500
1092
438
12
14
109
88
500
1577
1187
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
A
nC
V
pF
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极( "Miller " )充电
反向偏置安全工作区
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
4
5
6
R
G
= 5
T
J
= +25°C
J
电感式开关( 125°C )
V
(峰)= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量(二极管)
关断开关能量
6
J
热和机械特性
特征
结到外壳( IGBT )
结到管壳(二极管)
包装重量
.30
不适用
5.90
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备,I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 (参见图24 )
5 E
on2
是钳位感性开启能量,包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。 (见图21 , 22 )
6 E
关闭
是按照wtih JEDEC标准JESD24-1测量钳位感性关断能量。 (见图21 , 23 )
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
050-7411
版本B
4-2003
典型性能曲线
60
50
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
APT25GP120B
60
50
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C
,集电极电流( A)
40
I
C
,集电极电流( A)
40
30
30
20
T
C
=125°C
10
0
T
C
=25°C
20
T
C
=125°C
T
C
=25°C
10
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
图1中,输出特性(Ⅴ
GE
= 15V)
100
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
图2中,输出特性(Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
栅极电荷( NC)
图4中,栅极电荷
120
V
CE
= 960V
I
C
= 25A
T
J
= 25°C
V
CE
= 240V
V
CE
= 600V
I
C
,集电极电流( A)
80
60
TJ = -55°C
40
TJ = 125°C
TJ = 25°C
20
0
0
2 3
4 5 6
7 8 9 10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
1
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
6
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
I
C=
50A
I
C=
25A
I
C=
12.5A
I
C=
50A
I
C=
25A
I
C=
12.5A
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
25
50
75
100
125
T
J
,结TRMPERATURE ( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
100
0
-25
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.8
-50
90
80
70
60
50
40
30
20
10
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
0
-50
4-2003
050-7411
版本B
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
APT25GP120B
25
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
140
120
100
80
60
40
20
0
10 15 20 25 30
35 40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
120
R
G
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
600V
100
T
J
=
25 °或125°C ,V
GE
=
10V
V
GE
=10V,T
J
=25°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
GE
=10V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
CE
= 600V
R
G
= 5
L = 100 μH
20
V
GE
= 10V
15
V
GE
= 15V
10
5
V
CE
= 600V
T
J
= 25 ° C,T
J
=125°C
R
G
= 5
L = 100 μH
10
0
15
20 25 30 35
40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
100
R
=
5, L
=
100
H,V
CE
=
600V
G
80
t
r,
上升时间(纳秒)
t
f,
下降时间(纳秒)
80
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
60
60
40
40
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
20
T
J
=
25 °或125°C ,V
GE
=
15V
20
0
15
20
25
30
35
40
45
50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
3500
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
0
10
10
20
30
40
50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
3000
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
3000
2500
2000
1500
T
=
25°C,V
GE
=
10V
J
T
J
=
125°C,V
GE
=
10V
2500
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
2000
1500
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
1000
1000
500
0
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
500
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
0
10 15
20
25
30
35
40
45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
3500
E
on2,
50A
开关损耗( μJ )
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
10 15
20
25 30
35
40 45 50
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
4500
开关损耗( μJ )
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
E
on2,
50A
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
E
关,
50A
E
on2,
25A
E
关,
25A
E
on2,
12.5A
E
关,
12.5A
E
on2,
25A
E
关,
50A
E
关,
25A
4-2003
E
on2,
12.5A
E
关,
12.5A
版本B
050-7411
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温
0
典型性能曲线
10,000
5,000
资本投资者入境计划
C,电容( F)
P
APT25GP120B
100
90
80
1,000
500
卓越中心
100
CRES
I
C
,集电极电流( A)
70
60
50
40
20
0
200
400
600
800
1000
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0
10
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
0.35
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
0.30
0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.3
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
1.0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
182
F
最大
,工作频率(千赫)
100
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
0.128
动力
(瓦特)
0.173
外壳温度( ° C)
0.171F
0.00833F
50
F
最大
=
分(F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D(上)
0.05
+
t
r
+
t
D(关闭)
+
t
f
图19B ,瞬态热阻抗模型
10
5
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 5
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC
15 20 25 30 35 40 45 50
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极
当前
10
050-7411
版本B
4-2003
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