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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第346页 > APM4953KC-TU
APM4953
双P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -4.9A ,R
DS ( ON)
= 53mΩ (典型值) @ V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
= 80mΩ (典型值) @ V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
5
/
5
/

&放大器;
%
,
,
,
,
!
& QUOT ;
$
#
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
/
SO
8
5
5
/
,
,
,
,
订购和标识信息
APM 4953
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P沟道MOSFET
P ackage 颂歌
K: S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5 5月5日至一日0 ℃,
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
一个P M 4953克:
一个P M 4953
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-30
±25
T
A
= 25°C
-4.9
-30
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板,T
10秒。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月, 2003
1
www.anpec.com.tw
APM4953
绝对最大额定值(续)
符号
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
单位
W
°C
° C / W
参数
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
2.5
1.0
150
-55到150
50
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
=
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM4953
=
典型值。马克斯。
分钟。
-30
-1
-1
-1.5
53
80
-0.7
22.3
4.65
2
10
15
22
15
1260
340
220
18
20
38
25
pF
ns
-2
±100
60
95
-1.3
29
nC
参数
测试条件
单位
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
& GT ;
& GT ;
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±25V , V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-4.9A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-3.6A
I
SD
= -1.7A ,V
GS
=0V
V
DS
= -15V ,我
GS
=-10V
l
D
=-4.6A
V
DD
= -15V ,我
D
=-2A ,
V
= -10V ,R
G
=6
R
L
=7.5
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
V
A
V
nA
m
V
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容频率= 1.0MHz的

 
笔记
a

b
:脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
2%
:由设计保证,不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月, 2003
2
www.anpec.com.tw
APM4953
典型特征
输出特性
30
25

传输特性
30

-V
/5
= 5,6,7,8,9,10V
-I
D
- 漏电流(A )
25
20
15
-I
D-
漏电流( A)
-V
/5
=4V
20
15
T
J
=125°C

10
5
0
-V
/5
=3V
-V
/5
=2V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
- 漏极至源极电压( V)
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压与结温
1.50

导通电阻与漏电流
0.14

-I
DS
=250A
-V
GS ( TH) -
阈值电压( V)
(归一化)

R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
3
6
9
12
15
V
/5
=-4.5V
V
/5
=-10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ - 结温( ° C)

-I
D
- 漏电流( A)
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月, 2003
3
www.anpec.com.tw

APM4953
典型特征(续)
导通电阻与栅极至源极电压
0.250

导通电阻与结温
2.00

R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )

0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
(归一化)

0.225
-I
,
= 4.9A
1.75
1.50
1.25
-V
GS
=10V
-I
D
=4.9A

0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)


T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
10
电容
2800
2400

-V
GS
-Gate - 源极电压( V)
-V
D
=10V
-I
D
=4.9A
Frequency=1MHz
8
6
电容(pF)
2000
1600
1200
800
400
西塞
4
2
科斯
CRSS

0
0

5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- 栅极电荷( NC)
-V
DS
- 漏极至源极电压( V)
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月, 2003
4
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1.00
APM4953
典型特征(续)
源极 - 漏极二极管正向电压
30
10

单脉冲功率
50

-I
S
- 源电流( Α )
40
功率(W)的
30
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C

20
10
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
- 源极到漏极电压(V )

时间(秒)
归瞬态热阻抗,结到环境
2

标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
单脉冲
1.Duty周期,D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月, 2003
5
www.anpec.com.tw


APM4953K
双P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -4.9A ,
R
DS ( ON)
= 53mΩ (典型值) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 80mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用(符合RoHS )
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
8
(1)
S1
(3)
S2
应用
(2)
G1
(4)
G2
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
D1
(7)
D1
(8)
D2
(5)
D2
(6)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4953
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K: SOP - 8
工作结TEM页。范围
C: -55 ℃150℃
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4953 K:
APM4953
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM4953K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-10V
等级
-30
±25
-4.9
-20
-2
150
-55到150
2
0.8
62.5
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM4953K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-4.9A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-3.6A
I
SD
= -1.7A ,V
GS
=0V
-30
-1
-30
-1
-1.5
53
80
-0.7
-2
±100
60
95
-1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
22.6
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-4.9A
4.7
2
30
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
2
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APM4953K
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM4953K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
注意事项:
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
11
1260
400
220
10
18
20
38
25
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -15V ,R
L
=15,
I
DS
= -1A ,V
=-10V,
R
G
=6
15
22
15
ns
一:脉冲测试;脉冲width≤300
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
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3
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APM4953K
典型特征
功耗
2.5
6.0
漏电流
2.0
1.5
-I
D -
漏电流( A)
4.5
P
合计
- 功率(W )
3.0
1.0
1.5
0.5
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
A
= 25℃ ,V
G
=-10V
0.0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
-I
D
- 漏电流( A)
im
it
Rd
s(
on
)L
10
300
s
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
1
0.01
单脉冲
0.1
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 62.5 C / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM4953K
典型特征(续)
输出特性
20
18
16
V
GS
= -5, -6, -7, -8, -9, -10V
120
110
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
-4V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
V
GS
= -4.5V
-I
D
- 漏电流( A)
14
12
10
8
-3V
6
4
-2V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
= -10V
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
传输特性
20
18
16
栅极阈值电压
1.8
1.6
I
DS
= -250
A
归一化的阈值Vlotage
6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
-I
D
- 漏电流( A)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
T
j
=25 C
o
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APM4953KC-TU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
APM4953KC-TU
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