APM4953
双P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -4.9A ，R
DS （ ON）
= 53mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
5
/
5
/
＆放大器;
%
,
,
,
,
!
＆ QUOT ;
$
#
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
/
SO
8
5
5
/
,
,
,
,
订购和标识信息
APM 4953
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P沟道MOSFET
P ackage 颂歌
K： S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
一个P M 4953克：
一个P M 4953
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±25
T
A
= 25°C
-4.9
-30
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM4953
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
10
单脉冲功率
50
-I
S
- 源电流（ Α ）
40
功率（W）的
30
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
20
10
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
单脉冲
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
5
www.anpec.com.tw
APM4953K
双P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -4.9A ，
R
DS （ ON）
= 53mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
8
(1)
S1
(3)
S2
应用
(2)
G1
(4)
G2
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
D1
(7)
D1
(8)
D2
(5)
D2
(6)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4953
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4953 K：
APM4953
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM4953K
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= -5, -6, -7, -8, -9, -10V
120
110
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
-4V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
V
GS
= -4.5V
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
-3V
6
4
-2V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
= -10V
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
16
栅极阈值电压
1.8
1.6
I
DS
= -250
A
归一化的阈值Vlotage
6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
-I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
T
j
=25 C
o
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
5
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