添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第346页 > AD589TH
a
特点
快速转换时间: 5秒
片内采样/保持
低总非调整误差: 1 LSB
全功率信号带宽: 50千赫
+5 V单电源
100 ns数据访问时间
低功耗( 15 mW的典型值)
低成本
标准的18引脚DLPS或20引脚
表面贴装封装
LC MOS
5秒8位ADC,带有采样/保持
AD7575
功能框图
V
DD
轨道
HOLD
2
艾因
AGND
V
REF
AD7575
COMP
DAC
CLK
时钟
振荡器
特区
CS
RD
TP
控制
逻辑
锁存器和
三个国家
输出驱动器
DB7
DB0
概述
DGND
该AD7575是一款高速8位ADC ,内置的曲目/
保持功能。逐次逼近转换技
NIQUE被用来实现为5的快速转换时间
s,
内置采样/保持允许满量程信号可达50千赫( 386毫伏/微秒
压摆率),以进行数字化。在AD7575只需要采用+5 V单
供给和成本低,为了转换的1.23V带隙基准
0至2 V的输入信号范围
REF
.
该AD7575是专为方便地实现所有流行的8位
采用标准微处理器控制信号微处理器
( CS和
路)
来控制转换和读出的起始
的数据。接口逻辑允许AD7575是容易
配置为存储器映射的设备,并且所述部分可以是
接口为SLOW -MEMORY或ROM 。所有数据输出
在AD7575被锁存和三态缓冲,允许直接
连接到微处理器的数据总线或I / O端口。
该AD7575是在制造一种先进的,全离子注入高
高速线性兼容CMOS ( LC
2
MOS)工艺和是
在一个小的, 0.3"宽, 18引脚DIP , 18引脚SOIC封装提供或
其他20引脚表面贴装封装。
产品亮点
1.快速转换时间/低功耗
快, 5
s,
在AD7575的转换时间使
适合于音频和数字化超宽带信号
声波频率的同时保持低的优势
CMOS功耗。
2.片内采样/保持
片上采样/保持功能完全自足
并且无需外部保持电容。与信号转换
速率高达386毫伏/微秒(例如,2.46 V峰 - 峰值为50kHz的正弦
波浪)可以被数字化与完全精确。
3.低总非调整误差
在AD7575的零点,满量程和线性误差是如此
低,在对传输的任何一点的总非调整误差
FER功能是小于1 LSB ,以及偏移和增益调整
ments不是必需的。
4.单电源供电
从+5 V单电源供电,具有成本低1.23 V工作电压
带隙基准允许在5伏要使用的AD7575
没有任何额外的功率微处理器系统
耗材。
5.高速数字接口
快速接口时序可以使AD7575能够轻松地接口到
最流行的微处理器,如的快速版本
Z80H , 8085A -2, 6502B , 68B09和DSP处理器,所述
TMS32010.
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1998年
AD7575–SPECIFICATIONS
参数
准确性
决议
总非调整误差
相对精度
最小分辨率为哪
无失码保证
满量程误差
+25°C
T
给T
最大
偏移误差
2
+25°C
T
给T
最大
模拟量输入
电压范围
DC输入阻抗
压摆率,跟踪
SNR
3
参考输入
V
REF
(对于特定的性能)
I
REF
逻辑输入
CS , RD
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
I
IN
,输入电流
+25°C
T
给T
最大
C
IN
,输入电容
3
CLK
V
LNL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
I
INL
,输入低电流
I
INH
,输入大电流
逻辑输出
忙,
DB0到DB7
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
DB0到DB7
浮态泄漏电流
浮态输出电容
3
转换时间
4
与外部时钟
与内部时钟,T
A
= +25°C
电源要求
5
V
DD
I
DD
功耗
电源抑制
8
±
2
±
1
8
±
1
±
1
±
1/2
±
1/2
0至2 V
REF
10
0.386
45
1.23
500
(V
DD
= +5 V, V
REF
= 1.23 V, AGND = DGND = 0 V ; F
CLK
= 4 MHz的外部;
所有特定网络阳离子牛逼
给T
最大
除非另有说明)
S版
8
±
2
±
1
8
±
1
±
1
±
1/2
±
1/2
0至2 V
REF
10
0.386
45
1.23
500
T版
8
±
1
±
1/2
8
±
1
±
1
±
1/2
±
1/2
0至2 V
REF
10
0.386
45
1.23
500
单位
LSB(最大值)
LSB(最大值)
最高位
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
MΩ分钟
V / μs的最大
分贝分钟
A
最大
满量程TC通常为5ppm /°C的
条件/评论
,A版本
1
K,B版本
8
±
1
±
1/2
8
±
1
±
1
±
1/2
±
1/2
0至2 V
REF
10
0.386
45
1.23
500
TC偏移通常为5ppm /°C的
1 LSB = 2 V
REF
/ 256 ;见图16
V
IN
= 2.46 V P-P @ 10 kHz的;见图11
±
5%
0.8
2.4
±
1
±
10
10
0.8
2.4
700
700
0.8
2.4
±
1
±
10
10
0.8
2.4
700
700
0.8
2.4
±
1
±
10
10
0.8
2.4
800
800
0.8
2.4
±
1
±
10
10
0.8
2.4
800
800
V最大
V分钟
A
最大
A
最大
pF的最大
V最大
V分钟
A
最大
A
最大
V
IN
= 0或V
DD
V
IN
= 0或V
DD
V
INL
= 0 V
V
INH
= V
DD
0.4
4.0
±
1
10
5
5
15
+5
6
15
±
1/4
0.4
4.0
±
1
10
5
5
15
+5
6
15
±
1/4
0.4
4.0
±
10
10
5
5
15
+5
7
15
±
1/4
0.4
4.0
±
10
10
5
5
15
+5
7
15
±
1/4
V最大
V分钟
A
最大
pF的最大
s
s
s
最大
最大mA
毫瓦(典型值)
LSB(最大值)
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 40
A
V
OUT
= 0至V
DD
f
CLK
= 4兆赫
推荐使用时钟
如图15所示组件
±
对于指定的性能5 %
一般为3 mA,带V
DD
= +5 V
4.75 V
V
DD
5.25 V
笔记
1
温度范围如下:
J,K版本; 0 ° C至+ 70°C
A,B版本; -25 ° C至+ 85°C
S,T版本; -55 ° C至+ 125°C
2
偏移误差是衡量相对于发生在1/2 LSB的理想码跃迁。
3
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。
4
准确度可能会降低在非指定的转换时间。
5
电源的电流进行测量时AD7575是不活动的,即,当
CS
=
RD
=
=逻辑高电平。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本B
AD7575
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
t
1
t
2
t
32
t
4
t
5
t
62
t
73
t
8
在+ 25℃极限
(所有版本)
0
100
100
100
0
80
10
80
0
0
100
100
100
0
80
10
80
0
DD
= +5 V, V
REF
= 1.23 V, AGND = DGND = 0V)
在T限制
, T
最大
( S,T版本)
0
120
120
120
0
100
10
100
0
单位
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
条件/评论
CS
to
RD
建立时间
RD
to
传播延迟
数据访问时间后,
RD
RD
脉冲宽度
CS
to
RD
保持时间
数据访问时间后,
数据保持时间
to
CS
延迟
在T限制
, T
最大
( J,K , A,B版本)
笔记
1
在+ 25°C时序规范样本测试,以确保合规性。所有输入的控制信号均指定tR = tF = 20ns的规定(10%至90%的5 V)的
并定时从1.6 V的电压电平
2
t
3
和T
6
测量与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
3
t
7
被定义为当加载的图2的电路来改变0.5伏所需的数据线的时间。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
测试电路
+5V
3k
+5V
3k
DBN
DBN
3k
DGND
100pF
DBN
100pF
DGND
DBN
3k
DGND
10pF
10pF
DGND
一。高Z到V
OH
B高Z到V
OL
A. V
OH
到高阻
B 。 V
OL
到高阻
图1.负载电路进行数据访问时间测试
图2.负载电路的数据保持时间测试
绝对最大额定值*
V
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V, + 7V
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V, + 7V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
CLK输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
V
REF
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
AIN至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
工作温度范围
商业( J,K版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
工业( A,B版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 ° C至+ 85°C
扩展( S,T版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
功率耗散(任何套餐)到+ 75°C 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
减额高于+ 75 ℃下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
*注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7575具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
版本B
–3–
AD7575
销刀豆网络gurations
DIP / SOIC
TP
LCCC
V
REF
V
DD
RD
CS
PLCC
V
REF
19
18
艾因
17
AGND
16
DB0 ( LSB )
15
DB1
14
DB2
9
10
11
12
13
CS
1
RD
2
TP
3
4
CLK
5
18
V
DD
17
V
REF
16
艾因
3
2
1
20 19
3
2
1
AD7575
15
AGND
4
CLK
5
DB7 (MSB)
6
DB6
7
DB5
8
9
18
艾因
TP
4
5
CLK
6
DB7 (MSB)
7
DB6
8
销1
识别码
AD7575
顶视图
(不按比例)
17
AGND
16
DB0 ( LSB )
15
DB1
14
DB2
顶视图
14
DB0 ( LSB )
(不按比例)
13
DB1
DB7 (MSB)
6
DB6
7
DB5
8
DGND
9
12
DB2
11
DB3
10
DB4
AD7575
顶视图
(不按比例)
10 11 12 13
NC
NC
DB4
DGND
DB3
NC
DB4
V
DD
20
RD
NC
CS
DB5
NC =无连接
NC =无连接
订购指南
模型
1
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
相对的
准确性
( LSB )
±
1 MAX
±
1 MAX
±
1/2最大
±
1 MAX
±
1/2最大
±
1 MAX
±
1/2最大
±
1 MAX
±
1/2最大
±
1 MAX
±
1/2最大
术语
至少显著位(LSB)
选项
2
R-18
N-18
N-18
P-20A
P-20A
Q-18
Q-18
Q-18
Q-18
E-20A
E-20A
具有8位分辨率的ADC可以解决1部分在2-
8
(即
256 )的满量程。对于具有2.46 V满量程的一个AD7575
LSB为9.61毫伏。
总非调整误差
AD7575JR
AD7575JN
AD7575KN
AD7575JP
AD7575KP
AD7575AQ
AD7575BQ
AD7575SQ
AD7575TQ
AD7575SE
AD7575TE
这是一个全面的规范,其中包括全尺寸
误差,相对精度和偏移误差。
相对精度
相对精度是ADC的实际代码的偏差
从一个直线的设备之间绘制的转变点
测量的第一LSB的转变点和测得的满量程
过渡点。
SNR
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 , B类零件的过程中,添加/ 883B部件号。
请联系当地的销售办事处为军事数据表。对于美国军用标准
图纸( SMD ) ,见DESC图纸# 5962-87762 。
2
E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片
载体; Q = CERDIP , R = SOIC 。
信号 - 噪声比(信噪比)是所需信号的比值
的采样和数字化的模拟信号中产生的噪声。
信噪比是依赖于所用的量化电平数
在数字化过程;的多个级别的,较小的quantiza-
化噪音。对正弦波输入的理论信噪比由下式给出
SNR
= (6.02
N
+ 1.76)
dB
哪里
N
是在ADC的比特数。
满量程误差(增益误差)
单极性ADC的增益被定义为之间的差
所需要的模拟输入电平,以产生所述第一和最后
数字输出编码转换。增益误差的量度
偏离实际跨度从FS的理想跨度 - 2位。
模拟输入范围
随着V
REF
= 1.23伏,最大模拟输入电压范围
为0 V至2.46 V.为LSB的输出数据相关的
模拟输入电压由以下的整数值
表达式:
数据(最低有效位) =
2
V
+
0.5
REF
压摆率
256
艾因
压摆率是输入的变化最大允许速度
信号,使得所述数字样值不在错误。摆
速率的限制可能会限制用于模拟信号带宽
从允许的带宽低于满量程模拟信号
采样定理的考虑。
–4–
版本B
DGND
DB3
AD7575
CS
t
1
RD
t
5
t
2
t
CONV
t
3
数据
高阻抗
公共汽车
旧数据
t
6
数据
t
7
高阻抗
公共汽车
图3.缓慢的内存接口时序图
时序和控制AD7575的
这两个逻辑输入的AD7575 ,
CS
RD,
同时控制
转换的开始和数据从部分的读数。
A转换是通过将这两控制输入启动
低。两种接口选项,然后存在读取输出
从AD7575的数据。这些都是慢速存储器接口
和ROM接口,其操作如下所示。它应该
应当注意, AD7575的TP端子必须是硬线连接的
高,以确保该部分的正确操作。该引脚用于
在测试设备和不应该被用作穿通销
在双面印刷电路板。
慢速内存接口
此接口的主要优点是,它允许微
处理器开始转换,等待,然后读取数据
一个READ指令。的快速转换时间
AD7575确保微处理器不是放置在一个
WAIT状态的时间过多。
更快版本多处理器,包括8085A -2,试
就绪输入的开始后的状态非常快
一个指令周期。因此,
在AD7575莫属
在低周期的READY输入很早就是effec-
略去迫使处理器进入等待状态。当使用
8085A -2中,处理器S0状态信号提供最早
可能意味着一个读操作将要发生。
因此, S 0 (这是低的读周期)提供了
READ信号到AD7575 。对于连接图
AD7575为8085A - 2低速内存界面如图
图4中。
ROM接口
第一个界面选项用于与microproces-使用
可被迫进入等待状态至少5感器
s.
微处理器(如8085A )启动转换和
被暂停,直至转换的结果从CON组读
变频器。转换是通过执行一个存储器读来启动
在AD7575的地址,使
CS
RD
低。
之后,又
吸收的敷料变低(强制微处理器READY输入
低) ,将处理器进入等待状态。输入
信号,它已被跟踪的模拟输入端,被保持在
输入时钟之后的第三时钟下降沿
CS
RD
已经低电平(见图12) 。的AD7575然后执行
转换在此获得的输入信号值。当CON组
版本完成( BUSY变为高电平) ,该处理器的COM
pletes存储器READ ,并且获取新转换的
数据。此接口的时序图如图3所示。
对AD7575的替代接口选项可避免摆放
微处理器进入一个等待状态。在这个界面中,一个反面
版本开始第一READ指令,而仲
OND READ指令访问数据,并开始第二
转换。此接口的时序图中示出
图5是可能的,以避免在开始对另一转换
第二读(见下文) 。
转换是通过执行读指令的存储器启动
重刑对AD7575的地址,造成
CS
RD
变低。
数据也被从AD7575该指令执行期间获得的。
这是旧数据,如果不需要,可以忽略不计。
变低,表明转换正在进行中,并重新
原来高时转换完成。再次,该
输入信号被保持在输入时钟的第三个下降沿
CS
RD
已经低。
线可以被用于产生一个中断给所述
微处理器或监视,以指示转换
完整的。然后处理器读出新的转换数据。
另外,在转换启动之间的延迟(第一次读
指令)和数据读取(第二次读指令)
必须至少一样大的AD7575的转换时间。为
在AD7575在ROM接口模式正常运行,
CS
RD
之前不应该去LOW
返回高电平。
通常情况下,第二次读取指令开始另一个转换
锡永以及访问所述输出数据。但是,如果
CS
RD
在一个外部时钟周期降为卑
变为高电平,第二转换不会发生。
A8–A15
地址总线
+5V
TP
8085A–2
地址
解码
S0
CS
AD7575*
RD
DB0–DB7
ALE
地址
LATCH
AD0–AD7
准备
数据总线
*线性电路省略清晰
SO = 0读周期
图4. AD7575为8085A - 2慢速存储器接口
版本B
–5–
a
特点
高级替换其它1.2 V基准电压源
宽工作范围: 50 A至5毫安
低功率:60瓦总磷
D
在50 A
低温度系数:
为10ppm /℃ , 0℃ + 70℃ ( AD589M )
为25ppm /℃ , -55℃至+ 125 ℃( AD589U )
二端“稳压”操作
低输出阻抗: 0.6
无需频率补偿
低成本
MIL -STD- 883可提供标准版本
SOIC ( SO - 8 )
1
2
3
–V
4
8
7
6
5
+V
双端IC
1.2 V参考
AD589
功能方框图
金属罐( H- 02A )
+V
AD589
顶视图
–V
底部视图
产品说明
该AD589是一个二端,成本低,温度compen-
心满意足的带隙电压基准提供了一个固定的1.23 V
输出电压为50的输入电流
A
和5.0毫安。
的AD589的高稳定性主要取决于
匹配和芯片上的部件的热跟踪。
ADI公司的精密双极加工和薄膜
技术相结合,提供了出色的性能在低
成本。
此外,该有源电路产生的输出阻抗
较典型的低TC的齐纳二极管低10倍。此功能
允许操作需要任何外部元件
不断变化的负载条件下保持高精度。
该AD589是七个版本。该AD589J ,K,L
和M牌号为0 ° C至+ 70°C的操作规定,同时
的S, T和U等级额定为-55 ° C至+ 125°C
温度范围。所有牌号是在一个金属罐可用
(H- 02A )封装。该AD589J还提供8引脚
SOIC封装。
产品亮点
1. AD589是它提供了一个双端器件
恒定参考电压为宽范围的输入的
电流。
0.6 2.输出阻抗
和温度系数为
低达10ppm / ℃,保证稳定的输出电压在很宽的
范围的操作条件。
3. AD589可以为正或负来操作
参考。 “浮动”的操作也是可能的。
4. AD589将与总电流低至50操作
A
(60
W
总功耗) ,非常适合电池供电
仪器的应用。
5. AD589是其它1.2 V REF-一个确切的更换
erences ,提供卓越的温度性能和
容性负载的敏感性降低。
6. AD589是符合MIL-版本
STD- 883 。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或电流AD589 / 883B数据手册详细
特定连接的阳离子。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD589–SPECIFICATIONS
(典型值@我
模型
输出电压,T
A
= +25°C
输出电压的变化对比
当前
(50
A–5
毫安)
动态输出阻抗
RMS噪声电压
10赫兹< F < 10千赫
温度COEF网络cient
1
开启建立时间0.1 %
工作电流
2
工作温度
封装选项
3
金属罐( H- 02A )
SOIC (R- 8)的
模型
0.05
0
AD589JH
AD589JR
AD589SH
典型值
最大
1.200
1.235
1.250
25
5
+70
0.6
5
100
AD589JH/JR
典型值
最大
1.235
1.250
1.200
IN
= 500 A和T
A
= +25 C除非另有说明)
AD589KH
典型值
最大
1.235
1.250
AD589LH
TYP MAX
1.235
1.250
AD589MH
TYP MAX
1.235
1.250
单位
V
1.200
1.200
1.200
5
2
0.6
5
5
2
0.6
5
50
25
0.05
0
5
+70
AD589KH
0.05
0
AD589LH
25
5
2
0.6
5
25
25
5
+70
0.05
0
5
2
mV
V
10
PPM /°C的
s
5
+70
AD589MH
mA
°C
AD589TH
典型值
最大
1.200
1.235
1.250
AD589UH
TYP MAX
1.200
1.235
1.250
单位
V
输出电压,T
A
= +25°C
输出电压的变化对比
当前
(50
A–5
毫安)
动态输出阻抗
RMS噪声电压
10赫兹< F < 10千赫
温度COEF网络cient
1
开启建立时间0.1 %
工作电流
2
工作温度
封装选项
3
金属罐( H- 02A )
SOIC ( SO - 8 )
5
0.6
5
100
25
0.05
–55
AD589SH
AD589JR
5
+125
0.05
–55
25
2
0.6
5
5
2
0.6
5
50
25
5
+125
AD589TH
0.05
–25
AD589UH
5
2
mV
V
25
PPM /°C的
s
5
+125
mA
°C
笔记
1
请参阅以下页面的温度系数测量方法的解释。
2
低于500的电流,获得最佳的性能
A.
对于低于200当前操作
A,
寄生并联电容应限制
20 pF或者提高至1μF 。如果无法避免迷路,工作在500
A
并建议至少1000 pF的电容并联。
3
H =密封金属罐; SO = SOIC 。
如图规格
粗体
所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值
AD589芯片尺寸和焊盘布局
电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
反向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
功耗
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125毫瓦
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 175℃
工作结温范围。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
1
绝对最大功耗是由最大电流通过有限
装置。最大额定温度升高时必须计算假设
T
J
150℃,并
θ
JA
= 400 = C / W 。
0.040
(1.016)
0.060
(1.524)
THE AD589可在芯片形成具有完全测试
和有保证的规格。咨询工厂
可用牌号和定价。
–2–
版本B
了解产品规格- AD589
电压变化VS.温度
动态性能
有些混乱存在于定义和指定的区域
参考电压误差过温。历史上,文献
使用每度最大偏差已被表征
摄氏温度;即,为10ppm / ℃。然而,由于非线性
在温度特性,它起源于标准
齐纳的引用(如“S”型的特性)最
制造商们已经开始使用的最大限制误差带
接近指定的设备。该技术包括测量
输出的精神疾病的3,5或更多种不同的温度,以
保证输出电压将落入给定的误差范围内
乐队。在AD589 consis-的温度特性
tently如下图1三点中所示的曲线
计量保证在规定的误差带
温度范围。指定的温度系数
前面的页表示的对角线的斜坡
误差范围从+ 25°C至T
和+ 25° C至T的
最大
.
1.2370
许多低功耗仪器制造商正在成为
越来越关心的导通特性
被用在他们的系统组件。快速开启康波
堂费常使最终用户能够保持断电时未
需要的,并且当电源接通时尚未快速响应
用于操作。图3显示在导通的特性
AD589 。这个特性从生成的冷启动操作
化,代表了真正的导通后的波形扩展
期间与耗材关闭。该图中同时显示了粗
并且该装置的细瞬态特性;总沉降
时间之内
±
1毫伏为约25
s,
并且不存在长
热尾点后出现的。
200mV
100
90
10mV
10s
1.2365
输出电压= V
10
0%
1.2360
1.2355
+V
图3.输出的沉降特性
1.2350
R1
Q5
R5
R6
1.2345
–50
–25
0
+25
+50
+75
+100
+125
Q8
R2
R7
Q3
R3
Q4
C1
Q9
温度 - °C
图1.典型的AD589温度特性
1000
Q1
R4
Q7
Q2
Hz
–V
噪声频谱密度 - 内华达州/
100
图4.示意图
10
0
10
100
1k
10k
频率 - 赫兹
100k
1M
图2.噪声频谱密度
REV.B
–3–
AD589
应用信息
+5V
6.2k
+V
常见
+5V
6.8k
B 。随着7107面板仪表A / D
图7. AD589作为参考的CMOS
A / D转换器
AD589
10k
V
OUT
图5.基本配置为1.2 V以下
在AD589也可以用作建筑物块,以产生
参考电压的其它值。图6示出了一个电路,该电路
产生一个缓冲的10 V输出。总电源电流为这个
电路约为2毫安。
AD589
该AD589也为CMOS乘法一个有用的参考
的DAC如AD7533 。这些DAC需要负
参考电压,以提供正的输出范围。
图8示出了用于提供一个等效-1.0伏AD589
引用到AD7533 。
1
最高位
V
DD
10
最低位
2
3
4
5
6
7
8
9
AD589
+15V
15k
7
2
6
AD108A
3
4
0.01F
1k
8
1
1k
10V
+15V
REF
14
15
R1
39k
–15V
R2
5k
GND
3
2
OUT2
AD7533系列
1
OUT1
16
R
FB
V
OUT
=
0至1.00V
AD542L
8.2k
图8. AD589作为参考的10位CMOS DAC
图6.单电源缓冲10 V参考
在AD589的低功耗操作使得它非常适合于使用
电池供电的便携式设备。这是作为一个特别有用
参考CMOS模拟 - 数字转换器。图7
显示结合使用两种流行的AD589
整合式CMOS A / D转换器。
+5V
5.6k
+V
外形尺寸和引脚名称
尺寸以英寸(毫米)所示。
0.209 (5.31)
迪亚
0.230 (5.84)
0.10 (2.54)
0.195 (4.95)
迪亚
0.178 (4.52)
0.150 (3.81)
0.125 (3.17)
6.8k
AD589
7109
REF +
REF-
REF OUT
45°
2k
0.028 (0.71)
0.048 (1.22)
0.015 (0.38)
0.019 (0.48)
0.500 (12.7)
0.036 (0.91)
0.046 (1.17)
一。随着7109 12位二进制A / D
–4–
版本B
美国印刷
C547c–2–7/88
的AD589用作两端并联型稳压器。它
提供恒定的1.23 V输出,用于宽范围的输入的
从目前的50
A
至5毫安。图5示出的最简单的
配置为1.2伏或更小的输出电压。注意
没有频率补偿是必需的。如果需要额外的滤波
所需的超低噪声的应用,建议最小
电容为1000 pF的。
10k
AD589
7107
REF HI
REF LO
1k
2 ,终端IC
1.2 V参考
AD589
特点
高级替换其它1.2 V基准电压源
宽工作范围: 50
A
到5毫安
低功耗: 60
W
总磷
D
在50
A
低温度系数:
10 PPM / C最大, 0C到70C ( AD589M )
2 ,终端稳压操作
低输出阻抗: 0.6
无需频率补偿
低成本
MIL -STD- 883可提供标准版本
功能方框图
SOIC (R- 8)的
1
2
3
8
7
6
金属罐( H- 02 )
½½
+V
–V
4
AD589
顶视图
(不按比例)
5
½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
产品说明
产品亮点
该AD589是一个2端,成本低,温度补偿
带隙参考电压,它提供一个固定的1.23V输出
电压50输入电流
A
和5.0毫安。
的AD589的高稳定性主要取决于
匹配和芯片上的部件的热跟踪。
ADI公司的精密双极加工和薄膜技
术结合起来,以提供优良的性能,低成本。
此外,该有源电路产生一个输出阻抗10
较典型的低TC的齐纳二极管更低。此功能允许
操作与维护完全无需外部元件
在不断变化的负载条件下的精度。
该AD589是七个版本。该AD589J , AD589K ,
AD589L和AD589M牌号为0 ° C至+ 70 ° C温度范围
操作,而AD589S和AD589T等级的额定
在整个-55 ° C至+ 125 °C温度范围。所有等级都可用
能在金属罐(H- 02 )封装。该AD589J也可
采用8引脚SOIC封装。
1. AD589是,提供了一个恒定的2终端装置
参考电压为宽范围的输入电流。
0.6 2.输出阻抗
和温度系数为
低为10 ppm / °C保证稳定的输出电压在很宽的
范围的操作条件。
3. AD589可以为正或负为参考进行操作
ENCE 。漂浮的操作也是可能的。
4. AD589将总电流低至50操作
A
(60
W
总功耗) ,非常适合电池供电
仪器的应用。
5. AD589是其它1.2 V基准电压准确的更换,
提供卓越的温度性能,降低敏感
tivity容性负载。
6. AD589是符合MIL-版本
STD- 883 。咨询工厂的883数据表。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-
在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标
和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式,P盒9106 ,诺伍德,MA 02062-9106 , USA
.O.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD589–SPECIFICATIONS
(典型值@我
模型
输出电压,T
A
= 25°C
输出电压的变化
与当前
50
A
到5毫安
动态输出阻抗
RMS噪声电压
10赫兹< F < 10千赫
温度COEF网络cient
1
开启建立时间0.1 %
工作电流
2
工作温度
封装选项
3
金属罐( H- 02A )
SOIC (R- 8)的
0.05
0
25
5
70
AD589JH
AD589JR
0.05
0
0.6
5
100
IN
= 500
A
和T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
AD589LH
最小典型最大
1.200
1.235
1.250
AD589JH/
AD589JR
最小典型最大
1.200
1.235
1.250
AD589KH
最小典型最大
1.200
1.235
1.250
AD589MH
最小典型最大
1.200
1.235
1.250
单位
V
5
2
0.6
5
5
2
0.6
5
50
25
5
70
AD589KH
0.05
0
25
5
2
0.6
5
25
25
5
70
AD589LH
0.05
0
5
2
mV
V
10
PPM /°C的
s
5
70
AD589MH
mA
°C
模型
输出电压,T
A
= 25°C
输出电压的变化
与当前
50
A
到5毫安
动态输出阻抗
RMS噪声电压
10赫兹< F < 10千赫
温度COEF网络cient
1
开启建立时间0.1 %
工作电流
2
工作温度
封装选项
3
金属罐( H- 02 )
SOIC (R- 8)的
AD589SH
最小典型最大
1.200
1.235
1.250
AD589TH
最小典型最大
1.200
1.235
1.250
单位
V
5
0.6
5
100
25
0.05
–55
5
+125
AD589SH
AD589JR
0.05
–55
25
2
0.6
5
5
2
mV
V
50
PPM /°C的
s
5
+125
AD589TH
mA
°C
笔记
1
见电压变化与温度部分的温度系数测量方法的解释。
2
低于500的电流,获得最佳的性能
A.
对于低于200当前操作
A,
寄生并联电容应限制在20 pF或者增加到
1
F.
如果无法避免迷路,工作在500
A
并建议至少1000 pF的电容并联。
3
H =密封金属罐; R = SOIC 。
如图规格
粗体
所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本C
AD589
绝对最大额定值
AD589芯片尺寸和焊盘布局
电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
反向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
功耗* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125毫瓦
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 175℃
工作结温范围。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300 ℃,
*绝对
最大功耗由最大电流通过有限
装置。最大额定温度升高时必须计算假设
T
J
150℃和
JA
= 400 = C / W 。
½½½½½
½½½½½½½
½½½½½
½½½½½½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; \u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12;\u0026frac12; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
订购指南
模型
AD589JH
AD589JR
AD589JRZ*
AD589JR-REEL
AD589JRZ-REEL*
AD589JCHIPS
AD589KH
AD589LH
AD589MH
AD589SH
AD589SH/883B
AD589TH
AD589TH/883B
AD589TCHIPS
*Z
=无铅零件
温度
系数( PPM / ° C)
100
100
100
100
100
100
50
25
10
100
100
50
50
50
包装说明
金属罐( TO- 51 )
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
骰子
金属罐( TO- 51 )
金属罐( TO- 51 )
金属罐( TO- 51 )
金属罐( TO- 51 )
金属罐( TO- 51 )
金属罐( TO- 51 )
金属罐( TO- 51 )
骰子
封装选项
H-02
R-8
R-8
R-8
R-8
H-02
H-02
H-02
H-02
H-02
H-02
H-02
零件每号
卷筒/托盘
100
98
98
2,500
2,500
25
100
100
100
100
100
100
100
25
温度
范围(° C)
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000V容易堆积
对人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然AD589功能
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
版本C
–3–
AD589
理解规格
电压变化与温度的关系
动态性能
有些混乱存在于定义和指定的区域
参考电压误差过温。历史上,文献
使用每度最大偏差已被表征
摄氏,即,为10ppm / ℃。然而,由于非线性
在温度特性,它起源于标准齐纳
参考文献(如S型特征) ,多数厂家
已经开始使用的最高限额误差带的方法来指定
设备。该技术包括在输出的测量
3 ,5或更多种不同的温度,以保证输出
电压将落入给定的误差范围内。温度
的AD589的特性一致地如下所示的曲线
在图1中三个点测量保证误差带
在指定的温度范围内。的温度系数
在规格部分指定代表的斜坡
的误差带的从25℃至T的对角线
和25° C至T的
最大
.
½½½½½½
许多低功耗仪器制造商正在成为increas-
多地关注的部件的导通特性
被使用在他们的系统。快速导通元件往往使
最终用户保持断电时,没有必要,但响应
很快,当电源接通时进行的操作。图3显示
起导通的AD589的特性。这种特性
从冷启动操作中产生并代表了真实的开启
在长时间的电源关闭后的波形。该
图中显示了两个粗,细瞬态特性
该设备;总沉积时间在± 1mV的是约25
s,
并且存在点之后出现的不长的热尾。
½½½½½
½½½
½½
½½½½
½½½½
½½½½½½
½½
½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
½½½½½½
½½½½½½
½½
½½½½½½
图3.输出的沉降特性
½½
½½
½½
½½
½½½½½½
½½½
½½½
½
½½
½½
½½
½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½½
½½
½½
\u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
图1.典型的AD589温度特性
½½½½
½½
½½
½½
½½
½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
½½
½½½
图4.示意图
½½
½
½½
½½
½½
½½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
½½½½
½
图2.噪声频谱密度
–4–
版本C
AD589
应用信息
½½
½½½½½
½½
½½½½
½½½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
该AD589作为一个2端并联型稳压器。它
提供恒定的1.23 V输出,用于宽范围的输入的
从目前的50
A
至5毫安。图5示出的最简单的CON-
成形为1.2伏或更小的输出电压。注意,不
频率补偿是必需的。如果需要额外的滤波
所需的超低噪声的应用,建议最小
电容为1000 pF的。
½½
½½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½
½½½½
一。随着7109 12位二进制ADC
½½½½½
½½
½½½½
½
½½½
½½½½½
½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;
½½½½½½
图5.基本配置为1.2 V以下
½½½½½
½½½½
½½½
½½½½
在AD589也可以用作建筑物块,以产生
参考电压的其它值。图6示出了一个电路,其
产生一个缓冲的10 V输出。总电源电流为这个
电路约为2毫安。
½½½½½
½½½
½½½½
½
½
B 。随着7107面板表ADC
图7. AD589作为参考的CMOS模数转换器
½½½½½½
½
½
½
½
½
½½½
½½½
该AD589也为CMOS乘法一个有用的参考
的DAC ,如AD7533 。这些DAC需要负
参考电压,以提供正的输出范围。
图8示出了用于提供一个等效-1.0伏AD589
引用到AD7533 。
½½½
½
½
½½½
½
½
½
½
½
½
½
½½½
½½
½½½
½½½½½½
½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½
½½
½½
图6.单电源缓冲10 V参考
½½½
½½
½½½W
½½½½
½½
½½½
½½
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
在AD589的低功耗操作使得它非常适合于使用
电池供电的便携式设备。这是作为一个特别有用
参考CMOS模拟 - 数字转换器。图7示出了
结合使用两种流行的整合型的AD589
CMOS模数转换器。
½½½
½
½
½½½½
½
½½½½
½½
½
½½
½½½½½½
½
½½½
½
& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ; & frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
图8. AD589作为参考的10位CMOS DAC
版本C
–5–
查看更多AD589THPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD589TH
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
AD589TH
ADI/亚德诺
21+
9800
TO-51
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885587070 复制
电话:15289608497
联系人:韦
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12
AD589TH
AD/美国模拟器件公司
24+
10000
无封装
原装现货提供
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:121715395 复制 点击这里给我发消息 QQ:316429272 复制
电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
AD589TH
ADI
2013+
668
TO-51-2参考电压
AD一级代理,中国唯一指定代理商√√√
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
AD589TH
ADI/亚德诺
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AD589TH
AD
21+
15000
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:183166527 复制 点击这里给我发消息 QQ:3404987807 复制
电话:0755-83515980
联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
AD589TH
ADI/亚德诺
21+
5000
CAN
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
AD589TH
AD
24+
10000
CAN
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
AD589TH
ADI
2019
23100
CAN
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
AD589TH
ADI
25+23+
34120
TO-51
绝对原装正品渠道优势商,全新进口深圳现货原包!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1240061890 复制
电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
AD589TH
AD
24+
300
TO51-2
只做原装正品
查询更多AD589TH供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!