AO4607
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4607采用先进的沟槽
技术的MOSFET ，以提供EXCELLEN
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET ，可以使用
在逆变器和其它应用程序。一
肖特基二极管共同封装的正
沟道FET ，以减少体二极管
损失。
AO4607是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO4607L是
绿色产品订购选项。
AO4607和AO4607L是电
相同的。
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
=10V)
< 42mΩ （V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-6A （V
GS
=1-0V)
R
DS （ ON）
< 35mΩ （V
GS
=
-10V)
< 58mΩ （V
GS
=- 4.5V)
肖特基
VDS （V）= 30V， IF = 3A， VF<0.5V@1A
D
K
A
S2
D
G
G
SOIC-8
S
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-6
-5
-30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
单位
V
A
W
°C
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
6.9
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
5.8
I
D
B
漏电流脉冲
I
DM
30
T
A
=25°C
T
A
=70°C
功耗
结温和存储温度范围
参数
反向电压
连续转T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
脉冲二极管正向电流
B
功耗
A
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
2
1.28
-55到150
最大肖特基
30
3
2
20
2
1.28
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4607
N通道+肖特基电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
10
体二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
1
20
22.5
31.3
34.5
15.4
0.45
0.5
5.5
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
131
77
3
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
20.6
5.2
13.7
4.1
16.5
3.6
16.6
820
28
38
42
1.9
民
30
0.007
3.2
12
0.05
10
20
100
3
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局提供的曲线
单个脉冲的评价。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们所提供的净正向压降，电容
和恢复MOSFET和肖特基特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片
启4 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4607
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
（ FET +肖特基）
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性： MOSFET +
并联肖特基
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
DC
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
100
1000
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4607
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4607采用先进的沟槽
技术的MOSFET ，以提供EXCELLEN
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET ，可以使用
在逆变器和其它应用程序。一
肖特基二极管共同封装的正
沟道FET ，以减少体二极管
损失。
AO4607是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO4607L是
绿色产品订购选项。
AO4607和AO4607L是电
相同的。
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
=10V)
< 42mΩ （V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-6A （V
GS
=1-0V)
R
DS （ ON）
< 35mΩ （V
GS
=
-10V)
< 58mΩ （V
GS
=- 4.5V)
肖特基
VDS （V）= 30V， IF = 3A， VF<0.5V@1A
D
K
A
S2
D
G
G
SOIC-8
S
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-6
-5
-30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
单位
V
A
W
°C
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
6.9
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
5.8
I
D
B
漏电流脉冲
I
DM
30
T
A
=25°C
T
A
=70°C
功耗
结温和存储温度范围
参数
反向电压
连续转T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
脉冲二极管正向电流
B
功耗
A
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
2
1.28
-55到150
最大肖特基
30
3
2
20
2
1.28
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4607
N通道+肖特基电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
10
体二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
1
20
22.5
31.3
34.5
15.4
0.45
0.5
5.5
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
131
77
3
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
20.6
5.2
13.7
4.1
16.5
3.6
16.6
820
28
38
42
1.9
民
30
0.007
3.2
12
0.05
10
20
100
3
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局提供的曲线
单个脉冲的评价。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们所提供的净正向压降，电容
和恢复MOSFET和肖特基特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片
启4 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4607
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
（ FET +肖特基）
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性： MOSFET +
并联肖特基
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
DC
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
100
1000
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2880707522 复制
