【AP2301AGN-HF无卤素产品先进的电源电子股份有限公司▼简单的驱动要求▼封装尺寸小▼表面安装器】,IC型号AP2301AGN-HF,AP2301AGN-HF PDF资料,AP2301AGN-HF经销商,ic,电子元器件-51电子网

AP2301AGN-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

封装尺寸小

▼

表面安装器件

▼

符合RoHS &无卤

SOT-23

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

S

G

-20V

97mΩ

- 3.3A

D

描述

来自APEC高级功率MOSFET为设计者提供了最好的

组合快速切换的，低导通电阻和成本效益。

采用SOT -23封装，广泛首选商业，工业表面

安装的应用程序，并适用于低电压应用，如直流/直流

转换器。

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

连续漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

1

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

- 20

+8

-3.3

-2.7

-15

1.38

-55到150

单位

V

A

W

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

3

价值

90

单位

℃/W

1

201303084

数据和规格如有变更，恕不另行通知

AP2301AGN-HF

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-3A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2.6A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-3A

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

V

GS

= +8V, V

DS

=0V

I

D

=-3A

V

DS

=-10V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-10V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω

V

GS

=-5V

V

GS

=0V

V

DS

=-10V

f=1.0MHz

分钟。

-20

-

-0.3

-

典型值。

-

10

-

8.5

1.2

3

10

20

27

22

660

135

120

7.2

-

MAX 。单位

-

97

130

-1

-

-10

+100

21

-

1470

V

mΩ

V

S

uA

nA

nC

ns

pF

Ω

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -0.8A ，V

GS

=0V

I

S

= -3A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

典型值。

-

24

11

MAX 。单位

-1.2

-

V

ns

nC

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse测试

3.表面安装1

2

铜垫FR4板，T < 10秒;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。

本产品是敏感的静电放电，请小心处理。

将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。

APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任

此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权

可靠性，功能或设计。

2

AP2301AGN-HF

16

T

A

=25 C

o

12

-I

D

，漏电流（ A）

V

G

= -2.0V

-I

D

，漏电流（ A）

-5.0V

-4.5V

-3.5V

-2.5V

T

A

= 150

o

C

12

-5.0V

-4.5V

-3.5V

-2.5V

65mΩ

G

= -2.0V

V

8

4

0

2

4

6

0

2

4

6

8

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

80

2

I

D

=-2A

T

A

=25 C

70

o

I

D

= -3A

V

GS

= -4.5V

1.6

归一化

DS （ ON）

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

60

1.2

50

0.8

40

1

2

3

4

5

0.4

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2

4

I

D

= -250uA

1.6

3

T

j

=150

o

C

-I

S

(A)

T

j

=25

o

C

归V

GS （ TH）

1.2

2

0.8

1

0.4

2.01E+08

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

3

AP2301AGN-HF

f=1.0MHz

6

1000

-V

GS

，门源电压（ V）

5

I

D

= -3A

V

DS

=-10V

800

4

65mΩ

C（ pF）的

600

C

国际空间站

3

400

2

200

1

C

OSS

C

RSS

0

2

4

6

8

10

12

0

1

5

9

13

17

21

25

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

DUTY=0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

在这一领域

限于由R

DS （ ON）

100us

1ms

0.1

-I

D

(A)

0.05

1

10ms

100ms

0.1

0.02

P

DM

t

T

单脉冲

0.01

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

Rthja = 270 ℃ / W

T

A

=25

o

C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

1s

DC

0.001

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

8

4

V

DS

=-5V

-I

D

，漏电流（ A）

6

-I

D

，漏电流（ A）

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

T

j

=-40

o

C

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

4

2

1

0

25

50

75

100

125

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

A

，环境温度（ ℃）

o

图11.传输特性

图12.最大连续漏极电流

V.S.环境温度

4

产品speci fi cation

AP2301AGN-HF

▼

简单的驱动要求

▼

封装尺寸小

▼

表面安装器件

▼

符合RoHS &无卤

D

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

S

-20V

97mΩ

- 3.3A

D

SOT-23

G

描述

来自APEC高级功率MOSFET为设计者提供了最好的

组合快速切换的，低导通电阻和成本效益。

采用SOT -23封装，广泛首选商业，工业表面

安装的应用程序，并适用于低电压应用，如直流/直流

转换器。

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

连续漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

1

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

- 20

+8

-3.3

-2.7

-15

1.38

-55到150

单位

V

A

W

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

3

价值

90

单位

℃/W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

产品speci fi cation

AP2301AGN-HF

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-3A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2.6A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-3A

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

V

GS

= +8V, V

DS

=0V

I

D

=-3A

V

DS

=-10V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-10V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω

V

GS

=-5V

V

GS

=0V

V

DS

=-10V

f=1.0MHz

分钟。

-20

-

-0.3

-

典型值。

-

10

-

8.5

1.2

3

10

20

27

22

660

135

120

7.2

-

MAX 。单位

-

97

130

-1

-

-10

+100

21

-

1470

V

mΩ

V

S

uA

nA

nC

ns

pF

Ω

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -0.8A ，V

GS

=0V

I

S

= -3A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

典型值。

-

24

11

MAX 。单位

-1.2

-

V

ns

nC

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2