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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1356页 > ADG508ATQ
CMOS 4- / 8通道
模拟多路复用器
ADG508A/ADG509A
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
单/双电源规格
宽电源电压范围： 10.8 V至16.5 V
扩展塑料温度范围： -40 ° C至+ 85°C
低功耗： 28 mW最大
低泄漏： 20 pA的典型
可提供16引脚DIP / SOIC和20引脚PLCC / LCC
套餐
更好的选择
DG508A ， HI- 508
DG509A ， HI -509
功能方框图
ADG508A
S1
D
S8
解码器
00051-001
A0 A1 A2 EN
图1. ADG508A
ADG509A
S1A
S4A
DA
S1B
S4B
解码器
DB
A0
A1
EN
图2. ADG509A
概述
该ADG508A和ADG509A是单片CMOS模拟
多路转换器与8通道和双4通道， respec-
tively 。该ADG508A开关8路输入之一到一个共同的
输出，这取决于三个二进制地址和一个状态
使能输入。该ADG509A切换4路差分1
输入至公共差分输出，根据状态
两个二进制地址和一个使能输入。两款器件均
TTL和5 V CMOS逻辑兼容数字输入。
该ADG508A和ADG509A是在增强的设计
LC
2
MOS工艺，让V的增加信号的能力
SS
到V
DD
并且使操作在宽范围的电源电压。
该设备可以在任何地方，在10.8 V至舒适地操作
16.5 V单电源或双电源范围。这些多路复用器还
具有高开关速度和低R
ON
.
产品亮点
1.
单/双电源规格有宽公差。
这些器件在10.8 V至16.5 V范围内的指定
单，双电源供电。
扩展信号范围。增强型LC
2
MOS处理
结果在一个高的击穿和增加的模拟信号
V范围
SS
到V
DD
.
先开后合式开关。开关是保证
突破前先使输入信号的保护
对瞬间短路。
低漏。在20 pA的使范围的漏电流
这些多路转换器适合于高精度电路。
2.
3.
4.
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
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传真： 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
00051-002
ADG508A/ADG509A
目录
特点................................................. ............................................. 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述............................ 8
典型性能特征........................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 11
单电源八路DAC的应用........................................ 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
7/09—Rev.
C到Rev. D的
更改表4 .............................................. .............................. 8
3月7日 - 修订版。 B到C版
更新格式................................................ ..................通用
更改表3 .............................................. .............................. 6
inserted表4 ............................................... .................................. 7
inserted表6 ............................................... .................................. 8
图24 ..............................................变化........................ 12
更新的外形尺寸............................................... ........ 13
更改订购指南.............................................. ............ 15
修订版D |第16页2
ADG508A/ADG509A
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= -10.8 V至-16.5 V时，除非另有说明。
表1中。
ADG508A/
ADG509A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°
V
SS
V
DD
280
450
300
V
SS
V
DD
ADG508A/
ADG509A
B版本
-40 ° C至
+25°C +85°C
V
SS
V
DD
280
450
300
V
SS
V
DD
ADG508A/
ADG509A
T版
-55℃
+25°C +125°C
V
SS
V
DD
280
450
V
SS
V
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
= （典型值）
=最大
=最大
=最大
％/℃ （典型值）
％ （典型值）
nA的典型值
评论
10 V ≤ V
S
≤ +10 V，I
DS
= 1毫安;
见图14
V
DD
= 15 V (±10%),
V
SS
= 15 V (±10%)
V
DD
= 15 V (±5%),
V
SS
= 15 V (±5%)
V
S
= 0, I
DS
= 1毫安
10 V ≤ V
S
≤ +10 V，I
DS
= 1毫安
V1 = ±10 V, V2 =
m
10 V;
参见图15
V1 = ±10 V, V2 =
m
10 V;
见图16
600
400
600
400
600
300
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入漏
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
50
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
50
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
400
50
I
D
（ OFF ） ，关闭输出漏
ADG508A
ADG509A
I
D
（ ON）时，在信道泄漏
ADG508A
ADG509A
I
差异
，差分输出关
泄漏（ ADG509A只）
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
t
过渡1
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
100
50
100
50
25
100
50
100
50
25
100
50
100
50
25
V1 = V2 = ± 10 V ;参见图17
V1 = ±10 V, V2 =
m
10 V;
见图18
2.4
0.8
1
8
200
300
50
25
200
300
200
300
68
50
400
10
400
400
8
200
300
50
25
200
300
200
300
68
50
2.4
0.8
1
8
200
400
10
400
400
300
50
25
200
300
200
300
68
50
2.4
0.8
1
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
纳秒（典型值）
V
IN
= 0至V
DD
V1 = ±10 V, V2 =
m
10 V;
见图19
见图20
见图21
见图21
V
EN
= 0.8 V ，R
L
= 1千欧，C
L
= 15 pF的，
V
S
= 7 V RMS， F = 100千赫
400
10
400
400
t
1
开放
t
ON
（ EN ）
1
t
关闭
（ EN ）
1
OFFF隔离
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
dB典型值
分贝分钟
修订版D |第16页3
ADG508A/ADG509A
ADG508A/
ADG509A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°
5
22
11
4
0.6
1.5
I
SS
功耗
20
0.2
10
28
1
参数
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG508A
ADG509A
Q
INJ
，电荷注入
电源
I
DD
ADG508A/
ADG509A
B版本
-40 ° C至
+25°C +85°C
5
22
11
4
0.6
1.5
20
0.2
10
28
ADG508A/
ADG509A
T版
-55℃
+25°C +125°C
5
22
11
4
0.6
1.5
20
0.2
10
28
单位
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pC的典型值
毫安（典型值）
最大mA
μA （典型值）
最大mA
毫瓦（典型值）
毫瓦MAX
评论
V
EN
= 0.8 V
V
EN
= 0.8 V
R
S
= 0 Ω, V
S
= 0;参见图22
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。
修订版D |第16页4
ADG508A/ADG509A
单电源
V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= GND = 0V时，除非另有说明。
表2中。
ADG508A/
ADG509A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND
V
DD
500
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
GND
V
DD
ADG508A/
ADG509A
B版本
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND
V
DD
500
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
GND
V
DD
ADG508A/
ADG509A
T版
-55℃
+25°C +125°C
GND
V
DD
500
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
GND
V
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
= （典型值）
=最大
％/℃ （典型值）
％ （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
评论
GND V
S
= 10 V，I
DS
= 0.5毫安;
见图14
V
S
= 0, I
DS
- 0.5毫安
GND V
S
= 10 V，I
DS
- 0.5毫安
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
参见图15
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
见图16
1000
1000
1000
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入漏
50
50
50
I
D
（ OFF ） ，关闭输出漏
ADG508A
ADG509A
I
D
（ ON）时，在信道泄漏
ADG508A
ADG509A
I
差异
，差分输出关
泄漏（ ADG509A只）
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
t
过渡1
100
50
100
50
100
50
V1 = V2 = 10 V / GND ;
见图17
100
50
25
100
50
25
100
50
25
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
见图18
2.4
0.8
1
8
300
450
50
25
250
450
250
450
68
50
5
22
11
4
600
10
600
600
8
300
450
50
25
250
450
250
450
68
50
5
22
11
4
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
450
50
25
250
450
250
450
68
50
5
22
11
4
2.4
0.8
1
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
纳秒（典型值）
V
IN
= 0至V
DD
V1 = 10V / GND ， V2 = GND / 10 V ;
见图19
见图20
见图21
见图21
V
EN
= 0.8 V ，R
L
= 1kΩ的，C
L
= 15 pF的，
V
S
= 3.5 V RMS， F = 100千赫
V
EN
= 0.8 V
V
EN
= 0.8 V
R
S
= 0 Ω, V
S
= 0 V ;参见图22
600
10
600
600
t
1
开放
t
ON
（ EN ）
1
t
关闭
（ EN ）
1
关断隔离
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pC的典型值
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG508A
ADG509A
Q
INJ
，电荷注入
修订版D |第16页5
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A6B273KLW
AD5668ARUZ-3
AD9928BBCZ
A54SX08-FG144I
AT29C256-20DC
AD7581SQ
A5209M2
ACT-S512K8N-055F4I
AM27C256-90LI
ASM5I2304A-1H-08-SR
AD8041-EB
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