AF9410N
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 简单的驱动要求
- 低导通电阻
- 快速开关特性
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该SOP - 8包装普遍首选的所有
商业，工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
产品概述
BV
DSS
(V)
30
R
DS （ ON）
(m)
18
I
D
(A)
9.6
引脚分配
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
引脚名称
S
G
D
描述
来源
门
漏
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
9410N X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.3二○○四年十一月十九日
1/5
AF9410N
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
等级
30
±25
9.6
7.7
40
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
50
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源
导通电阻
（注3）
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C,
I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=9A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=9A,
V
DS
=20V,
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,
I
D
=1A,
R
G
=3.3, V
GS
=10V
R
D
=15
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.04
-
-
-
13
-
-
-
11
3
7
10
6
23
7
840
190
140
1.4
马克斯。
-
-
18
28
3
-
1
uA
25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1350
-
-
-
nA
nC
单位
V
V/
o
C
m
V
S
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
（注3）
反向恢复时间
反向恢复电荷
2
测试条件
I
S
= 2.1A ，V
GS
=0V
I
S
= 9A ，V
GS
=0V,
dl/dt=100A/s
o
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
8
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
注1 ：
表面装在1 FR4电路板的铜垫，T
≤
10秒;安装在最小的时候125℃ / W 。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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修订版1.3
2004年11月19日
AF9410N
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 简单的驱动要求
- 低导通电阻
- 快速开关特性
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该SOP - 8包装普遍首选的所有
商业，工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
产品概述
BV
DSS
(V)
30
R
DS （ ON）
(m)
18
I
D
(A)
9.6
引脚分配
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
引脚名称
S
G
D
描述
来源
门
漏
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
9410N X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.3二○○四年十一月十九日
1/5
AF9410N
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
等级
30
±25
9.6
7.7
40
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
50
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源
导通电阻
（注3）
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C,
I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=9A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=9A,
V
DS
=20V,
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,
I
D
=1A,
R
G
=3.3, V
GS
=10V
R
D
=15
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.04
-
-
-
13
-
-
-
11
3
7
10
6
23
7
840
190
140
1.4
马克斯。
-
-
18
28
3
-
1
uA
25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1350
-
-
-
nA
nC
单位
V
V/
o
C
m
V
S
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
（注3）
反向恢复时间
反向恢复电荷
2
测试条件
I
S
= 2.1A ，V
GS
=0V
I
S
= 9A ，V
GS
=0V,
dl/dt=100A/s
o
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
8
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
注1 ：
表面装在1 FR4电路板的铜垫，T
≤
10秒;安装在最小的时候125℃ / W 。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
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www.anachip.com.tw
2/5
修订版1.3
2004年11月19日
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