AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60
600V 4A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60已经使用了先进的制造
αMOS
TM
高压
这是旨在提供在开关应用高水平的性能和鲁棒性的过程。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
16A
0.9
6nC
1.5J
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOT4S60/AOB4S60
符号
漏源电压
V
DS
600
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF4S60
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
83
0.67
4
3.7
±30
4*
3.7*
16
1.6
38
77
31
0.25
100
20
-55到150
300
AOT4S60/AOB4S60
65
0.5
1.5
AOTF4S60
65
--
4
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60
600V 4A
α
MOS
TM
功率晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=5V,I
D
=250A
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A，T
J
=25°
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A，T
J
=150°
C
I
S
=2A,V
GS
= 0V ，T
J
=25°
民
600
650
-
-
-
2.9
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
700
-
10
-
3.5
0.78
2
0.81
-
-
263
21
17.1
47.7
0.75
18
6
1.6
1.8
18
8
40
12
177
12
1.5
最大
-
-
1
-
±100
4.1
0.9
2.4
-
4
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nΑ
V
V
A
A
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
C
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容，能量
相关
H
有效的输出电容，时间
相关
I
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0 480V ， F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=2A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=2A,
R
G
=25
I
F
=2A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
I
F
=2A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=2A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G. L = 60mH ，我
AS
= 1.6A ，V
DD
= 150V ，起始物为
J
=25°
C
小时。
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
一。C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
J.波峰焊只允许在引线。
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AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60
600V 4A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
80
5
额定电流我
D
(A)
25
75
100
125
T
例
(°C)
图13 ：雪崩能量
50
150
175
60
E
AS
（兆焦耳）
4
3
40
2
20
1
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
25
50
150
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：为AOT （B ） 4S60归最大瞬态热阻抗（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=4°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图16 ：为AOTF4S60归最大瞬态热阻抗（注F）
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本报告适用于600V 4A
α
MOS
TM
功率晶体管
AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60.
该AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60一直采用先进的制造
α
MOS高
这是旨在提供在开关高水平的性能和鲁棒性电压过程
应用程序。通过提供低RDS（on ）的Qg和EOSS随着雪崩能力保证
这些部件可以快速通过进入新的和现有的离线功率电源设计。
TM
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT4S60L & AOB4S60L & AOTF4S60L
“的承诺，以卓越品质&可靠性！ ”
为了实现这一愿景， AOS不断追求卓越的设计，制造，可靠性
并积极响应客户的反馈意见。
AOS保证所有产品的质量和可靠性超过顾客的期望由
不断地评估任何潜在的风险，识别疑似故障的原因，纠正驾驶
行动，并通过不断的承诺的时间内制定预防计划
改进。
这AOS产品可靠性报告总结AOS产品可靠性的结果。从已公布的产品
可靠性数据将来自新产品鉴定试验计划和日常可靠性的结果
计划活动。加速环境测试是在一个特定的样本大小进行的，并
再其次，在终点电气测试。发布的产品将通过该方法进行分类
家庭和不断提高产品质量每季进行监控。表1
列出了通用的可靠性，资格要求和条件：
表1 ： AOS通用可靠性鉴定要求
测试项目
HTGB
HTRB
回流焊
前提
HAST
压力罐
温度
周期
电源循环
测试条件
温度= 150 ℃，
Vgsmax的的Vgs = 100％
温度= 150 ℃，
的Vds = 80 ％ Vdsmax的
168小时85 ℃/ 85 ％RH下+
3循环回流@ 250℃
（ MSL等级1 ）
130 +/- 2°C ,
相对湿度85％ ， 33.3磅，
Vgs的最大值的的Vgs = 100％
121℃ ， 29.7psi ，
100%RH
-65℃ 150℃ ，
空气到空气中，
TJ = 125
°C
时间点
500分之168小时
样品
SIZE
77个/很多
ACC /拒绝
0/1
1000小时
500分之168小时
77个/很多
1000小时
-
的总和
PCT ， TC和
HAST
55个/很多
77个/很多
77个/很多
77个/很多
0/1
0/1
100 5小时
96小时
250 / 500
周期
4286次
0/1
0/1
0/1
0/1
AOS可靠性报告
2
高温栅偏压（ HTGB ） &高温反向偏压
（ HTRB ）
HTGB老化应力被用来强调栅极氧化物在高温环境中，因此任何
栅氧化物完整性问题可以识别。 HTRB老化应力是用来验证结
最高工作温度下的降解。
通过HTGB & HTRB B / I进行压力测试，在现场操作&长期器件级器件的寿命
可靠性可以被确定。 FIT率是通过应用Arrhenius方程进行计算的
0.7EV的活化能和在55℃下的操作条件的60％的置信水平。
回流焊前提（前-CON ）
焊料回流前提是模拟了下运输和储存包装的试
不可控的环境。前提是预要求的机械相关可靠性
测试（如温度循环，压力罐和高加速度的压力测试（ HAST ）的
测试程序是：将部分水分浸泡再烤的压力罐，或者被放入
85 ％RH ， 168小时85摄氏度的环境。然后，他们将通过回流焊炉与运行
温度在250℃ +/- 5℃ 。测试条件完全符合MSL等级1的先决条件是
该检测包剥离试验，解除连接线的问题。
温度循环（ TC ）
温度循环试验是评价包和相互作用的机械完整性
在管芯和封装之间。这是一个空空试验在温度范围从-65C / 150℃
和应力的持续时间是从250个周期500个周期。
压力罐（PCT ）
PCT试验是测量设备的能力承受湿气和污染物的试验
环境。该测试是在封闭的室内进行的条件121C 15 +/- 1PSIG ，
100％ RH和应力的持续时间是96小时。
高加速应力测试（ HAST ）
高加速应力试验是要强调在高湿度下的器件，高压环境
在直流偏置条件。如果离子污染涉及，从金属层中的腐蚀可能是
由HAST应力状态加速。
电源循环
功率周期，执行测试，以确定该设备的能力来承受备用
暴露在高温和低温结点温度极值与操作偏置周期性地施加
并除去。它的目的是模拟在典型的应用中遇到的最坏情况的条件。
下面的表基于设备/过程的家庭和总结鉴定结果
分别封装类型。
AOS可靠性报告
3
表2可靠性测试和封装测试结果：
总
样品
SIZE
数
失败
测试项目
测试条件
时间点
HTGB
温度= 150 ℃，
Vgsmax的的Vgs = 100％
500分之168小时
308
1000小时
0
HTRB
温度= 150 ℃，
的Vds = 80 ％ Vdsmax的
500分之168小时
385
1000小时
0
回流焊
前提
168小时85 ℃/ 85 ％RH下+
3循环回流@ 250℃
（ MSL等级1 ）
-
627
0
HAST
130 +/- 2 ℃，相对湿度85％ ， 33.3磅，
Vgs的最大值的的Vgs = 100％
100小时
165
0
压力罐
121℃， 29.7psi ， 100 ％RH的
96小时
231
0
温度
周期
-65℃ 150℃ ，
空气到空气中，
250 / 500
周期
231
0
电源循环
Tj=125°C
4286次
231
0
AOS可靠性报告
4
可靠性评估：
FIT率（十亿） ： 7
MTTF = 16120年
FIT率产品可靠性的介绍是按的实际老化样本大小的限制
选择产品。故障率的确定是基于JEDEC标准JESD 85 FIT是指一个
每十亿小时的故障。
失效率（ FIT ）
=驰X 10
/
[2
（N） （H）（ Af）中的]
9
= 1.83 x 10
/
[2
(3x77x168+2x3x77x1000) (258)] =7
9
8
MTTF =
10 / FIT = 1.41 ×10小时= 16120年
Chi
=驰平方分布，通过故障和置信区间的数目来确定
N
从HTRB和HTGB试验单位=总数
H
=的HTRB / HTGB测试时间
Af
=从测试加速因子使用条件（ EA = 0.7EV和土色= 55
°
C)
加速因子AF] =
EXP
[ EA /
k
（ 1 / TJ ü - 1 / TJ秒]
加速系数比列表：
55摄氏度
70℃
85摄氏度
100℃
115摄氏度
130℃
150℃
2
9
Af
258
87
32
13
5.64
2.59
1
TJ s
=在程度上强调结点温度（开尔文） ，K = C + 273.16
TJ ü
=在度使用结点温度（开尔文） ，K = C + 273.16
k
=
玻尔兹曼常数， 8.617164 ×10
-5
电子伏特/ K
AOS可靠性报告
5
QQ：2880707522 复制
