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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1533页 > ADG408BR
a
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻(最大值100 )
低功耗(I
供应
< 75 A)
快速开关
先开后合式开关动作
插入式替换DG408 / DG409
应用
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样和保持系统
通信系统
LC MOS 4- / 8通道
高性能模拟多路复用器
ADG408/ADG409
功能方框图
ADG408
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1第8
解码器
S4B
1 4
解码器
2
ADG409
A0 A1 A2 EN
A0
A1
EN
概述
产品亮点
该ADG408和ADG409均为单芯片CMOS模拟
多路复用器包括8个单通道和4 differen-
分别TiAl基的渠道。该ADG408开关的八分之一
输入到由3比特的二进制确定一个共同的输出
地址线A0, A1和A2。该ADG409开关的四分之一
差分输入为阻止 - 公共差分输出
由2位二进制地址线A0和A1开采。一个EN
输入两个设备上,用于启用或禁用该设备。
禁用时,所有通道被关闭。
该ADG408 / ADG409都在增强LC设计
2
MOS
过程中提供低功耗,高
开关速度和低导通电阻。每个通道行为
当对同样在两个方向上,并具有一输入信号
范围延伸到供应。在断开状态下,信号
水平最高的供应被阻断。所有通道都表现出突破性
之前,使开关动作,防止瞬时短路
切换频道时。固有的设计是低电荷
注射最小的瞬变切换数字时
输入。
该ADG408 / ADG409得到改善替代的
DG408 / DG409模拟多路复用器。
1.扩展信号范围
该ADG408 / ADG409是制造上的增强
LC
2
MOS工艺给人一种增加的信号范围
延伸到供电轨。
2.低功耗
3低R
ON
4.单电源供电
对于应用程序,当该模拟信号是单极的,该
ADG408 / ADG409可以从一个单一的轨道动力操作
供应量。部件与单个+ 12V完全指明的
电源将保持功能与单电源供电
低至5 V.
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1998年
ADG408/ADG409–SPECIFICATIONS
双电源
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(上)
ADG408
ADG409
电源要求
I
DD
I
SS
I
DD
100
200
20
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
1
5
500
100
200
10
85
150
(V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V, GND = 0V,除非另有说明)
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
V
SS
到V
DD
40
100
15
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
125
40
100
15
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
单位
测试条件/评论
V
SS
到V
DD
V
典型值
125
最大
最大
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
D
=
±
10 V,I
S
= -10毫安
V
D
= +10 V, –10 V
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路2
V
D
=
±
10 V; V
S
=
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
10 V;
10 V;
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
8
120
250
10
125
225
65
150
8
120
250
10
85
150
20
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
1
5
500
10
125
225
65
150
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
10 V, V
SS
= 10 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 10nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;测试电路9
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG408/ADG409
单电源
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(上)
ADG408
ADG409
电源要求
I
DD
I
DD
100
200
(V
DD
= +12 V, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明)
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0到V
DD
90
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
8
130
10
140
60
5
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
500
100
200
8
130
10
140
60
5
–75
85
11
40
20
54
34
1
5
500
90
±
0.5
±
1
±
1
±
1
±
1
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
10
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
0到V
DD
单位
V
典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= +3 V ,+ 10 V,I
S
= -1毫安
V
D
=8 V/0 V, V
S
= 0 V/8 V;
测试电路2
V
D
=8 V/0 V, V
S
= 0 V/8 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 8 V/0 V;
测试电路4
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 8 V/0 V, V
S8
= 0 V/8 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 10nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;测试电路9
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG408/ADG409
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
订购信息
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
模拟,数字输入
2
. . . . . V
SS
-2 V到V
DD
2 V或20 mA时,
以先到为准科幻RST
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流,S或D
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(T版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
TSSOP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 155 ° C / W
θ
JC
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 ° C / W
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压A, EN ,S或D将由内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
模型
1
ADG408BN
ADG408BR
ADG408BRU
ADG408TQ
ADG409BN
ADG409BR
ADG409TQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项
2
N-16
R-16A
RU-16
Q-16
N-16
R-16A
Q-16
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 , B类加工零件,添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; R = 0.15"小外形集成电路( SOIC ) ;
RU =想想紧缩小型封装( TSSOP ) 。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然ADG408 / ADG409配备专用ESD保护电路,永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此,
适当的ESD预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
ADG408/ADG409
引脚配置( DIP / SOIC / TSSOP )
术语
V
DD
A0
1
EN
2
V
SS 3
S1
4
16
A1
15
A2
14
GND
最积极的供电潜力。
在双最负电源电位
耗材。在单电源应用中,可能
被连接到地。
接地( 0 V )参考。
D和S之间的欧姆电阻
在R的区别
ON
任何两种
通道。
源漏电流时,开关断开。
漏极漏电流时,开关处于关闭状态。
信道时的漏电流的开关是否打开。
在端D ,S模拟电压
通道的输入电容为“OFF”
条件。
信道的输出电容为“关”
条件。
“ON”的开关电容。
数字输入电容。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入和开关转到“ON ”状态。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入和开关“关”状态。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入端和所述开关为“ON”状态
从一个地址状态切换到另一个。
测得的80%的点之间的“关”时间
两个开关从一个开关时
解决状态到另一个状态。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1”。
输入电流的数字输入。
度量无用信号被耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
通过衡量耦合的无用信号
“OFF”表示信道。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
正电源电流。
负电源电流。
A0
1
EN
2
V
SS 3
S1A
4
16
A1
15
GND
14
V
DD
V
SS
ADG408
13
V
DD
顶视图
S2
5
(不按比例)
12
S5
S3
6
S4
7
D
8
11
S6
10
S7
9
ADG409
13
S1B
顶视图
S2A
5
(不按比例)
12
S2B
S3A
6
S4A
7
DA
8
11
S3B
10
S4B
9
GND
R
ON
R
ON
I
S
(关闭)
S8
DB
ADG408真值表
I
D
(关闭)
ON
开关
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
, I
S
(上)
V
D
(V
S
)
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
C
IN
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ADG409真值表
Al
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
t
过渡
t
开放
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
相声
关断隔离
收费
注射
I
DD
I
SS
REV 。一
–5–
LC
2
MOS 4- / 8通道
高性能模拟多路复用器
ADG408/ADG409
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻( Ω 100最大)
低功耗(I
供应
< 75 μA )
快速开关
先开后合式开关动作
插入式替换DG408 / DG409
功能方框图
ADG408
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1-OF-8
解码器
S4B
1-OF-4
解码器
00027-001
ADG409
应用
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
A0 A1 A2 EN
A0
A1
EN
图1 。
概述
该ADG408 / ADG409均为单芯片CMOS模拟多路复用器
包括8个单通道和4个差分通道,
分别。该开关ADG408 8路输入之一到
作为由3位二进制地址线确定的公共输出端
A0,A1和A2 。该ADG409切换4路差分1
输入至公共差分输出,这是由确定的
2位二进制地址线A0和A1 。提供EN输入,两个设备上
用于启用或禁用该设备。当设备被禁用,
所有信道都被关断。
该ADG408 / ADG409都在增强LC设计
2
MOS
过程中,提供低功耗,高
开关速度和低导通电阻。每个通道行为
当对同样在两个方向上,并具有一输入信号
范围延伸到供应。在断开状态下,信号
水平最高的供应被阻断。所有通道都表现出突破性
之前,使开关动作,防止瞬时短路
切换频道时。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
该ADG408 / ADG409得到改善替代的
DG408 / DG409模拟多路复用器。
产品亮点
1.
扩展信号范围。该ADG408 / ADG409是
制造上的增强型LC
2
MOS工艺,给人一种
延伸到供电轨增加的信号范围。
低功耗。
低R
ON
.
单电源供电。对于应用中的
单极性模拟信号时, ADG408 / ADG409可以
从单轨供电工作。该部件是
用一个12V电源完全指定,并保持
功能与单电源供电低至5 V.
2.
3.
4.
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
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ADG408/ADG409
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ ................................... 6
引脚配置和功能描述............................ 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
术语................................................. ................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
10/06—Rev.
B到C版
更新格式................................................ ..................通用
更改表3 .............................................. .............................. 6
inserted表4和表5 ............................................ ................ 7
更新的外形尺寸............................................... ........ 14
更改订购指南.............................................. ............ 15
3月3日 - 修订版。 A到版本B
更改订购指南.............................................. ............... 4
更新的外形尺寸............................................... ........ 11
2月1日 - 修订版0 :初始版
版本C | 16页2
ADG408/ADG409
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V, V
SS
= -15 V, GND = 0V,除非另有说明。
表1中。
B版本
-40 ° C至
+25C
+85C
V
SS
到V
DD
40
100
15
±0.5
±1
±1
±1
±1
125
40
100
15
±0.5
±1
±1
±1
±1
T版
-55℃
+25C
+125C
V
SS
到V
DD
125
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D,
I
S
(上)
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
过渡
t
开放
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(上)
ADG408
ADG409
单位
V
= (典型值)
=最大
=最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
测试条件/评论
V
D
= -10 V,I
S
=
10
mA
V
D
= +10 V,
10
V
V
D
= ±10 V, V
S
=
m
1
0 V ;参见图19
V
D
= ±10 V; V
S
=
m
10 V ;参见图20
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图21
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
F = 1 MHz的
54
34
54
34
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= ±10 V, V
S8
=
m
10 V ;参见图22
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图23
R
L
= 300 Ω C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 10nF的;参见图25
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;参见图26
RL = 1 kΩ的, F = 100千赫;参见图27
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
8
120
250
10
125
225
65
150
8
120
250
10
125
225
65
150
10
85
150
10
85
150
20
75
85
11
40
20
20
75
85
11
40
20
版本C |第16页3
ADG408/ADG409
参数
电源要求
I
DD
I
SS
I
DD
100
200
B版本
-40 ° C至
+85C
+25C
1
5
1
5
500
100
200
T版
-55℃
+125C
+25C
1
5
1
5
500
单位
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
1
通过设计保证,不受生产测试。
单电源
V
DD
= 12 V, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
B版本
-40 ° C至
+25C +85C
0到V
DD
90
±0.5
±1
±1
±1
±1
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
8
130
10
140
60
5
–75
8
130
10
140
60
5
–75
90
±0.5
±1
±1
±1
±1
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
T版
-55℃
+25°C
+125C
0到V
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN,
数字输入电容
动态特性
1
t
过渡
t
开放
单位
V
= (典型值)
nA的最大
nA的最大
nA的最大
测试条件/评论
V
D
= 3 V , 10 V,I
S
= -1毫安
VD = 8 V / 0 V ,V
S
= 0 V / 8 V ;参见图19
V
D
= 8 V/0 V, V
S
= 0 V / 8 V ;参见图20
V
S
= V
D
= 8 V / 0 V ;参见图21
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
dB典型值
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 8 V/0 V, V
S8
= 0 V / 8 V ;参见图22
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图23
R
L
= 300 Ω C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
V
S
= 0 V ,R
S
= 0Ω, C
L
= 10nF的;参见图25
R
L
= 1 kΩ的F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;参见图26
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
版本C | 16页4
ADG408/ADG409
参数
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(上)
ADG408
ADG409
电源要求
I
DD
I
DD
B版本
-40 ° C至
+25C +85C
85
11
40
20
54
34
1
5
100
200
500
100
200
T版
-55℃
+125C
+25°C
85
11
40
20
54
34
1
5
500
单位
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
测试条件/评论
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;参见图27
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1
通过设计保证,不受生产测试。
版本C |第16页5
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
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联系人:张
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联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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