AOD444 ， AOD444L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=12A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
30
47
85
67
14
0.74
1
12
450
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
61
27
1.35
7.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=12A
3.8
1.2
1.9
4.2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
3.4
16
2
27.6
30
35
2
10
5
540
85
60
2.4
民
60
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度FO 175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD444 ， AOD444L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
100
0
0
2
4
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
V
DS
=30V
I
D
=12A
A
700
600
电容（pF）
500
400
300
C
OSS
200
C
国际空间站
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
10s
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
200
160
功率（W）的
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10.0
I
D
（安培）
100s
1.0
DC
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=7.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD444 ， AOD444L
典型的电气和热特性
14
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
功耗（ W）
0.001
12
10
8
6
4
2
0
0.00001
T
A
=25°C
25
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
20
15
10
5
0
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
14
12
额定电流我
D
(A)
10
功率（W）的
8
6
4
50
40
30
20
10
T
A
=25°C
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD444/AOI444
60V N沟道MOSFET
概述
该AOD444 / AOI444结合先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS （ ON）
。这些设备都适合使用
在PWM ，负荷开关和一般用途的应用。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
60V
12A
<的60mΩ
< 85mΩ
100 ％ UIS测试
100 ％通过Rg测试
TO252
DPAK
冠捷
D
D
底部视图
冠捷
TO-251A
IPAK
底部视图
D
D
S
G
S
G
G
S
D
G
G
S
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
12
9
30
4
3
19
18
20
10
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
17.4
50
4
最大
30
60
7.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
冯0 ： 2009年8月
www.aosmd.com
第1页6
AOD444/AOI444
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
360
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
40
16
0.6
T
J
=125°C
1
30
47
85
67
14
0.74
1
12
450
61
27
1.4
7.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=12A
3.8
1.2
1.9
4.2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
60
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.4
3
60
100
85
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
540
80
40
2.0
10
5
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
3.4
16
2
27
30
35
体二极管反向恢复电荷我
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2009年8月
www.aosmd.com
第2 6
AOD444/AOI444
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=12A
电容（pF）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
4
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
8
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
100.0
10s
200
10.0
I
D
（安培）
10s
功率（W）的
160
120
80
40
0
0.0001
1.0
R
DS （ ON）
有限
DC
100s
1ms
10ms
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=7.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
1
0.1
P
D
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2009年8月
www.aosmd.com
第4 6
AOD444/AOI444
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°C
功耗（ W）
T
A
=100°C
25
20
15
10
5
0
1
10
100
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注F）
10
T
A
=150°C
T
A
=125°C
1
16
14
额定电流我
D
(A)
12
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注F）
100
17
5
2
10
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
1000
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
100
1000
0.01
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2009年8月
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分页： 5 6
飞思卡尔
电气特性
参数
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
STATIC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15.2 A
I
S
= 21 A，V
GS
= 0 V
动态
V
DS
= 30 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 15.2 A
V
DS
= 30 V ，R
L
= 2 Ω,
I
D
= 15.2 A,
V
根
= 10 V ，R
根
= 6 Ω
民
1
AOD444 / MCD444
典型值
最大
单位
V
nA
uA
A
±100
1
25
30
94
109
20
1.03
5.1
2.3
2.0
4
9
17
19
353
26
14
mΩ
S
V
nC
ns
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
pF
笔记
一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
B 。通过设计保证，不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，
表示
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不飞思卡尔承担由此产生的任何法律责任
任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同
在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证
客户的客户应用的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔
产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
拟申请支持或维持生命，或任何其他应用程序中，飞思卡尔产品的故障可能造成这样的局面
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用飞思卡尔产品的任何意外或未经授权的应用程序，
买方应赔偿并持有飞思卡尔及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害对所有索赔，费用，
损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。
飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
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飞思卡尔
典型电气特性
10
VGS栅 - 源极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
QG - 总栅极电荷（ NC）
0.5
-50
-25
0
25
50
V
DS
= 30V
I
D
= 15.2A
2
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
AOD444 / MCD444
1.5
1
75
100
125
150
TJ -JunctionTemperature （ ° C）
7.栅极电荷
1000
瞬态峰值功率（ W）
10我们
100美
1毫秒
8.归一化导通电阻VS
结温
60
50
40
30
20
10
0
0.001
100
ID电流（A ）
10
10毫秒
100毫秒
1秒
1
10秒
100秒
0.1
1
0.1
1
10
100
DC
IDM限制
受
RDS
0.01
1000
VDS漏极至源极电压（ V）
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1时间（秒）
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 40
°C
/W
P（ PK）
t
1
t
2
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间（秒）
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
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飞思卡尔
包装信息
AOD444 / MCD444
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.包装体尺排除毛边，突起或毛刺。模具闪光灯，突起或毛刺谈情
不超过0.10毫米每边。
立志在最极端的塑体独家模具闪光灯，门3.封装体尺寸
毛刺和引脚间，但包括的顶部和底部的塑体的不匹配。
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