A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf =
V
IH
....................................................................................... 10
表2.设备总线操作闪存字节模式....................... 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 28
图5.擦除操作............................................. ................. 28
表12. Am29DL640H命令定义................... 29
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 30
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 30
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 31
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 31
图7.切换位算法............................................ ............ 31
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
自选功能................................................ .............. 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表3. Am29DL640H部门架构.................................... 14
表4.银行地址............................................. ....................... 16
表5. SecSi 扇区地址........................................... .... 16
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表13.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图8.最大负过冲波形...................... 34
图9.最大正过冲波形........................ 34
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
CMOS兼容................................................ .................. 35
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 36
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 36
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图12.测试设置............................................. ....................... 38
图13.输入波形和测量水平................. 38
部门/部门块保护和unprotection的.................. 17
表6. Am29DL640H引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 17地址
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
CE＃ 1ps的时序.............................................. ......................... 39
图14.时序图交替
之间的伪SRAM和Flash ............................................. ... 39
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 18
表7. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 18
只读操作.............................................. ............. 40
图15.读操作时序............................................ ... 40
临时机构撤消............................................... ... 18
图1.临时机构撤消操作........................... 18
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 19
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 41
图16.复位时序............................................. .................. 41
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 20
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 21
字配置（ CIOf ） ............................................. ......... 42
图17. CIOf时序进行读操作................................ 42
图18. CIOf时序写操作................................ 42
硬件数据保护............................................... ....... 21
低V
CC
写禁止................................................ .............. 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 21
逻辑禁止................................................ .......................... 21
上电写禁止............................................. ............... 21
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 21
表8. CFI查询标识字符串.............................. 22
表9.系统接口字符串............................................ .......... 22
擦除和编程操作.............................................. 43
图19.程序操作时序..........................................
图20.加速程序时序图..........................
图21.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图22.返回到后端的读/写周期时序......................
图23.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图24.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图25. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
44
44
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临时机构撤消............................................... ... 48
图26.临时机构撤消时序图.............. 48
图27.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 49
表10.设备几何定义................................. 23
表11.主要供应商特定的扩展查询........... 24
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 25
Word程序命令序列..................................... 26
解锁绕道命令序列..................................... 26
图4.程序运行............................................. ............. 27
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 50
图28.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 51
伪SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
电时间............................................... ........................ 52
读周期................................................ ............................. 52
图29.伪SRAM读周期，地址控制......... 52
图30.伪SRAM读周期........................................... 53
芯片擦除命令序列........................................... 27
扇区擦除命令序列........................................ 27
写周期................................................ ............................. 54
图31.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 54
图32.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 55
二〇〇三年十二月十二日
Am49DL640AH
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