0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V双
SPDT / 2 ： 1多路复用器在小型LFCSP封装
ADG824
特点
0.5 Ω典型导通电阻
0.7 Ω最大导通电阻为85°C
1.65 V至3.6 V的操作
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<20 NS
典型功耗（ <0.1 μW ）
1.3毫米× 1.6毫米小型LFCSP封装
功能框图
ADG824
S1A
D1
S1B
IN1
IN2
S2A
D2
S2B
06693-001
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG824是含有两个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该器件具有超低的不足性
0.7 Ω ，在整个温度范围内。该ADG824是完全
对于3.3 V指定， 2.5 V和1.8 V电源供电。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG824展品先开后合式开关动作。
在ADG824的阻力低，使该器件非常适用
音频切换。此外， 180 Mbps的数据速率使得
适用于USB低速（ 1.5 Mbps）和全速设备
（ 12 Mbps）的数据交换。
该ADG824是提供一个1.3毫米× 1.6毫米， 10引脚小型
LFCSP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
<0.7 Ω在-40 ° C至+ 85°C的整个温度范围内。
单1.65 V至3.6 V的操作。
1.8 V逻辑兼容。
高载流能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N （典型值0.06 ％ ） 。
1.3毫米× 1.6毫米小型LFCSP封装。
第0版
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ADG824
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ ................................... 6
引脚配置和功能描述.............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
术语................................................. ................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
4月8日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第16页2
ADG824
特定网络阳离子
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
电荷注入，Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0到V
DD
0.5
0.65
0.003
0.13
0.2
±0.2
±0.2
1.3
0.8
0.005
±0.1
2.7
7
9.5
6
7.7
3.5
27
71
90
67
总谐波失真， THD + N
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
1
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 100毫安;参见图19
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.65 V，I
DS
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V / 0.6 V ;参见图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;参见图21
0.7
0.01
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
10.8
8.6
2
0.06
0.05
90
25
58
0.003
1
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V / 0 V ;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ;参见图23
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图24
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;参见图25
S1A到S2A / S1B S2B来，R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
见图26
S1A到S1B / S2A S2B来，R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
参见图27
R
L
= 33 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图28
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页3
ADG824
V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
电荷注入，Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0到V
DD
0.65
0.78
0.005
0.2
0.3
±0.2
±0.2
1.3
0.7
0.005
±0.1
2.7
9
11.5
6
7.4
5
21
71
90
71
总谐波失真， THD + N
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
1
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 100毫安;参见图19
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.7 V，I
DS
= 100毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V / 0.6 V ;参见图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;参见图21
0.83
0.01
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
12.4
8
3
0.1
0.065
90
25
60
0.003
1
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图23
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图24
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;参见图25
S1A到S2A / S1B S2B来，R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
见图26
S1A到S1B / S2A S2B来，R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
参见图27
R
L
= 33 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图28
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页4
ADG824
V
DD
= 1.65 V至1.95伏， GND = 0V，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0到V
DD
1.3
1.7
2.5
0.01
2.1
3
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
测试条件/评论
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 100毫安;参见图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 100毫安;参见图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
DS
= 100毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V / 0.6 V ;参见图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;参见图21
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
电荷注入，Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
±0.2
±0.2
0.65 V
DD
0.35 V
DD
0.005
±0.1
2.7
13
18.6
7
9.8
7.5
15
71
90
71
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
19.3
10.2
5
总谐波失真， THD + N
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
1
0.4
0.1
90
26
61
0.003
1
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.2 V / 0 V ;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.2 V ;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.2 V ;参见图23
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图24
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;参见图25
S1A到S2A / S1B S2B来，R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
见图26
S1A到S1B / S2A S2B来，R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
参见图27
R
L
= 33 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图28
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页5
QQ：2881677436 复制
