AO4803
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4803采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4803是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4803L
是一种绿色产品订购选项。 AO4803和
AO4803L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -5 A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 52mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 87mΩ （V
GS
= -4.5V)
SOIC-8
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-5
-4.2
-20
2
1.4
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4803
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=5.0A
T
J
=125°C
6
-1
-20
39
54
67
8.6
-0.77
52
70
87
-1
-2.8
-1.8
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
700
120
75
10
14.7
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-5A
7.6
2
3.8
8.3
5
29
14
23.5
13.4
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
Rev5 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4803
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1200
V
DS
=-15V
I
D
=-5A
电容（pF）
1000
800
600
400
C
OSS
200
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
国际空间站
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
0.1s
40
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10
20
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4803
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4803采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4803是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4803L
是一种绿色产品订购选项。 AO4803和
AO4803L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -5 A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 52mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 87mΩ （V
GS
= -4.5V)
SOIC-8
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-5
-4.2
-20
2
1.4
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4803
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=5.0A
T
J
=125°C
6
-1
-20
39
54
67
8.6
-0.77
52
70
87
-1
-2.8
-1.8
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
700
120
75
10
14.7
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-5A
7.6
2
3.8
8.3
5
29
14
23.5
13.4
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
Rev5 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4803
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1200
V
DS
=-15V
I
D
=-5A
电容（pF）
1000
800
600
400
C
OSS
200
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
国际空间站
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
0.1s
40
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10
20
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4803
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.4
-30
32
48
51
13
-0.7
-1
-2.5
520
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3.5
100
65
7.5
9.2
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-5A
4.6
1.6
2.2
7.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
5.5
19
7
11
5.3
11.5
11
6
52
70
87
-1.9
民
-30
-1
-5
±100
-2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
第七版： 2011年11月
www.aosmd.com
第2 6
AO4803
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
0.01
第七版： 2011年11月
www.aosmd.com
第4 6
QQ：2881677436 复制
