AO4402
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
25
I
S
=10A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
0.6
60
11.1
16
13.1
21
50
0.8
1
4.5
1630
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
201
142
0.8
19
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=12A
3.3
5.2
3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.2,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
4.7
33.5
6
21
11
14
19.2
16
26
0.8
民
30
1
5
100
1.2
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何一个给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4402
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2500
V
DS
=15V
I
D
=12A
电容（pF）
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10.0
1ms
100s
功率（W）的
10ms
0.1s
1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10s
DC
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
ALPHA & OMEGA
半导体公司
SO - 8封装的数据
单位：毫米
符号
尺寸以英寸
A
A1
A2
b
c
D
E1
e
E
h
L
aaa
θ
θ
民
1.45
0.00
0.33
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.40
0°
喃
1.50
1.45
1.27 BSC
最大
1.55
0.10
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
1.27
0.10
8°
民
0.057
0.000
0.013
0.007
0.189
0.150
0.228
0.010
0.016
0°
喃
0.059
0.057
0.050 BSC
最大
0.061
0.004
0.020
0.010
0.197
0.157
0.244
0.020
0.050
0.004
8°
注意：
1.无铅封装： 150微英寸（ 3.8微米） MIN 。
40μm的锡/铅（焊锡）镀在LEAD
2.公差±
0.100毫米（ 4密耳），除非另有
特定网络版
3.共面性： 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面
包装标记说明
推荐地格局
注意：
LG
PARTN
F
A
Y
W
LN
- AOS标志
- 器件编码。
- FAB位置
- 装配位置
- 年份代码
- 星期代码。
- 大会批号
SO- 8 PART NO 。 CODE
单位：mm
产品型号
AO4400
AO4401
CODE
4400
4401
产品型号
AO4800
AO4801
CODE
4800
4801
产品型号
AO4700
AO4701
CODE
4700
4701
AO4302
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4302结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装提供
非常低R
DS （ ON）
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
23A
< 4MΩ
< 5mΩ的
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
30
±20
23
18
316
49
120
3.6
2.3
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
C
T
A
=70°
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
27
52
11
最大
35
65
15
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
www.freescale.net.cn
AO4302
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=18A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.3
316
3.2
4.8
3.9
120
0.7
1
5
2310
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
330
150
0.7
41
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
19
2891
474
256
1.6
51.9
24.8
7.5
10.9
7.0
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
36
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±10
1.8
2.3
4.0
6.0
5.0
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
17
37
ns
nC
A
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3470
620
360
2.4
63
30
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
4.8
41.5
8.8
11
24
13.8
30.8
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2/6
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AO4302
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=65°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
0.01
T
5/6
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AO4302
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=18A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
316
3.2
4.8
3.9
120
0.7
1
5
2310
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
330
150
0.7
41
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
19
2891
474
256
1.6
51.9
24.8
7.5
10.9
7.0
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
36
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±10
1.8
2.3
4.0
6.0
5.0
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
17
37
ns
nC
A
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3470
620
360
2.4
63
30
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
4.8
41.5
8.8
11
24
13.8
30.8
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2011年2月
www.aosmd.com
第2 6
AO4302
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=65°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
0.01
T
冯0 ： 2011年2月
www.aosmd.com
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