AO4771
30V P沟道MOSFET
概述
AO4771采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向阻断开关的执行，或用于"standard buck"的DC-DC CONVER锡永
应用程序。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-4.5V)
-30V
-4A
< 68mΩ
< 105mΩ
SOIC-8
顶视图
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
K
A
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
MOSFET
参数
漏源电压
V
DS
-30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
肖特基
单位
V
V
A
A
mJ
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
V
KA
I
F
P
D
T
J
, T
英镑
±20
-4
-3
-18
11
6
30
4
2.5
2
1.3
-55到150
2
1.3
-55到150
雪崩能量L = 0.1mH
肖特基反向电压
C
连续转T
A
=25°
当前
功耗
B
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数： MOSFET
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
参数：肖特基
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
49
72
31
最大
62.5
90
40
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
t
≤
10s
稳态
稳态
1/6
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AO4771
30V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.3
-18
56
79
83
8
-0.8
-1
-2
230
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
40
25
7.5
4.6
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-4A
2.2
0.9
0.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3.75,
R
根
=3
I
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
8
16
290
60
40
16
5.8
2.8
1.1
1.3
6
5
21
9
10
20
0.4
12
24
0.5
0.05
10
56
pF
350
80
55
24
7
3
1.3
1.8
68
95
105
-1.8
民
-30
-1
-5
±100
-2.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
mA
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=1A
V
R
=24V
V
R
= 24V ，T
J
=125°
C
V
R
=15V
2
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
最大反向漏电流
结电容
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
2/6
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AO4771
30V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-4A
电容（pF）
400
C
国际空间站
300
8
-V
GS
（伏）
6
200
4
2
100
C
RSS
C
OSS
0
0
1
2
3
4
5
6
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
10000
T
J（下最大）
=150°
C
T
A
=25°
C
10.0
10s
100s
1ms
10ms
功率（W）的
1000
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
DC
10s
1
0.0
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
10
100
0.000001
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
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30V P沟道MOSFET
概述
AO4771采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于"standard buck"的DC-DC转换
应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-4.5V)
-30V
-4A
< 68mΩ
< 105mΩ
肖特基
V
KA
I
F
V
F
（在我
F
=1A)
30V
4A
<0.5V
SOIC-8
顶视图
底部视图
顶视图
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
K
Pin1
A
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
MOSFET
漏源电压
V
DS
-30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
肖特基
单位
V
V
A
A
mJ
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
V
KA
I
F
P
D
T
J
, T
英镑
±20
-4
-3
-18
11
6
30
4
2.5
2
1.3
-55到150
2
1.3
-55到150
雪崩能量L = 0.1mH
肖特基反向电压
C
连续转T
A
=25°
当前
功耗
B
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数： MOSFET
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
参数：肖特基
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
49
72
31
最大
62.5
90
40
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
t
≤
10s
稳态
稳态
版本1 ： 2010年11月
www.aosmd.com
第1页6
AO4771
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.3
-18
56
79
83
8
-0.8
-1
-2
230
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
40
25
7.5
4.6
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-4A
2.2
0.9
0.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3.75,
R
根
=3
I
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
8
16
290
60
40
16
5.8
2.8
1.1
1.3
6
5
21
9
10
20
0.4
12
24
0.5
0.05
10
56
pF
350
80
55
24
7
3
1.3
1.8
68
95
105
-1.8
民
-30
-1
-5
±100
-2.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
mA
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=1A
V
R
=24V
C
V
R
= 24V ，T
J
=125°
V
R
=15V
2
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
最大反向漏电流
结电容
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AO4771
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-4A
电容（pF）
400
C
国际空间站
300
8
-V
GS
（伏）
6
200
4
2
100
C
RSS
C
OSS
0
0
1
2
3
4
5
6
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
10000
T
J（下最大）
=150°
C
C
T
A
=25°
10.0
10s
100s
1ms
10ms
功率（W）的
1000
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
DC
10s
1
0.0
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
10
100
0.000001
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
版本1 ： 2010年11月
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第4 6
AO4771
30V P沟道MOSFET
概述
AO4771采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向阻断开关的执行，或用于"standard buck"的DC-DC CONVER锡永
应用程序。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=-4.5V)
-30V
-4A
< 68mΩ
< 105mΩ
SOIC-8
顶视图
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
K
A
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
MOSFET
参数
漏源电压
V
DS
-30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
肖特基
单位
V
V
A
A
mJ
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
V
KA
I
F
P
D
T
J
, T
英镑
±20
-4
-3
-18
11
6
30
4
2.5
2
1.3
-55到150
2
1.3
-55到150
雪崩能量L = 0.1mH
肖特基反向电压
C
连续转T
A
=25°
当前
功耗
B
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数： MOSFET
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
参数：肖特基
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
49
72
31
最大
62.5
90
40
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
t
≤
10s
稳态
稳态
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AO4771
30V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.3
-18
56
79
83
8
-0.8
-1
-2
230
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
40
25
7.5
4.6
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-4A
2.2
0.9
0.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3.75,
R
根
=3
I
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
8
16
290
60
40
16
5.8
2.8
1.1
1.3
6
5
21
9
10
20
0.4
12
24
0.5
0.05
10
56
pF
350
80
55
24
7
3
1.3
1.8
68
95
105
-1.8
民
-30
-1
-5
±100
-2.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
mA
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=1A
V
R
=24V
V
R
= 24V ，T
J
=125°
C
V
R
=15V
2
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
最大反向漏电流
结电容
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
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30V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-4A
电容（pF）
400
C
国际空间站
300
8
-V
GS
（伏）
6
200
4
2
100
C
RSS
C
OSS
0
0
1
2
3
4
5
6
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
10000
T
J（下最大）
=150°
C
T
A
=25°
C
10.0
10s
100s
1ms
10ms
功率（W）的
1000
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
DC
10s
1
0.0
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
10
100
0.000001
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
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