汽车级
PD - 97683
AUIRFR1010Z
特点
●
●
●
●
●
●
●
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
55V
5.8m
Ω
7.5m
Ω
91A
42A
先进的工艺技术
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
G
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎，使这个设计非常高效，
在汽车应用中使用可靠的设备
和各种其他应用程序。
D
S
G
D- PAK
AUIRFR1010Z
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
91
65
42
360
140
0.9
± 20
110
220
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
h
d
g
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
300
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.11
40
110
单位
° C / W
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
06/16/11
AUIRFR1010Z
静电@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
2.0
31
–––
–––
–––
–––
–––
0.051
5.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
s V
DS
= 25V ，我
D
= 42A
μA
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
63
17
23
17
76
42
48
4.5
7.5
2840
470
250
1630
360
560
95
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 42A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 42A
R
G
= 7.6
Ω
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
f
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
24
20
42
A
360
1.3
36
30
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 28V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.13mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 42A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同
充电时间为C
OSS
而V
DS
从上升
0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型
重复雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。
100％的测试，以在生产中此值。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
AUIRFR1010Z
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
D- PAK
MSL1
M4级（ +/- 700V ）
AEC-Q101-002
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
类H1C （ +/- 1500V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
??????最高路过电压。
www.irf.com
3
AUIRFR1010Z
5000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
ID = 42A
VDS = 44V
VDS = 28V
VDS = 11V
16
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
2000
8
1000
科斯
CRSS
4
0
0
20
40
60
80
100
10
100
0
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
10000
ISD ，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
TJ = 175℃
10.00
1000
100
100μsec
1msec
10msec
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
VDS ，漏toSource电压（V ）
10
1.00
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
0.10
0.1
DC
100
的nCE
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
