【ADP4100产品预览可编程多相位同步降压变流器该ADP4100是一款集成功率控制IC，适用于VR1】,IC型号ADP4100JCPZ-RL7,ADP4100JCPZ-RL7 PDF资料,ADP4100JCPZ-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

ADP4100

产品预览

可编程多相位

同步降压

变流器

该ADP4100是一款集成功率控制IC，适用于VR11.1

应用程序。该ADP4100可以编程为1-，2-， 3-，4-， 5-

或6相操作，从而允许多达六个的结构

互补的降压型开关阶段。该ADP4100支持PSI ，

这是一种功率状态指示器，可用于减少数

在轻负载运行阶段。

该ADP4100是用于将12 V主电源为优化

要求高性能的英特尔处理器核心电源电压。

它使用一个内部8位DAC读取电压识别（ VID ）

从处理器，其用于设置输出直接代码

0.375 V和1.6 V之间的电压

特点

http://onsemi.com

LFCSP48

CASE 932AD

记号

图

ADP4100

JCPZ

#YYWW

XXXXX

CCCCC

支持VR11和VR11.1规格

数字可编程0.375 V至1.6 V输出

可选择的1-，2-， 3-，4- ，5-或6-相操作

快速增强型PWM FlexModet

TRDET提高负载释放

所有输出相位之间的有功电流平衡

支持的On-the -飞（ OTF ） VID代码更改

支持PSI

省电模式

短路保护和闭锁延时

这是一个Pb - Free设备

YYWW

XXX

CCC

=器件代码

= Pb-Free包装

=日期代码

=汇编地段

=原产地

引脚分配

48 VCC3

47 PWRGD

46 PSI

45 VID0

44 VID1

43 VID2

42 VID3

41 VID4

40 VID5

39 VID6

38 VID7

37 VCC

典型应用

NC 2

NC 3

NC 4

EN 5

GND 6

PSI_SET

LLSET

IMON

TTSENSE

VRHOT

IREF 12

销1

指标

服务器

台式电脑的

的POL （记忆）

ADP4100

顶视图

（不按比例）

36 PWM1

PWM2

34 PWM3

33 PWM4

32 PWM5

31 PWM6

SW1

SW2

28 SW3

27 SW4

26 SW5

25 SW6

订购信息

设备*

包

航运

ADP4100JCPZ - REEL LFCSP48 2500 /磁带&卷轴

ADP4100JCPZRL7

LFCSP48

750 /磁带&卷轴

本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体

保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。

*在“Z ”后缀表示无铅封装。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

出版订单号：

ADP4100/D

半导体元件工业有限责任公司， 2008年

2008年3月，

牧师P0

RT 13

RAMPADJ 14

TRDET 15

FBRTN 16

COMP 17

FB 18

CSREF 19

CSSUM 20

CSCOMP 21

ILIMFS 22

ODN 23

OD1 24

ADP4100

VCC

VCC3

TRDET RT

RAMPADJ

分流

调节器

3.3 V

调节器

PSI

PSI_SET

ODN

振荡器

GND

850毫伏

–

OD1

–

UVLO

关闭

SET

RESET

PWM1

CMP

RESET

PWM2

EN / VTT

VRHOT

TTSENSE

热

节流

控制

当前

平衡

电路

–

CMP

RESET

PWM3

–

2 / 3 / 4 /5 / 6

相

驱动器逻辑

CMP

RESET

PWM4

PWM5

过电压

门槛

CSREF

–

CMP

RESET

PWM6

–

CMP

RESET

当前

极限

欠压

门槛

–

CROWBAR

SW1

SW2

SW3

PWRGD

延迟

SW4

SW5

SW6

CSCOMP

–

ILIMFS

IREF

COMP

–

ADP4100

精确

参考

VID DAC

BOOT电压和

软启动控制

FBRTN

VID0 VID1 VID2 VID3 VID4 VID5 VID6 VID7

图1.简化的框图

http://onsemi.com

–

当前

测量

与极限

CSREF

CSSUM

IMON

LLSET

2.2

VIN 12 V

18 nF的

4.7 uF的

ADP3121

10 nF的

1200 uF的

16 V

BST

150 nH的

VCC

DRVL

保护地

DRVH

VCC核心

4.7 uF的

2.2

4.7 uF的

18 nF的

VCC核（ RTN ）

VCC感

VSS感

ADP3121

10 nF的

150 nH的

BST

VCC

2.2

18 nF的

DRVL

保护地

DRVH

1 uF的

X7R

680

4.7 uF的

PSI

电源良好

1 uF的

X7R

4.7 uF的

ADP3121

10 nF的

150 nH的

PSI

VCC

VID0

VID1

VID2

VID3

VID4

VID5

VID6

VID7

VCC3

PWM1

PWM2

PWM3

PWM4

PWM5

PWM6

SW1

SW2

SW3

SW4

SW5

SW6

OD1

ODN

ILIMFS

63.4 k

PWRGD

VTT I / O

1 nF的

GND

PSI_SET

4.54 k

IMON

PROCHOT

VRHOT

IREF

COMP

0.1uF

121 k

348 k

CSCOMP

CSSUM

CSREF

TRDET

FBRTN

RAMPADJ

TTSENSE

LLSET

BST

VCC

2.2

DRVH

保护地

DRVL

18 nF的

ADP4100

4.7 uF的

ADP4100

图2.应用原理

http://onsemi.com

6.81 k, 1%

1500 pF的

X7R

1500 pF的

X7R

69.8 k

35.7 k

100多K热敏电阻

82.5 k

3.3 pF的

1.21 k

32.4 k

470 pF的

X7R

4.99 k

470 pF的

X7R

560 pF的

220 k

1000 pF的

ADP3121

BST

VCC

4.7 uF的

2.2

18 nF的

10 nF的

DRVH

保护地

DRVL

150 nH的

100 k

NTC

20 k

4.7 uF的

ADP3121

10 nF的

BST

4.7 uF的

VCC

DRVH

保护地

DRVL

18 nF的

2.2

4.7 uF的

150 nH的

ADP3121

10 nF的

BST

VCC

4.7 uF的

DRVH

保护地

DRVL

150 nH的

ADP4100

绝对最大额定值

等级

输入电压范围（注1 ）

FBRTN

PWM2到PWM6 ， Rampadj

SW1到SW6

SW1到SW6 （ <200 NS | ）

所有其它输入和输出

存储温度范围

工作环境温度范围

ESD能力，人体模型（注2 ）

ESD能力，机器模型（注2 ）

湿度敏感度等级

无铅焊接温度

回流焊（ SMD样式只），无铅版本（注3 ）

ESD

HBM

ESD

MSL

SLD

TSTG

符号

FBRTN

价值

0.3

到+ 0.3 V

0.3

到V

+ 0.3

至+25 V

0.3

到V

+ 0.3

150

0到85

100

260

单位

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.参考电气特性和应用信息的安全工作区。

2.该装置系列采用ESD保护，并通过以下方法进行测试：

每AEC - Q100-002 （ EIA / JESD22- A114 ）ESD人体模型测试

每AEC - Q100-003 （ EIA / JESD22- A115 ）ESD机模型测试

闭锁电流最大额定值：

≤150

毫安根据JEDEC标准： JESD78

3.我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

热特性

特征

热特性， LFCSP的7mm * 7毫米（注1 ）

热阻，结到空气（注4 ）

热阻，结到引线2 （注4 ）

符号

qJA

YJL

价值

单位

° C / W

基于645 mm铜区域4的值

（或1中

） 1盎司铜层厚度和FR4 PCB基板。

工作范围

（注1 ）

特征

输出电压（注5 ）

环境温度

对于V 5.最大限

OUT

= V

OUT （ NOM ）

10%.

符号

OUT

民

0.375

最大

1.6

单位

°C

http://onsemi.com

ADP4100

引脚分配

PIN号

引脚名称

GND

PSI_SET

无连接

电源使能输入。将该引脚连接到GND关闭PWM输出，并且拉PWRGD输出低电平。

地面上。所有内部偏置和设备的逻辑输出信号被引用到本地。

该输入设置PSI过程中启用相数。拉动该输入高意味着两个阶段，

第1期和第4期（在正常运行时启用了6个阶段），都PSI过程中启用。

该接地引脚意味着只有1阶段PSI期间启用。

输出载重线编程输入。该管脚可以直接连接到CSCOMP或者它可以被连接到

的CSCOMP和CSREF之间的电阻分压器的中心点。连接LLSET到CSREF禁用

在载重线。

总电流输出引脚。

VR温度检测输入。该引脚与GND之间的NTC热敏电阻，用于远程感应

温度在所需的温度监控点。

VR HOT输出。开路漏极输出时，在检测点的温度连接到该信号

TTSENSE超过VRHOT温度阈值。

目前的参考输入。此引脚与地之间的外部电阻器设定的基准电流我

IILIMFS和ITH （ X）。

频率设定电阻输入。连接在此引脚与GND之间的外部电阻设置振荡器

频设备。

PWM斜坡电流输入。从转换器的输入电压，这个引脚上的外部电阻设置内部

PWM斜坡。

瞬态检测。该输出为低电平时的负载释放检测

反馈返回。 VID DAC和对输出电压的遥感误差放大器参考。

误差放大器输出和补偿点。

反馈输入。误差放大器的输入为输出电压的遥感。之间的外部电阻

这个引脚和输出电压设置无负载偏移点。

电流检测参考电压输入。该引脚上的电压被用作电流检测基准

放大器和电源良好和撬棍等功能。该引脚应连接到的公共点

输出电感器。

电流检测求和节点。每个交换节点到这个引脚上的外部电阻求和平均电感

电流一起测定的总的输出电流。

电流检测补偿点。从这个引脚CSSUM的电阻和电容决定了增益

电流读出放大器和所述定位环的响应时间。

电流检测和限制缩放引脚。从这个引脚CSCOMP一个外部电阻设置内部电流

传感信号，电流限制和IMON 。

输出禁用逻辑的PSI操作输出。该引脚积极拉低时， PSI低，否则

功能相同的方式OD1 。

输出禁用逻辑输出。该引脚积极拉低当EN输入为低电平或当V

低于其

UVLO门限信号到驱动IC的驱动高侧和低侧输出应该变为低电平。

电流平衡输入。个用于测量在各相的电流电平。未使用阶段的SW引脚

应由开放。

逻辑电平PWM输出。每个输出被连接到一个外部MOSFET驱动器的输入，如

ADP3121 。 PWM6连接到V

禁止PWM6 ， PWM5连接到V

禁止PWM5和PWM6 ，

等，这意味着ADP4100可以设置成作为1- 2-，3-， 4- ，5-，或6-相位控制器。

电源电压的设备。 340

电阻应放置在12 V系统电源和之间

引脚。内部并联稳压器保持V

= 5.0 V.

电压识别DAC输入。这八个引脚拉低到GND ，如果不开放提供了一个逻辑0 。

当在正常工作模式时，DAC输出方案的FB的调节电压从0.375 V至1.6V。

电源状态指示灯。要将这个引脚为低电平时，控制器在低功耗状态下运行。

电源就绪输出。漏极开路输出该信号时，输出电压是适当的外

工作范围。

3.3 V电源输出。此引脚与地之间的电容去耦前提的间隔3.3V LDO 。

描述

LLSET

IMON

TTSENSE

VRHOT

IREF

RAMPADJ

TRDET

FBRTN

COMP

CSREF

25至30

31至36

CSSUM

CSCOMP

ILIMFS

ODN

OD1

SW6到

SW1

到PWM6

PWM1

VID7到

VID0

PSI

PWRGD

VCC3

38至45

http://onsemi.com