AO3421
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO3421采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO3421是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO3421L
是一种绿色产品订购选项。 AO3421和
AO3421L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -2.6 A（V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 130mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
<在200mΩ （V
GS
= -4.5V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-2.6
-2.2
-20
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3421
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.5A
3
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.4
-5
97
135
166
3.8
-0.82
-1
-2
302
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
50.3
37.8
12
6.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.6A
2.4
1.6
0.95
7.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5.8,
R
根
=3
I
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
3.2
17
6.8
16.8
10
22
18
9
370
130
150
200
-1.9
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
(10)
总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
(4.5)
总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3421
典型的电气和热特性
10
9
8
7
-V
GS
（伏）
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
500
V
DS
=-15V
I
D
=-2.6A
电容（pF）
400
C
国际空间站
300
200
100
C
OSS
C
RSS
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
370
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
0.1s
100s
1ms
10ms
20
T
J（下最大）
18
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
-I
D
（安培）
10.0
15
10s
9
10
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
22
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3421
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO3421采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO3421是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO3421L
是一种绿色产品订购选项。 AO3421和
AO3421L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -2.6 A（V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 130mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
<在200mΩ （V
GS
= -4.5V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-2.6
-2.2
-20
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3421
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.5A
3
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.4
-5
97
135
166
3.8
-0.82
-1
-2
302
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
50.3
37.8
12
6.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.6A
2.4
1.6
0.95
7.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5.8,
R
根
=3
I
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
3.2
17
6.8
16.8
10
22
18
9
370
130
150
200
-1.9
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
(10)
总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
(4.5)
总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3421
典型的电气和热特性
10
9
8
7
-V
GS
（伏）
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
500
V
DS
=-15V
I
D
=-2.6A
电容（pF）
400
C
国际空间站
300
200
100
C
OSS
C
RSS
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
370
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
0.1s
100s
1ms
10ms
20
T
J（下最大）
18
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
-I
D
（安培）
10.0
15
10s
9
10
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
22
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3421
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.6A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.4
-20
77
100
125
5
-0.8
-1
-1.5
197
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3.5
42
26
7.2
4.3
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.6A
2.2
0.7
1.1
7.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5.8,
R
根
=3
I
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-1.9
-2.4
110
140
180
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
240
37
11.0
5.2
3
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
11.8
3.8
11.3
4.4
14
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
启4 ： 2011年5月
www.aosmd.com
页2的5
AO3421
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-2.6A
8
电容（pF）
300
250
C
国际空间站
200
150
100
50
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
-V
GS
（伏）
6
4
C
OSS
2
0
100.0
10000
T
A
=25°
C
10.0
10s
-I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
1.0
功率（W）的
1000
R
DS （ ON）
有限
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10
0.0
0.01
0.1
1
10
100
1
0.00001
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=125°
C / W
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.001
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
启4 ： 2011年5月
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第4 5
AO3421
30V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.6A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
-1.4
-20
77
100
125
5
-0.8
-1
-1.5
197
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3.5
42
26
7.2
4.3
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.6A
2.2
0.7
1.1
7.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5.8,
R
根
=3
I
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-1.9
-2.4
110
140
180
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
240
37
11.0
5.2
3
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
11.8
3.8
11.3
4.4
14
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO3421
30V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-2.6A
8
电容（pF）
300
250
C
国际空间站
200
150
100
50
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
-V
GS
（伏）
6
4
C
OSS
2
0
100.0
10000
T
A
=25°
C
10.0
10s
-I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
1.0
功率（W）的
1000
R
DS （ ON）
有限
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10
0.0
0.01
0.1
1
10
100
1
0.00001
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=125°
C / W
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.001
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
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