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APM2323A
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -1.5A ，
R
DS （ ON）
= 130mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
= 170mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
D
G
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图SOT -23
S
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
D
G
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2323
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
答： SOT -23
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅冰开发空白：原创开发的冰
XXXXX - 日期代码
APM2323A ：
M23X
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
APM2323A
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
2
垫区域，叔
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-4.5V
等级
-20
±10
-1.5
-6
-1
150
-55到150
0.83
0.3
150
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
≤
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2323A
分钟。
典型值。
马克斯。
电气特性
符号
参数
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
-20
-1
-30
-0.45
-0.7
130
170
-0.7
4
-1
±100
170
220
-1.3
6
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
b
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-1.5A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-1A
I
SD
= -1A ，V
GS
=0V
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
栅极 - 源电荷
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-1.5A
0.6
0.7
nC
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
2
www.anpec.com.tw
APM2323A
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2323A
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-20V,
Frequency=1.0MHz
12
255
70
45
6
10
12
15
10
8
9.8
5
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=-4.5V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
3
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APM2323A
典型特征
功耗
1.0
2.0
漏电流
0.8
1.6
0.6
-I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
1.2
0.4
0.8
0.2
o
0.4
T
A
= 25℃ ，V
G
=4.5V
60
80 100 120 140 160
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
20
10
2
瞬态热阻抗
归一化瞬态热阻
1
占空比= 0.5
-I
D
- 漏电流（ A）
Rd
s(
on
)L
im
it
300
s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
1
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 150℃ / W
2
0.1
0.01
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
o
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM2323A
典型特征（续）
输出特性
8
V
GS
= -3,-4,-5,-6,-7,-8,-9,-10V
7
0.25
0.30
漏源导通电阻
6
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（Ω ）
-I
D
- 漏电流（ A）
0.20
V
GS
= -2.5V
5
4
3
2
1
0
0.0
-2V
0.15
V
GS
= -4.5V
0.10
0.05
0.00
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
6
1.8
1.6
T
j
=-55 C
o
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-I
D
- 漏电流（ A）
4
T
j
=25 C
T
j
=125 C
o
o
3
2
1
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0.0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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